Simulating effective potential under strain for holes
Mendoza Álvarez, A.; Diago Cisneros, L.; Flores Godo, J. J.; Fernández Anaya, G.
Facultad de Ciencias, UNAM, publicado en Revista Mexicana de Física, y cosechado de Revistas UNAM
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336.#.#.3: Artículo de Investigación
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351.#.#.b: Revista Mexicana de Física
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100.1.#.a: Mendoza Álvarez, A.; Diago Cisneros, L.; Flores Godo, J. J.; Fernández Anaya, G.
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245.1.0.a: Simulating effective potential under strain for holes
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653.#.#.a: rmf-d
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884.#.#.k: https://rmf.smf.mx/ojs/rmf/article/view/4228
001.#.#.#: oai:ojs.rmf.smf.mx:article/4228
041.#.7.h: eng
520.3.#.a: The effective potential (V \mathrm eff) evolution, is graphically illustrated for an increasing mixing of heavy- and light-holes (\emph lh ) under strain. The impact of the present study is enlarged provided we were able to deduce comprehensive analytic expressions for the valence-band offset both for zinc blende and wurtzite semiconductors, useful in current solid-state physics studies, whenever one manages to manipulate the accumulated pseudomorphic strain and mixing effects in a single shoot. We found permutations of V \mathrm eff character for \emph lh , that retrieve the hypothetically predicted striking ``\emph keyboard '' effect. Interestingly, the strain diminishes the \emph keyboardprofile, and also makes it emerge or vanish occasionally. Due in-plane anisotropy the \emph keyboardeffect under pseudomorphic stress turns topologically tuned. We conclude that multiband-mixing and stress-induced events, are strong competitor mechanisms that can not be universally neglected by assuming a fixed-height V \mathrm eff, as a reliable none-mutable test-run input for layered systems. Our results may be of relevance for promising tunable heterostructure's design to enhance the hole mobility in semiconductor devices.
773.1.#.t: Revista Mexicana de Física; Vol 62, No 5 Sept-Oct (2016): 418-0
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Mendoza Álvarez, A.; Diago Cisneros, L.; Flores Godo, J. J.; Fernández Anaya, G.
Facultad de Ciencias, UNAM, publicado en Revista Mexicana de Física, y cosechado de Revistas UNAM
Mendoza Álvarez, A., et al. (2016). Simulating effective potential under strain for holes. Revista Mexicana de Física; Vol 62, No 5 Sept-Oct: 418-0. Recuperado de https://repositorio.unam.mx/contenidos/4107726