dor_id: 4106943

506.#.#.a: Público

590.#.#.d: Los artículos enviados a la Revista Mexicana de Física se someten a un estricto proceso de revisión llevado a cabo por árbitros anónimos, independientes y especializados en todo el mundo.

510.0.#.a: Consejo Nacional de Ciencia y Tecnología (CONACyT), Sistema Regional de Información en Línea para Revistas Científicas de América Latina, el Caribe, España y Portugal (Latindex), Scientific Electronic Library Online (SciELO), SCOPUS, Web Of Science (WoS)

561.#.#.u: http://www.fciencias.unam.mx/

650.#.4.x: Físico Matemáticas y Ciencias de la Tierra

336.#.#.b: info:eu-repo/semantics/article

336.#.#.3: Artículo de Investigación

336.#.#.a: Artículo

351.#.#.6: https://rmf.smf.mx/ojs/rmf/index

351.#.#.b: Revista Mexicana de Física

351.#.#.a: Artículos

harvesting_group: RevistasUNAM

270.1.#.p: Revistas UNAM. Dirección General de Publicaciones y Fomento Editorial, UNAM en revistas@unam.mx

590.#.#.c: Open Journal Systems (OJS)

270.#.#.d: MX

270.1.#.d: México

590.#.#.b: Concentrador

883.#.#.u: http://www.revistas.unam.mx/front/

883.#.#.a: Revistas UNAM

590.#.#.a: Coordinación de Difusión Cultural

883.#.#.1: http://www.publicaciones.unam.mx/

883.#.#.q: Dirección General de Publicaciones y Fomento Editorial, UNAM

850.#.#.a: Universidad Nacional Autónoma de México

856.4.0.u: https://rmf.smf.mx/ojs/rmf/article/view/4131/4098

100.1.#.a: Dominguez Jimenez, M. A.; Flores Gracia, F.; Luna Flores, A.; Martinez Juarez, J.; Luna Lopez, J. A.; Alcantara Iniesta, S.; Rosales Quintero, P.; Reyes Betanzo, C.

524.#.#.a: Dominguez Jimenez, M. A., et al. (2015). Thin-film transistors based on zinc oxide films by ultrasonic spray pyrolysis. Revista Mexicana de Física; Vol 61, No 2 Mar-Apr: 123-0. Recuperado de https://repositorio.unam.mx/contenidos/4106943

245.1.0.a: Thin-film transistors based on zinc oxide films by ultrasonic spray pyrolysis

502.#.#.c: Universidad Nacional Autónoma de México

561.1.#.a: Facultad de Ciencias, UNAM

264.#.0.c: 2015

264.#.1.c: 2015-01-01

653.#.#.a: ZnO; electrical properties; thin film transistors

506.1.#.a: La titularidad de los derechos patrimoniales de esta obra pertenece a las instituciones editoras. Su uso se rige por una licencia Creative Commons BY-NC-ND 4.0 Internacional, https://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/4.0/legalcode.es, fecha de asignación de la licencia 2015-01-01, para un uso diferente consultar al responsable jurídico del repositorio por medio de rmf@ciencias.unam.mx

884.#.#.k: https://rmf.smf.mx/ojs/rmf/article/view/4131

001.#.#.#: oai:ojs.rmf.smf.mx:article/4131

041.#.7.h: eng

520.3.#.a: The application of Zinc Oxide (ZnO) films by ultrasonic spray pyrolysis at 250, 300 and 450\∘ C as active layer in thin-film Transistors (TFTs) is presented. The performance of the devices shows an unexpected behavior in function of the deposition temperature. The ZnO films were deposited from 0.2 M precursor solution of Zinc acetate in methanol, using air as carrier gas. 70nm-thick ZnO was deposited over 100 nm-thick aluminum electrodes patterned on 50 nm-thick thermally grown SiO 2on highly doped Si wafers. The highly doped Si wafer was used as the gate electrode. The ZnO TFTs at 250\∘ C showed field-effect mobilities around of 0.05 cm2Vs and threshold voltages of 8 V.

773.1.#.t: Revista Mexicana de Física; Vol 61, No 2 Mar-Apr (2015): 123-0

773.1.#.o: https://rmf.smf.mx/ojs/rmf/index

046.#.#.j: 2020-11-25 00:00:00.000000

022.#.#.a: 2683-2224 (digital); 0035-001X (impresa)

310.#.#.a: Bimestral

264.#.1.b: Sociedad Mexicana de Física, A.C.

758.#.#.1: https://rmf.smf.mx/ojs/rmf/index

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harvesting_date: 2020-09-23 00:00:00.0

856.#.0.q: application/pdf

last_modified: 2020-11-27 00:00:00

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