dor_id: 4108188

506.#.#.a: Público

590.#.#.d: Los artículos enviados a la Revista Mexicana de Física se someten a un estricto proceso de revisión llevado a cabo por árbitros anónimos, independientes y especializados en todo el mundo.

510.0.#.a: Consejo Nacional de Ciencia y Tecnología (CONACyT), Sistema Regional de Información en Línea para Revistas Científicas de América Latina, el Caribe, España y Portugal (Latindex), Scientific Electronic Library Online (SciELO), SCOPUS, Web Of Science (WoS)

561.#.#.u: http://www.fciencias.unam.mx/

650.#.4.x: Físico Matemáticas y Ciencias de la Tierra

336.#.#.b: info:eu-repo/semantics/article

336.#.#.3: Artículo de Investigación

336.#.#.a: Artículo

351.#.#.6: https://rmf.smf.mx/ojs/rmf/index

351.#.#.b: Revista Mexicana de Física

351.#.#.a: Artículos

harvesting_group: RevistasUNAM

270.1.#.p: Revistas UNAM. Dirección General de Publicaciones y Fomento Editorial, UNAM en revistas@unam.mx

590.#.#.c: Open Journal Systems (OJS)

270.#.#.d: MX

270.1.#.d: México

590.#.#.b: Concentrador

883.#.#.u: http://www.revistas.unam.mx/front/

883.#.#.a: Revistas UNAM

590.#.#.a: Coordinación de Difusión Cultural

883.#.#.1: http://www.publicaciones.unam.mx/

883.#.#.q: Dirección General de Publicaciones y Fomento Editorial, UNAM

850.#.#.a: Universidad Nacional Autónoma de México

856.4.0.u: https://rmf.smf.mx/ojs/rmf/article/view/Vol.%2066%2C%20issue%205%2C%20pp.%20643-655/4954; https://rmf.smf.mx/ojs/rmf/article/downloadSuppFile/Vol.%2066%2C%20issue%205%2C%20pp.%20643-655/934

100.1.#.a: Serdouk, F.; Boumali, A.; Makhlouf, A.; Benkhedi, M. L.

524.#.#.a: Serdouk, F., et al. (2020). Solutions of q-deformed multiple-trapping model (MTM) for charge carrier transport from time-of-flight transient (TOF) photo-current in amorphous semiconductors. Revista Mexicana de Física; Vol 66, No 5 Sept-Oct: 643-655. Recuperado de https://repositorio.unam.mx/contenidos/4108188

245.1.0.a: Solutions of q-deformed multiple-trapping model (MTM) for charge carrier transport from time-of-flight transient (TOF) photo-current in amorphous semiconductors

502.#.#.c: Universidad Nacional Autónoma de México

561.1.#.a: Facultad de Ciencias, UNAM

264.#.0.c: 2020

264.#.1.c: 2020-09-01

506.1.#.a: La titularidad de los derechos patrimoniales de esta obra pertenece a las instituciones editoras. Su uso se rige por una licencia Creative Commons BY-NC-ND 4.0 Internacional, https://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/4.0/legalcode.es, fecha de asignación de la licencia 2020-09-01, para un uso diferente consultar al responsable jurídico del repositorio por medio de rmf@ciencias.unam.mx

884.#.#.k: https://rmf.smf.mx/ojs/rmf/article/view/Vol.%2066%2C%20issue%205%2C%20pp.%20643-655

001.#.#.#: oai:ojs.rmf.smf.mx:article/5087

041.#.7.h: eng

520.3.#.a: This paper is devoted to investigating the description of the q-deformed multiple-trapping equation for charge carrier transport in amorphous semiconductors. For this, we at first modified the multi–trapping model (MTM) of charge carriers in amorphous semiconductors from time-of-flight (TOF) transient photo-current in the framework of the q-derivative formalism, and then, we have constructed, our simulated current by using a method based on the Laplace method. This method is implemented in a program proposed recently by [14] which allows us to construct a current using the Padé approximation expansion.

773.1.#.t: Revista Mexicana de Física; Vol 66, No 5 Sept-Oct (2020): 643-655

773.1.#.o: https://rmf.smf.mx/ojs/rmf/index

046.#.#.j: 2020-11-25 00:00:00.000000

022.#.#.a: 2683-2224 (digital); 0035-001X (impresa)

310.#.#.a: Bimestral

264.#.1.b: Sociedad Mexicana de Física, A.C.

758.#.#.1: https://rmf.smf.mx/ojs/rmf/index

doi: https://doi.org/10.31349/RevMexFis.66.643

handle: 00d1e16427956766

harvesting_date: 2020-09-23 00:00:00.0

856.#.0.q: application/pdf

last_modified: 2020-11-27 00:00:00

license_url: https://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/4.0/legalcode.es

license_type: by-nc-nd

No entro en nada

No entro en nada 2

Artículo

Solutions of q-deformed multiple-trapping model (MTM) for charge carrier transport from time-of-flight transient (TOF) photo-current in amorphous semiconductors

Serdouk, F.; Boumali, A.; Makhlouf, A.; Benkhedi, M. L.

Facultad de Ciencias, UNAM, publicado en Revista Mexicana de Física, y cosechado de Revistas UNAM

Licencia de uso

Procedencia del contenido

Entidad o dependencia
Facultad de Ciencias, UNAM
Revista
Repositorio
Contacto
Revistas UNAM. Dirección General de Publicaciones y Fomento Editorial, UNAM en revistas@unam.mx

Cita

Serdouk, F., et al. (2020). Solutions of q-deformed multiple-trapping model (MTM) for charge carrier transport from time-of-flight transient (TOF) photo-current in amorphous semiconductors. Revista Mexicana de Física; Vol 66, No 5 Sept-Oct: 643-655. Recuperado de https://repositorio.unam.mx/contenidos/4108188

Descripción del recurso

Autor(es)
Serdouk, F.; Boumali, A.; Makhlouf, A.; Benkhedi, M. L.
Tipo
Artículo de Investigación
Área del conocimiento
Físico Matemáticas y Ciencias de la Tierra
Título
Solutions of q-deformed multiple-trapping model (MTM) for charge carrier transport from time-of-flight transient (TOF) photo-current in amorphous semiconductors
Fecha
2020-09-01
Resumen
This paper is devoted to investigating the description of the q-deformed multiple-trapping equation for charge carrier transport in amorphous semiconductors. For this, we at first modified the multi–trapping model (MTM) of charge carriers in amorphous semiconductors from time-of-flight (TOF) transient photo-current in the framework of the q-derivative formalism, and then, we have constructed, our simulated current by using a method based on the Laplace method. This method is implemented in a program proposed recently by [14] which allows us to construct a current using the Padé approximation expansion.
Idioma
eng
ISSN
2683-2224 (digital); 0035-001X (impresa)

Enlaces