dor_id: 45674
506.#.#.a: Público
590.#.#.d: Los artículos enviados a la revista "Journal of Applied Research and Technology", se juzgan por medio de un proceso de revisión por pares
510.0.#.a: Scopus, Directory of Open Access Journals (DOAJ); Sistema Regional de Información en Línea para Revistas Científicas de América Latina, el Caribe, España y Portugal (Latindex); Indice de Revistas Latinoamericanas en Ciencias (Periódica); La Red de Revistas Científicas de América Latina y el Caribe, España y Portugal (Redalyc); Consejo Nacional de Ciencia y Tecnología (CONACyT); Google Scholar Citation
561.#.#.u: https://www.icat.unam.mx/
650.#.4.x: Ingenierías
336.#.#.b: article
336.#.#.3: Artículo de Investigación
336.#.#.a: Artículo
351.#.#.6: https://jart.icat.unam.mx/index.php/jart
351.#.#.b: Journal of Applied Research and Technology
351.#.#.a: Artículos
harvesting_group: RevistasUNAM
270.1.#.p: Revistas UNAM. Dirección General de Publicaciones y Fomento Editorial, UNAM en revistas@unam.mx
590.#.#.c: Open Journal Systems (OJS)
270.#.#.d: MX
270.1.#.d: México
590.#.#.b: Concentrador
883.#.#.u: https://revistas.unam.mx/catalogo/
883.#.#.a: Revistas UNAM
590.#.#.a: Coordinación de Difusión Cultural
883.#.#.1: https://www.publicaciones.unam.mx/
883.#.#.q: Dirección General de Publicaciones y Fomento Editorial
850.#.#.a: Universidad Nacional Autónoma de México
856.4.0.u: https://jart.icat.unam.mx/index.php/jart/article/view/241/238
100.1.#.a: Vera Marquina, A.; Martínez Castillo, J.; Zaldívar Huerta, I. E.; Díaz Sánchez, A.
524.#.#.a: Vera Marquina, A., et al. (2014). Performance Evaluation of an Integrated Optoelectronic Receiver. Journal of Applied Research and Technology; Vol. 12 Núm. 1. Recuperado de https://repositorio.unam.mx/contenidos/45674
245.1.0.a: Performance Evaluation of an Integrated Optoelectronic Receiver
502.#.#.c: Universidad Nacional Autónoma de México
561.1.#.a: Instituto de Ciencias Aplicadas y Tecnología, UNAM
264.#.0.c: 2014
264.#.1.c: 2014-02-01
653.#.#.a: Optoelectronic receiver; photodiode; optoelectronic integrated circuit; BiCMOS
506.1.#.a: La titularidad de los derechos patrimoniales de esta obra pertenece a las instituciones editoras. Su uso se rige por una licencia Creative Commons BY-NC-SA 4.0 Internacional, https://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/4.0/legalcode.es, para un uso diferente consultar al responsable jurídico del repositorio por medio del correo electrónico gabriel.ascanio@icat.unam.mx
884.#.#.k: https://jart.icat.unam.mx/index.php/jart/article/view/241
001.#.#.#: 074.oai:ojs2.localhost:article/241
041.#.7.h: eng
520.3.#.a: This work describes the optical and electrical characterization of an integrated optoelectronic receiver. The receiver iscomposed of a photodiode and a transimpedance amplifier, both fabricated in silicon technology using a 0.8 ?mBiCMOS process. The total area occupied by the photodiode is of 10,000 ?m2. In a first step, the generatedphotocurrent of the photodiode is measured for the wavelengths of 780 nm and 830 nm at different levels of opticalpower. In a second step, the responsivity and quantum efficiency parameters of the photodiode are computed. Finally,an electrical measurement including the transimpedance amplifier is achieved. A potential application for thisoptoelectronic receiver is on the first optical communications window.
773.1.#.t: Journal of Applied Research and Technology; Vol. 12 Núm. 1
773.1.#.o: https://jart.icat.unam.mx/index.php/jart
022.#.#.a: ISSN electrónico: 2448-6736; ISSN: 1665-6423
310.#.#.a: Bimestral
264.#.1.b: Instituto de Ciencias Aplicadas y Tecnología, UNAM
doi: https://doi.org/10.1016/S1665-6423(14)71604-9
harvesting_date: 2023-11-08 13:10:00.0
856.#.0.q: application/pdf
last_modified: 2024-03-19 14:00:00
license_url: https://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/4.0/legalcode.es
license_type: by-nc-sa
_deleted_conflicts: 2-982dc22c47fcad530d2b5e90b9c69d01
No entro en nada
No entro en nada 2