Structural and electronic properties of RuN/GaN superlattices: a first-principles study
Arbey Rodríguez, J.; González Hernández, R.; Ortega López, C.
Facultad de Ciencias, UNAM, publicado en Revista Mexicana de Física, y cosechado de Revistas UNAM
dor_id: 41751
506.#.#.a: Público
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650.#.4.x: Físico Matemáticas y Ciencias de la Tierra
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336.#.#.3: Artículo de Investigación
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351.#.#.6: https://rmf.smf.mx/ojs/rmf/index
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351.#.#.a: Artículos
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270.1.#.p: Revistas UNAM. Dirección General de Publicaciones y Fomento Editorial, UNAM en revistas@unam.mx
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883.#.#.a: Revistas UNAM
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850.#.#.a: Universidad Nacional Autónoma de México
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100.1.#.a: Arbey Rodríguez, J.; González Hernández, R.; Ortega López, C.
524.#.#.a: Arbey Rodríguez, J., et al. (2012). Structural and electronic properties of RuN/GaN superlattices: a first-principles study. Revista Mexicana de Física; Vol 58, No 1: 41-45. Recuperado de https://repositorio.unam.mx/contenidos/41751
245.1.0.a: Structural and electronic properties of RuN/GaN superlattices: a first-principles study
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653.#.#.a: Superlattices; nitrides; DFT; LAPW
506.1.#.a: La titularidad de los derechos patrimoniales de esta obra pertenece a las instituciones editoras. Su uso se rige por una licencia Creative Commons BY-NC-ND 4.0 Internacional, https://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/4.0/legalcode.es, fecha de asignación de la licencia 2012-01-01, para un uso diferente consultar al responsable jurídico del repositorio por medio de rmf@ciencias.unam.mx
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001.#.#.#: oai:ojs.rmf.smf.mx:article/3882
041.#.7.h: eng
520.3.#.a: In this work, we investigate the structural and electronic properties of RuN/GaN superlattices, using first-principles calculations within density functional theory (DFT) and generalized gradient approximation (GGA). We have employed the full potential linearized augmented plane waves (FP-LAPW) method as implemented in the WIEN2k code. The 1×1, 1×2, 1×3 and 1×4 RuN/GaN superlattices are studied in the wurtzite phase, which is the most stable structure of the GaN. In order to determine the best parameters, we have optimized the total energy as a function of: (i) the unit cell volume, (ii) the c=a ratio and (iii) the z-coordinate of Ga and Ru atoms. Lattices constant, bulk moduli, cohesive and formation energies are reported as a function of the period for each RuN/GaN superlattices, and trends are discussed. On the other hand, a study of the density of states show that the superlattices present a metallic behavior. The results suggest that the RuN/GaN superlattices can be used as compounds for the fabrication of semiconductor-metal-semiconductor or semiconductor-metal devices.
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Arbey Rodríguez, J.; González Hernández, R.; Ortega López, C.
Facultad de Ciencias, UNAM, publicado en Revista Mexicana de Física, y cosechado de Revistas UNAM
Arbey Rodríguez, J., et al. (2012). Structural and electronic properties of RuN/GaN superlattices: a first-principles study. Revista Mexicana de Física; Vol 58, No 1: 41-45. Recuperado de https://repositorio.unam.mx/contenidos/41751