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No entro en nada 2

Artículo

Transition between quasi 2 and 3d behavior of the binding energy of screened excitons in semiconducting quantum well structures

Spector , H. N.; Lee , J.; Del Castillo Mussot, M.; Reyes , J. A.; Vázquez , G. J.

Facultad de Ciencias, UNAM, publicado en Revista Mexicana de Física, y cosechado de Revistas UNAM

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Revistas UNAM. Dirección General de Publicaciones y Fomento Editorial, UNAM en revistas@unam.mx

Cita

Spector , H. N., et al. (2003). Transition between quasi 2 and 3d behavior of the binding energy of screened excitons in semiconducting quantum well structures. Revista Mexicana de Física; Vol 49, No 002. Recuperado de https://repositorio.unam.mx/contenidos/41006

Descripción del recurso

Autor(es)
Spector , H. N.; Lee , J.; Del Castillo Mussot, M.; Reyes , J. A.; Vázquez , G. J.
Tipo
Artículo de Investigación
Área del conocimiento
Físico Matemáticas y Ciencias de la Tierra
Título
Transition between quasi 2 and 3d behavior of the binding energy of screened excitons in semiconducting quantum well structures
Fecha
2003-01-01
Resumen
We have calculated the binding energy of screened excitons in a semiconducting quantum well structure as a function of screening parameter and the width of the quantum well using variational wave functions to obtain upper bounds for the energy. The binding energy decreases with increasing values of the screening parameter and with increasing well width. However, as long as the well width is narrow enough so the electrons and holes occupy their lowest-energy subbands, the exciton remains bound even for large values of the screening parameter whenever the electron gas remains nondegenerate.
Tema
Binding energy of screened excitons; low-dimensional structures; semiconductors
Idioma
eng
ISSN
2683-2224 (digital); 0035-001X (impresa)

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