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506.#.#.a: Público

650.#.4.x: Biotecnología y Ciencias Agropecuarias

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720.#.#.a: Noboru Takeuchi Tan

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506.1.#.a: La titularidad de los derechos patrimoniales de este recurso digital pertenece a la Universidad Nacional Autónoma de México. Su uso se rige por una licencia Creative Commons BY 4.0 Internacional, https://creativecommons.org/licenses/by/4.0/legalcode.es, fecha de asignación de la licencia 2012, para un uso diferente consultar al responsable jurídico del repositorio por medio de contacto@dgru.unam.mx

041.#.7.h: spa

500.#.#.a: El entendimiento de las reconstrucciones de las superficies se ha convertido en parte esencial en la búsqueda de materiales con propiedades a la medida. Conocer la estructura atómica de las superficies (su reconstrucción) es muy importante debido a que una gran cantidad de las propiedades del material dependen directamente de dicha estructura. También es importante, por ejemplo, para estudiar los diferentes aspectos de la física de dos dimensiones (como la deposición atómica, la manipulación y la construcción de superficies a través de técnicas de Microscopía de efecto túnel), y también para la determinación precisa de las terminaciones atómicas de los materiales utilizados como contactos en aparatos en la nanoescala y materiales utilizados como sustratos. Esto es en general para cualquier material que se quiera estudiar, en particular para el cual nosotros estamos interesados que es el nitruro de galio limpio, y con la adsorción de átomos metálicos. _x000D_ _x000D_ Al adsorber átomos metálicos las propiedades estructurales, electrónicas y magnética cambian. Esta última propiedad es muy importante, en el caso de materiales magnéticos, ya que dependiendo de la cantidad de material que se deposita, las propiedades de la interfaz cambian también. En particular, los materiales magnéticos pueden mostrar cambios significativos en sus propiedades cando su tamaño característico se reduce a la escala atómica y esto se puede obtener cuando se deposita monocapas del material sobre una superficie. _x000D_ _x000D_ En este proyecto estudiaremos la superficie limpia de GaN(0001) en el régimen de crecimiento rico en Ga y los cambios en sus propiedades estructurales, electrónicas y magnéticas cuando se le depositan átomos metálicos en diferentes cantidades. En particular se estudiarán fenómenos magnéticos de superficie en el límite de escala atómica y se buscará inducir y / o manipular el magnetismo a escala de monocapas atómicas. Se estudiara la adsorcion de Mn, Fe, MnN y FeN._x000D_ _x000D_ Tambien estudiaremos otros semiconductores compuestos III-V y II-VI. Se estudiaran sus superficies y nanoestructuras. Tambien su modificacion con la adsorcion de atomos en el regimen de menos de una monocapa._x000D_ _x000D_ _x000D_ El proyecto que se presenta es teórico, pero se realiza en estrecha colaboración con el grupo de crecimiento de haces moleculares (MBE del inglés molecular beam epitaxy) y Microscopía de tunelamiento de electrones (STM del inglés scanning tunneling microscopy) de bajas temperaturas que dirige el Prof. Art Smith del Departamento de Física y Astronomía de la Universidad de Ohio en Estados Unidos. Esta colaboración se empezó cuando el responsable de este proyecto (Dr. Noboru Takeuchi) realizó una estancia sabática en la Universidad de Ohio._x000D_

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No entro en nada

No entro en nada 2

Registro de colección universitaria

Superficies semiconductoras y su modificación con la adsorción de átomos metálicos: un estudio de primeros principios

Centro de Nanociencias y Nanotecnología, UNAM, Portal de Datos Abiertos UNAM, Colecciones Universitarias

Licencia de uso

Procedencia del contenido

Entidad o dependencia
Centro de Nanociencias y Nanotecnología, UNAM
Entidad o dependencia
Dirección General de Asuntos del Personal Académico
Acervo
Colecciones Universitarias Digitales
Repositorio
Contacto
Dirección General de Repositorios Universitarios. contacto@dgru.unam.mx

Cita

Dirección de Desarrollo Académico, Dirección General de Asuntos del Personal Académico (DGAPA). "Superficies semiconductoras y su modificación con la adsorción de átomos metálicos: un estudio de primeros principios", Proyectos Universitarios PAPIIT (PAPIIT). En "Portal de datos abiertos UNAM" (en línea), México, Universidad Nacional Autónoma de México.

Descripción del recurso

Título
Superficies semiconductoras y su modificación con la adsorción de átomos metálicos: un estudio de primeros principios
Colección
Proyectos Universitarios PAPIIT (PAPIIT)
Responsable
Noboru Takeuchi Tan
Fecha
2012
Descripción
El entendimiento de las reconstrucciones de las superficies se ha convertido en parte esencial en la búsqueda de materiales con propiedades a la medida. Conocer la estructura atómica de las superficies (su reconstrucción) es muy importante debido a que una gran cantidad de las propiedades del material dependen directamente de dicha estructura. También es importante, por ejemplo, para estudiar los diferentes aspectos de la física de dos dimensiones (como la deposición atómica, la manipulación y la construcción de superficies a través de técnicas de Microscopía de efecto túnel), y también para la determinación precisa de las terminaciones atómicas de los materiales utilizados como contactos en aparatos en la nanoescala y materiales utilizados como sustratos. Esto es en general para cualquier material que se quiera estudiar, en particular para el cual nosotros estamos interesados que es el nitruro de galio limpio, y con la adsorción de átomos metálicos. _x000D_ _x000D_ Al adsorber átomos metálicos las propiedades estructurales, electrónicas y magnética cambian. Esta última propiedad es muy importante, en el caso de materiales magnéticos, ya que dependiendo de la cantidad de material que se deposita, las propiedades de la interfaz cambian también. En particular, los materiales magnéticos pueden mostrar cambios significativos en sus propiedades cando su tamaño característico se reduce a la escala atómica y esto se puede obtener cuando se deposita monocapas del material sobre una superficie. _x000D_ _x000D_ En este proyecto estudiaremos la superficie limpia de GaN(0001) en el régimen de crecimiento rico en Ga y los cambios en sus propiedades estructurales, electrónicas y magnéticas cuando se le depositan átomos metálicos en diferentes cantidades. En particular se estudiarán fenómenos magnéticos de superficie en el límite de escala atómica y se buscará inducir y / o manipular el magnetismo a escala de monocapas atómicas. Se estudiara la adsorcion de Mn, Fe, MnN y FeN._x000D_ _x000D_ Tambien estudiaremos otros semiconductores compuestos III-V y II-VI. Se estudiaran sus superficies y nanoestructuras. Tambien su modificacion con la adsorcion de atomos en el regimen de menos de una monocapa._x000D_ _x000D_ _x000D_ El proyecto que se presenta es teórico, pero se realiza en estrecha colaboración con el grupo de crecimiento de haces moleculares (MBE del inglés molecular beam epitaxy) y Microscopía de tunelamiento de electrones (STM del inglés scanning tunneling microscopy) de bajas temperaturas que dirige el Prof. Art Smith del Departamento de Física y Astronomía de la Universidad de Ohio en Estados Unidos. Esta colaboración se empezó cuando el responsable de este proyecto (Dr. Noboru Takeuchi) realizó una estancia sabática en la Universidad de Ohio._x000D_
Tema
Estado sólido; Física
Identificador global
http://datosabiertos.unam.mx/DGAPA:PAPIIT:IN103512

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