dor_id: 41497

506.#.#.a: Público

590.#.#.d: Los artículos enviados a la Revista Mexicana de Física se someten a un estricto proceso de revisión llevado a cabo por árbitros anónimos, independientes y especializados en todo el mundo.

510.0.#.a: Consejo Nacional de Ciencia y Tecnología (CONACyT), Sistema Regional de Información en Línea para Revistas Científicas de América Latina, el Caribe, España y Portugal (Latindex), Scientific Electronic Library Online (SciELO), SCOPUS, Web Of Science (WoS)

561.#.#.u: http://www.fciencias.unam.mx/

650.#.4.x: Físico Matemáticas y Ciencias de la Tierra

336.#.#.b: info:eu-repo/semantics/article

336.#.#.3: Artículo de Investigación

336.#.#.a: Artículo

351.#.#.6: http://revistas.unam.mx/index.php/rmf

351.#.#.b: Revista Mexicana de Física

351.#.#.a: Artículos

harvesting_group: RevistasUNAM

270.1.#.p: Revistas UNAM. Dirección General de Publicaciones y Fomento Editorial, UNAM en revistas@unam.mx

590.#.#.c: Open Journal Systems (OJS)

270.#.#.d: MX

270.1.#.d: México

590.#.#.b: Concentrador

883.#.#.u: http://www.revistas.unam.mx/front/

883.#.#.a: Revistas UNAM

590.#.#.a: Coordinación de Difusión Cultural

883.#.#.1: http://www.publicaciones.unam.mx/

883.#.#.q: Dirección General de Publicaciones y Fomento Editorial, UNAM

850.#.#.a: Universidad Nacional Autónoma de México

856.4.0.u: http://revistas.unam.mx/index.php/rmf/article/view/14342/13680

100.1.#.a: Hu, Hailin; Salinas, Óscar H.; Del Río, J. Antonio; Arenas, Mc.

524.#.#.a: Hu, Hailin, et al. (2008). Photovoltage and J-V features of porous silicon. Revista Mexicana de Física; Vol 54, No 005. Recuperado de https://repositorio.unam.mx/contenidos/41497

245.1.0.a: Photovoltage and J-V features of porous silicon

502.#.#.c: Universidad Nacional Autónoma de México

561.1.#.a: Facultad de Ciencias, UNAM

264.#.0.c: 2008

264.#.1.c: 2008-01-01

653.#.#.a: Porous silicon; photovoltage; electrical properties

506.1.#.a: La titularidad de los derechos patrimoniales de esta obra pertenece a las instituciones editoras. Su uso se rige por una licencia Creative Commons BY-NC-ND 4.0 Internacional, https://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/4.0/legalcode.es, fecha de asignación de la licencia 2008-01-01, para un uso diferente consultar al responsable jurídico del repositorio por medio de rmf@ciencias.unam.mx

884.#.#.k: http://revistas.unam.mx/index.php/rmf/article/view/14342

041.#.7.h: eng

520.3.#.a: In this paper we present a systematic study into the influenc of the electrical, structural and optical properties of the porous silicon (PS) layers on the photovoltage and J –V responses of devices prepared from this semiconductor material. Electronic devices were prepared forming a p- or n-type PS (pPS and nPS, respectively) layer on crystalline silicon c-Si (p- or n-type, pSi and nSi, respectively) substrate. Two different metals were deposited as contact electrodes. The devices’ electrical responses analyzed were their current density versus voltage (J-V) and photovoltaic. It was found that the presence of the pPS layer significantl modifie the electrical responses mentioned above of the pSi material. It means the optoelectronics properties of the pSi are modifie by the presence of the pPS layer; it can be understood in terms of the optical absorption spectra of PS. The nPS does not modify the optoelectronic properties of the nSi material. We propose an energy band diagram in order to explain the different behavior of these two different PS layers.

773.1.#.t: Revista Mexicana de Física; Vol 54, No 005 (2008)

773.1.#.o: http://revistas.unam.mx/index.php/rmf

046.#.#.j: 2020-11-25 00:00:00.000000

022.#.#.a: 2683-2224 (digital); 0035-001X (impresa)

310.#.#.a: Bimestral

264.#.1.b: Sociedad Mexicana de Física, A.C.

758.#.#.1: http://revistas.unam.mx/index.php/rmf

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856.#.0.q: application/pdf

last_modified: 2020-11-27 00:00:00

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No entro en nada

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