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No entro en nada

No entro en nada 2

Artículo

Resolución atómica de elementos ligeros utilizando HAADF y ABF-STEM con corrección de Cs y bajo voltaje

Esparza Muñoz, Rodrigo

Centro de Investigaciones Interdisciplinarias en Ciencias y Humanidades, UNAM; Instituto de Ciencias Aplicadas y Tecnología, UNAM; Centro de Nanociencias y Nanotecnología, UNAM, publicado en Mundo nano. Revista Interdisciplinaria en Nanociencias y Nanotecnología, y cosechado de Revistas UNAM

Licencia de uso

Procedencia del contenido

Cita

Esparza Muñoz, Rodrigo (2020). Resolución atómica de elementos ligeros utilizando HAADF y ABF-STEM con corrección de Cs y bajo voltaje. Mundo Nano. Revista Interdisciplinaria en Nanociencias y Nanotecnología; Vol. 13 Núm. 25, 2020: La dimensión nano en la microscopía electrónica; 45-60. Recuperado de https://repositorio.unam.mx/contenidos/4121900

Descripción del recurso

Autor(es)
Esparza Muñoz, Rodrigo
Tipo
Artículo de Investigación
Área del conocimiento
Multidisciplina
Título
Resolución atómica de elementos ligeros utilizando HAADF y ABF-STEM con corrección de Cs y bajo voltaje
Fecha
2020-07-02
Resumen
Microscopía electrónica de transmisión/barrido (STEM) ofrece información estructural y química del orden de 0.1 nm de resolución espacial, tal resolución es llevada a cabo mediante el corrector de aberración esférica. En el STEM, un haz de electrones es enfocado y escaneado sobre la muestra, por lo que la imagen es formada midiendo la señal electrónica que surge después de las interacciones electrones-muestra. La señal de los electrones dispersados puede ser empleada para obtener imágenes de campo claro y campo obscuro. El microscopio STEM es un poderoso instrumento para estudiar las propiedades físicas de las nanoestructuras, que requieren de un análisis estructural y químico a nivel atómico. Por lo tanto, STEM es una técnica capaz de identificar la posición de los átomos y las columnas atómicas. En este trabajo, los parámetros instrumentales básicos del microscopio antes de sus aplicaciones fueron evaluados. Además, imágenes experimentales de campo oscuro anular de alto ángulo (HAADF)-STEM y campo claro anular (ABF)-STEM de una muestra de LaAlO3 fueron obtenidas a bajos voltajes de operación y comparadas con imágenes simuladas obtenidas con el método de multicapas. Se encontró que las imágenes simuladas coinciden bien con las imágenes experimentales.
Idioma
spa
ISSN
ISSN electrónico: 2448-5691; ISSN impreso: 2007-5979

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