dor_id: 4107398

506.#.#.a: Público

590.#.#.d: Los artículos enviados a la Revista Mexicana de Física se someten a un estricto proceso de revisión llevado a cabo por árbitros anónimos, independientes y especializados en todo el mundo.

510.0.#.a: Consejo Nacional de Ciencia y Tecnología (CONACyT), Sistema Regional de Información en Línea para Revistas Científicas de América Latina, el Caribe, España y Portugal (Latindex), Scientific Electronic Library Online (SciELO), SCOPUS, Web Of Science (WoS)

561.#.#.u: http://www.fciencias.unam.mx/

650.#.4.x: Físico Matemáticas y Ciencias de la Tierra

336.#.#.b: info:eu-repo/semantics/article

336.#.#.3: Artículo de Investigación

336.#.#.a: Artículo

351.#.#.6: https://rmf.smf.mx/ojs/rmf/index

351.#.#.b: Revista Mexicana de Física

351.#.#.a: Artículos

harvesting_group: RevistasUNAM

270.1.#.p: Revistas UNAM. Dirección General de Publicaciones y Fomento Editorial, UNAM en revistas@unam.mx

590.#.#.c: Open Journal Systems (OJS)

270.#.#.d: MX

270.1.#.d: México

590.#.#.b: Concentrador

883.#.#.u: http://www.revistas.unam.mx/front/

883.#.#.a: Revistas UNAM

590.#.#.a: Coordinación de Difusión Cultural

883.#.#.1: http://www.publicaciones.unam.mx/

883.#.#.q: Dirección General de Publicaciones y Fomento Editorial, UNAM

850.#.#.a: Universidad Nacional Autónoma de México

856.4.0.u: https://rmf.smf.mx/ojs/rmf/article/view/4152/4119

100.1.#.a: Oubram, O.; Gaggero Sager, L. M.; Rodríguez Vargas.

524.#.#.a: Oubram, O., et al. (2015). Simple algebraic method to study the effects of hydrostatic pressure on the fundamental parameters of a Schottky barrier of metal/n-GaAs. Revista Mexicana de Física; Vol 61, No 4 Jul-Aug: 281-0. Recuperado de https://repositorio.unam.mx/contenidos/4107398

245.1.0.a: Simple algebraic method to study the effects of hydrostatic pressure on the fundamental parameters of a Schottky barrier of metal/n-GaAs

502.#.#.c: Universidad Nacional Autónoma de México

561.1.#.a: Facultad de Ciencias, UNAM

264.#.0.c: 2015

264.#.1.c: 2015-01-01

653.#.#.a: Hydrostatic pressure; Schottky barrier height; differential capacitance; algebraic method

506.1.#.a: La titularidad de los derechos patrimoniales de esta obra pertenece a las instituciones editoras. Su uso se rige por una licencia Creative Commons BY-NC-ND 4.0 Internacional, https://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/4.0/legalcode.es, fecha de asignación de la licencia 2015-01-01, para un uso diferente consultar al responsable jurídico del repositorio por medio de rmf@ciencias.unam.mx

884.#.#.k: https://rmf.smf.mx/ojs/rmf/article/view/4152

001.#.#.#: oai:ojs.rmf.smf.mx:article/4152

041.#.7.h: eng

520.3.#.a: The effects of hydrostatic pressure on the fundamental parameters of a Schottky barrier diode of metal/ n-GaAsare studied using a simple algebraic method. The method relies on the dependence of the parameters of the semiconductor (effective mass, dielectric constant and band gap) with the hydrostatic pressure. We obtain simple expressions for the Schottky Barrier Height, Background Density and Differential Capacity that account of the hydrostatic pressure readily. In particular, the Schottky Barrier Height expression agrees qualitatively with the experimental results available. The Differential Capacity expression depends directly on the effective mass, opening the possibility of determined the effective mass through capacitance measurements. Due to its simplicity the algebraic method could be useful in the design of devices that exploit hydrostatic pressure effects.

773.1.#.t: Revista Mexicana de Física; Vol 61, No 4 Jul-Aug (2015): 281-0

773.1.#.o: https://rmf.smf.mx/ojs/rmf/index

046.#.#.j: 2020-11-25 00:00:00.000000

022.#.#.a: 2683-2224 (digital); 0035-001X (impresa)

310.#.#.a: Bimestral

264.#.1.b: Sociedad Mexicana de Física, A.C.

758.#.#.1: https://rmf.smf.mx/ojs/rmf/index

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856.#.0.q: application/pdf

last_modified: 2020-11-27 00:00:00

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