dor_id: 4161176

506.#.#.a: Público

590.#.#.d: Los artículos enviados a la ""Revista Mexicana de Física"" se someten a un estricto proceso de revisión llevado a cabo por árbitros anónimos, independientes y especializados en todo el mundo"

510.0.#.a: Consejo Nacional de Ciencia y Tecnología (CONACyT); Sistema Regional de Información en Línea para Revistas Científicas de América Latina, el Caribe, España y Portugal (Latindex); Scientific Electronic Library Online (SciELO); SCOPUS, Web Of Science (WoS)

561.#.#.u: http://www.fciencias.unam.mx/

650.#.4.x: Físico Matemáticas y Ciencias de la Tierra

336.#.#.b: article

336.#.#.3: Artículo de Investigación

336.#.#.a: Artículo

351.#.#.6: https://rmf.smf.mx/ojs/index.php/rmf

351.#.#.b: Revista Mexicana de Física

351.#.#.a: Artículos

harvesting_group: RevistasUNAM.116

270.1.#.p: Revistas UNAM. Dirección General de Publicaciones y Fomento Editorial, UNAM en revistas@unam.mx

590.#.#.c: Open Journal Systems (OJS)

270.#.#.d: MX

270.1.#.d: México

590.#.#.b: Concentrador

883.#.#.u: https://revistas.unam.mx/catalogo/

883.#.#.a: Revistas UNAM

590.#.#.a: Coordinación de Difusión Cultural

883.#.#.1: https://www.publicaciones.unam.mx/

883.#.#.q: Dirección General de Publicaciones y Fomento Editorial

850.#.#.a: Universidad Nacional Autónoma de México

856.4.0.u: https://rmf.smf.mx/ojs/index.php/rmf/article/view/7480/7052

100.1.#.a: Righi, A.; Bendahma, Fatima; Labdelli, A.; Mana, M.; Khenata, R.; Seddik, T.; Ugur, G.; Ahmed, W.

524.#.#.a: Righi, A., et al. (2025). New CaRbNaZ (Z=Si and Ge) semiconductor compounds suitable for photovoltaic and thermoelectric devices. Revista Mexicana de Física; Vol. 71 Núm. 1 Jan-Feb, 2025. Recuperado de https://repositorio.unam.mx/contenidos/4161176

245.1.0.a: New CaRbNaZ (Z=Si and Ge) semiconductor compounds suitable for photovoltaic and thermoelectric devices

502.#.#.c: Universidad Nacional Autónoma de México

561.1.#.a: Facultad de Ciencias, UNAM

264.#.0.c: 2025

264.#.1.c: 2025-01-01

653.#.#.a: Optical properties; absorption; photovoltaic cells; elastic constants; alternative green technology

506.1.#.a: La titularidad de los derechos patrimoniales de esta obra pertenece a las instituciones editoras. Su uso se rige por una licencia Creative Commons BY-NC-ND 4.0 Internacional, https://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/4.0/legalcode.es, para un uso diferente consultar al responsable jurídico del repositorio por medio del correo electrónico rmf@ciencias.unam.mx

884.#.#.k: https://rmf.smf.mx/ojs/index.php/rmf/article/view/7480

001.#.#.#: 116.oai:ojs2.rmf.smf.mx:article/7480

041.#.7.h: eng

520.3.#.a: Semiconductor compounds are a fascinating type of materials that have attracted the attention of scientists because of their ability to enhance green technology by efficiently converting, storing, and transmitting waste heat into electrical energy. This research aimed to investigate the structural, electronic, elastic, optical, and thermoelectric characteristics of newly developed Quaternary Heusler alloys (QHAs) CaRbNaZ (where Z represents Si and Ge). This was achieved using the generalized gradient approximation (GGA) and the Tran-Blaha modified Becke-Johnson (TB-mBJ) potential. For both approximations, CaRbNaSi and CaRbNaGe are found to be nonmagnetic semiconductors with band gaps varying in the range from 0.49 to 1.00 eV. The studied alloys additionally conform to the Slater-Pauling rule, exhibiting a specific magnetic moment of Mtot = 8 − Ztot for nonmagnetic behavior and, therefore, having a total magnetic of 0.00 µB. They possess an optical band gap comparable to the electronic band gap, along with significant absorption properties (90 × 104 and 103 × 104 cm−1 ) in visible and UV regions, respectively, proving that these compounds are promising materials for photovoltaic cells and UV radiation shields. The high merit factor values (0.76 and 0.80) at 300K confirm that CaRbNaZ (Z= Si and Ge) are suitable candidates for thermoelectric devices.

773.1.#.t: Revista Mexicana de Física; Vol. 71 Núm. 1 Jan-Feb (2025)

773.1.#.o: https://rmf.smf.mx/ojs/index.php/rmf

022.#.#.a: ISSN electrónico: 2683-2224; ISSN impreso: 0035-001X

310.#.#.a: Bimestral

599.#.#.a: 116

264.#.1.b: Facultad de Ciencias, UNAM; Sociedad Mexicana de Física

doi: https://doi.org/10.31349/RevMexFis.71.011001

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856.#.0.q: application/pdf

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