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506.#.#.a: Público

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336.#.#.a: Registro de colección universitaria

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100.1.#.a: Amelia Olivas Sarabia

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720.#.#.a: Amelia Olivas Sarabia

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264.#.1.c: 2013

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506.1.#.a: La titularidad de los derechos patrimoniales de este recurso digital pertenece a la Universidad Nacional Autónoma de México. Su uso se rige por una licencia Creative Commons BY 4.0 Internacional, https://creativecommons.org/licenses/by/4.0/legalcode.es, fecha de asignación de la licencia 2013, para un uso diferente consultar al responsable jurídico del repositorio por medio de contacto@dgru.unam.mx

041.#.7.h: spa

500.#.#.a: El depósito por baño químico es reconocido como una ruta importante para la fabricación de películas delgadas, utilizando baja presión atmosférica y temperaturas cercanas al ambiente (20-80 0C). Es un método sencillo, con el cual se pueden obtener películas de 20 a 1000 nm de espesor sobre sustratos inmersos en una solución de reacción, que contiene los reactivos que proporcionan los iones metálicos y no metálicos para la formación de las películas. Otra ventaja con respecto a los métodos convencionales en fase vapor, los cuales requieren alta energía y por lo regular atmosferas inertes, es el aspecto económico. El método de depósito por baño químico (DBQ) permite obtener películas de buena calidad, es decir, transparentes, uniformes, reproducibles y con buena adherencia al sustrato, capaces de competir con películas obtenidas por otros métodos más sofisticados._x000D_ Asimismo, ofrece la posibilidad de monitorear con facilidad los parámetros de depósito, tales como temperatura, tiempo, concentración y tipo de reactivos, pH, naturaleza y tamaño del sustrato. _x000D_ Se empleará este método (DBQ) para encontrar las condiciones de la solución de reacción que den lugar a películas de semiconductores con características del tipo n y p, y descubrir características propias de estas películas. Se definirán las propiedades fundamentales de los materiales responsables del transporte de carga y la estabilidad de estos materiales mediante el control de la nucleación en películas de calcogenuro, el crecimiento y los tratamientos post-depósito._x000D_ Este proyecto estudiará para tratar de resolver las limitaciones conocidas de los materiales orgánicos: pobre estabilidad, baja movilidad en las películas delgadas de transistores orgánicos._x000D_ Los semiconductores a base de calcogenuros son un prospecto fácil de aplicar en grandes áreas de dispositivos que utilizan semiconductores, en estos se busca que presenten alta estabilidad, bajo costo y que proporcionen corrientes altas. Algunos de estos aspectos han sido hasta ahora olvidados en los semiconductores orgánicos, y años de investigación no han logrado resolver muchos de estos problemas. Con la creciente demanda de consumo de aplicaciones que requieren estas características y la baja estabilidad en materiales de silicio amorfo hidrogenado (a-Si:H) y la casi imposibilidad de diseñar los dispositivos de tipo p en esa tecnología, este proyecto ofrece una solución integral que aborda todos estos problemas, pero se enfocará en proporcionar una mayor funcionalidad y hacer descubrimientos importantes en el desarrollo de bajo costo de dispositivos semiconductores complementarios de metal-óxido-calcogenuro (CMOS) utilizando el método de preparación de DBQ_x000D_

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No entro en nada

No entro en nada 2

Registro de colección universitaria

Síntesis, caracterización y evaluación de aplicaciones de calcogenuros de metales de transición depositados por baño químico

Centro de Nanociencias y Nanotecnología, UNAM, Portal de Datos Abiertos UNAM, Colecciones Universitarias

Licencia de uso

Procedencia del contenido

Entidad o dependencia
Centro de Nanociencias y Nanotecnología, UNAM
Entidad o dependencia
Dirección General de Asuntos del Personal Académico
Acervo
Colecciones Universitarias Digitales
Repositorio
Contacto
Dirección General de Repositorios Universitarios. contacto@dgru.unam.mx

Cita

Dirección de Desarrollo Académico, Dirección General de Asuntos del Personal Académico (DGAPA). "Síntesis, caracterización y evaluación de aplicaciones de calcogenuros de metales de transición depositados por baño químico", Proyectos Universitarios PAPIIT (PAPIIT). En "Portal de datos abiertos UNAM" (en línea), México, Universidad Nacional Autónoma de México.

Descripción del recurso

Título
Síntesis, caracterización y evaluación de aplicaciones de calcogenuros de metales de transición depositados por baño químico
Colección
Proyectos Universitarios PAPIIT (PAPIIT)
Responsable
Amelia Olivas Sarabia
Fecha
2013
Descripción
El depósito por baño químico es reconocido como una ruta importante para la fabricación de películas delgadas, utilizando baja presión atmosférica y temperaturas cercanas al ambiente (20-80 0C). Es un método sencillo, con el cual se pueden obtener películas de 20 a 1000 nm de espesor sobre sustratos inmersos en una solución de reacción, que contiene los reactivos que proporcionan los iones metálicos y no metálicos para la formación de las películas. Otra ventaja con respecto a los métodos convencionales en fase vapor, los cuales requieren alta energía y por lo regular atmosferas inertes, es el aspecto económico. El método de depósito por baño químico (DBQ) permite obtener películas de buena calidad, es decir, transparentes, uniformes, reproducibles y con buena adherencia al sustrato, capaces de competir con películas obtenidas por otros métodos más sofisticados._x000D_ Asimismo, ofrece la posibilidad de monitorear con facilidad los parámetros de depósito, tales como temperatura, tiempo, concentración y tipo de reactivos, pH, naturaleza y tamaño del sustrato. _x000D_ Se empleará este método (DBQ) para encontrar las condiciones de la solución de reacción que den lugar a películas de semiconductores con características del tipo n y p, y descubrir características propias de estas películas. Se definirán las propiedades fundamentales de los materiales responsables del transporte de carga y la estabilidad de estos materiales mediante el control de la nucleación en películas de calcogenuro, el crecimiento y los tratamientos post-depósito._x000D_ Este proyecto estudiará para tratar de resolver las limitaciones conocidas de los materiales orgánicos: pobre estabilidad, baja movilidad en las películas delgadas de transistores orgánicos._x000D_ Los semiconductores a base de calcogenuros son un prospecto fácil de aplicar en grandes áreas de dispositivos que utilizan semiconductores, en estos se busca que presenten alta estabilidad, bajo costo y que proporcionen corrientes altas. Algunos de estos aspectos han sido hasta ahora olvidados en los semiconductores orgánicos, y años de investigación no han logrado resolver muchos de estos problemas. Con la creciente demanda de consumo de aplicaciones que requieren estas características y la baja estabilidad en materiales de silicio amorfo hidrogenado (a-Si:H) y la casi imposibilidad de diseñar los dispositivos de tipo p en esa tecnología, este proyecto ofrece una solución integral que aborda todos estos problemas, pero se enfocará en proporcionar una mayor funcionalidad y hacer descubrimientos importantes en el desarrollo de bajo costo de dispositivos semiconductores complementarios de metal-óxido-calcogenuro (CMOS) utilizando el método de preparación de DBQ_x000D_
Tema
Fisicoquímica; Ciencias de los materiales
Identificador global
http://datosabiertos.unam.mx/DGAPA:PAPIIT:IN108613

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