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850.#.#.a: Universidad Nacional Autónoma de México

856.4.0.u: http://revistas.unam.mx/index.php/rmf/article/view/13750/13087

100.1.#.a: Gaggero-Sager, L. M.

524.#.#.a: Gaggero-Sager, L. M. (2001). Thomas-Fermi approximation in two p-type delta-doped quantum wells in GaAs and Si. Revista Mexicana de Física; Vol 47, No 002. Recuperado de https://repositorio.unam.mx/contenidos/40895

245.1.0.a: Thomas-Fermi approximation in two p-type delta-doped quantum wells in GaAs and Si

502.#.#.c: Universidad Nacional Autónoma de México

561.1.#.a: Facultad de Ciencias, UNAM

264.#.0.c: 2001

264.#.1.c: 2001-01-01

653.#.#.a: Thomas-Fermi; doped quantum wells

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773.1.#.t: Revista Mexicana de Física; Vol 47, No 002 (2001)

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046.#.#.j: 2020-11-25 00:00:00.000000

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Artículo

Thomas-Fermi approximation in two p-type delta-doped quantum wells in GaAs and Si

Gaggero-Sager, L. M.

Facultad de Ciencias, UNAM, publicado en Revista Mexicana de Física, y cosechado de Revistas UNAM

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Facultad de Ciencias, UNAM
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Revistas UNAM. Dirección General de Publicaciones y Fomento Editorial, UNAM en revistas@unam.mx

Cita

Gaggero-Sager, L. M. (2001). Thomas-Fermi approximation in two p-type delta-doped quantum wells in GaAs and Si. Revista Mexicana de Física; Vol 47, No 002. Recuperado de https://repositorio.unam.mx/contenidos/40895

Descripción del recurso

Autor(es)
Gaggero-Sager, L. M.
Tipo
Artículo de Investigación
Área del conocimiento
Físico Matemáticas y Ciencias de la Tierra
Título
Thomas-Fermi approximation in two p-type delta-doped quantum wells in GaAs and Si
Fecha
2001-01-01
Resumen
Thomas-fermi calculations of the hole subband structure in two coupled p-type --doped gaas and si quantum wells are carried out as a function of the impurity concentration and the distance l between them. A simple formula is obtained for the potential as a function of these two magnitudes by both types of systems. The numerical results for a double be---doped gaas (double b---doped si) quantum well show that the energy levels degenerate for l -- 300 a (i--200 a) for an impurity concentration of 1 x 10- cm-.
Tema
Thomas-Fermi; doped quantum wells
Idioma
eng
ISSN
2683-2224 (digital); 0035-001X (impresa)

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