dor_id: 1500263

506.#.#.a: Público

650.#.4.x: Biotecnología y Ciencias Agropecuarias

336.#.#.b: other

336.#.#.3: Registro de colección de proyectos

336.#.#.a: Registro de colección universitaria

351.#.#.b: Proyectos Universitarios PAPIIT (PAPIIT)

351.#.#.a: Colecciones Universitarias Digitales

harvesting_group: ColeccionesUniversitarias

270.1.#.p: Dirección General de Repositorios Universitarios. contacto@dgru.unam.mx

590.#.#.c: Otro

270.#.#.d: MX

270.1.#.d: México

590.#.#.b: Concentrador

883.#.#.u: https://datosabiertos.unam.mx/

883.#.#.a: Portal de Datos Abiertos UNAM, Colecciones Universitarias

590.#.#.a: Administración central

883.#.#.1: http://www.ccud.unam.mx/

883.#.#.q: Dirección General de Repositorios Universitarios

850.#.#.a: Universidad Nacional Autónoma de México

856.4.0.u: http://datosabiertos.unam.mx/DGAPA:PAPIIT:IN101509

100.1.#.a: Óscar Edel Contreras López

524.#.#.a: Dirección de Desarrollo Académico, Dirección General de Asuntos del Personal Académico (DGAPA). "Semiconductores luminiscentes nanoestructurados", Proyectos Universitarios PAPIIT (PAPIIT). En "Portal de datos abiertos UNAM" (en línea), México, Universidad Nacional Autónoma de México.

720.#.#.a: Óscar Edel Contreras López

245.1.0.a: Semiconductores luminiscentes nanoestructurados

502.#.#.c: Universidad Nacional Autónoma de México

561.1.#.a: Centro de Nanociencias y Nanotecnología, UNAM

264.#.0.c: 2009

264.#.1.c: 2009

307.#.#.a: 2019-05-23 18:40:21.491

653.#.#.a: Estado sólido; Física

506.1.#.a: La titularidad de los derechos patrimoniales de este recurso digital pertenece a la Universidad Nacional Autónoma de México. Su uso se rige por una licencia Creative Commons BY 4.0 Internacional, https://creativecommons.org/licenses/by/4.0/legalcode.es, fecha de asignación de la licencia 2009, para un uso diferente consultar al responsable jurídico del repositorio por medio de contacto@dgru.unam.mx

041.#.7.h: spa

500.#.#.a: Las aleaciones de nitruros del grupo III, galio (GaN), aluminio (AlN) e indio (InN), son materiales de muy alto interés tecnológico para la fabricación de dispositivos opto-electrónicos como lo son, lámparas para iluminación, los diodos emisores de luz (LEDs), diodos láser (LDs), transistores de potencia, celdas solares, etc. La aleación Al(x)Ga(y)In(1-x-y)N resulta en un semiconductor con una capacidad para emitir luz en todo el espectro electromagnético del rango visible. Desafortunadamente estos nitruros semiconductores no existen en forma natural y su síntesis en grandes volúmenes no se ha podido lograr para la fabricación de sustratos. Por lo que estos semiconductores solo se han podido sintetizar creciéndolos en forma de recubrimientos (películas) delgados sobre sustratos de otros materiales. Como resultado del hetero-crecimiento, la película semiconductora crece con muchos defectos cristalinos, lo cual va en detrimento de sus propiedades ópticas y electrónicas, propiedades muy importantes para el diseño de dispositivos opto-electrónicos. Muchos métodos de ingeniería de crecimiento se han desarrollado con el propósito de reducir los defectos cristalinos en las películas de nitruros semiconductores, dando como fruto la comercialización de los LEDs y LDs con emisiones en el azul y verde. Sin embargo muy poco se ha concretado sobre nuevos dispositivos opto-electrónicos a base GaN, utilizando nuevas formas de crecimiento como son los materiales nanoestructurados en forma de varillas. Recientemente se ha reportado en la literatura que una gran gama de materiales se pueden sintetizar a escala manométrica, tales como estructuras columnares (nano-varillas) y puntas de pirámide utilizando métodos como crecimiento catalítico, técnicas de litografía y procesos de auto-ensamblaje. Entre estos, el reciente desarrollo de la técnica de auto-ensamblaje de nano-varillas de oxido de cinc y nano-tubos de carbono, abre una oportunidad sin precedentes para la fabricación de nano-varillas de GaN, formadas sobre sustratos de silicio y zafiro, con una extremadamente alta calidad cristalina y una relativa facilidad en el control de tamaño de la nano-estructura. Este proyecto de investigación perseguirá la fabricación y estudio de nano-varillas de materiales semiconductores, utilizados en el área de los materiales luminiscentes.

046.#.#.j: 2019-11-14 12:26:40.706

264.#.1.b: Dirección General de Asuntos del Personal Académico

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856.#.0.q: text/html

last_modified: 2019-11-22 00:00:00

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No entro en nada

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