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Artículo

Performance Evaluation of an Integrated Optoelectronic Receiver

Vera Marquina, A.; Martínez Castillo, J.; Zaldívar Huerta, I. E.; Díaz Sánchez, A.

Instituto de Ciencias Aplicadas y Tecnología, UNAM, publicado en Journal of Applied Research and Technology, y cosechado de Revistas UNAM

Licencia de uso

Procedencia del contenido

Cita

Vera Marquina, A., et al. (2014). Performance Evaluation of an Integrated Optoelectronic Receiver. Journal of Applied Research and Technology; Vol. 12 Núm. 1. Recuperado de https://repositorio.unam.mx/contenidos/45674

Descripción del recurso

Autor(es)
Vera Marquina, A.; Martínez Castillo, J.; Zaldívar Huerta, I. E.; Díaz Sánchez, A.
Tipo
Artículo de Investigación
Área del conocimiento
Ingenierías
Título
Performance Evaluation of an Integrated Optoelectronic Receiver
Fecha
2014-02-01
Resumen
This work describes the optical and electrical characterization of an integrated optoelectronic receiver. The receiver iscomposed of a photodiode and a transimpedance amplifier, both fabricated in silicon technology using a 0.8 ?mBiCMOS process. The total area occupied by the photodiode is of 10,000 ?m2. In a first step, the generatedphotocurrent of the photodiode is measured for the wavelengths of 780 nm and 830 nm at different levels of opticalpower. In a second step, the responsivity and quantum efficiency parameters of the photodiode are computed. Finally,an electrical measurement including the transimpedance amplifier is achieved. A potential application for thisoptoelectronic receiver is on the first optical communications window.
Tema
Optoelectronic receiver; photodiode; optoelectronic integrated circuit; BiCMOS
Idioma
eng
ISSN
ISSN electrónico: 2448-6736; ISSN: 1665-6423

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