dor_id: 1500284
506.#.#.a: Público
650.#.4.x: Biotecnología y Ciencias Agropecuarias
336.#.#.b: other
336.#.#.3: Registro de colección de proyectos
336.#.#.a: Registro de colección universitaria
351.#.#.b: Proyectos Universitarios PAPIIT (PAPIIT)
351.#.#.a: Colecciones Universitarias Digitales
harvesting_group: ColeccionesUniversitarias
270.1.#.p: Dirección General de Repositorios Universitarios. contacto@dgru.unam.mx
590.#.#.c: Otro
270.#.#.d: MX
270.1.#.d: México
590.#.#.b: Concentrador
883.#.#.u: https://datosabiertos.unam.mx/
883.#.#.a: Portal de Datos Abiertos UNAM, Colecciones Universitarias
590.#.#.a: Administración central
883.#.#.1: http://www.ccud.unam.mx/
883.#.#.q: Dirección General de Repositorios Universitarios
850.#.#.a: Universidad Nacional Autónoma de México
856.4.0.u: http://datosabiertos.unam.mx/DGAPA:PAPIIT:IN102111
100.1.#.a: Manuel Herrera Zaldívar
524.#.#.a: Dirección de Desarrollo Académico, Dirección General de Asuntos del Personal Académico (DGAPA). "Nanohilos de ZnO y GaN. Síntesis y caracterización de su estructura electrónica, luminiscencia y conducción eléctrica", Proyectos Universitarios PAPIIT (PAPIIT). En "Portal de datos abiertos UNAM" (en línea), México, Universidad Nacional Autónoma de México.
720.#.#.a: Manuel Herrera Zaldívar
245.1.0.a: Nanohilos de ZnO y GaN. Síntesis y caracterización de su estructura electrónica, luminiscencia y conducción eléctrica
502.#.#.c: Universidad Nacional Autónoma de México
561.1.#.a: Centro de Nanociencias y Nanotecnología, UNAM
264.#.0.c: 2011
264.#.1.c: 2011
307.#.#.a: 2019-05-23 18:40:21.491
653.#.#.a: Estado sólido; Física
506.1.#.a: La titularidad de los derechos patrimoniales de este recurso digital pertenece a la Universidad Nacional Autónoma de México. Su uso se rige por una licencia Creative Commons BY 4.0 Internacional, https://creativecommons.org/licenses/by/4.0/legalcode.es, fecha de asignación de la licencia 2011, para un uso diferente consultar al responsable jurídico del repositorio por medio de contacto@dgru.unam.mx
041.#.7.h: spa
500.#.#.a: Como primera parte de este proyecto se propone crecer nanohilos de semiconductores con brecha de energía ancha tales como el ZnO, GaN y AlN, mediante las técnica de depósito físico de vapor (PVD) en alto vacío y el método hidrotermal. Se crecerán nanohilos con diferentes impurezas, tanto para modificar el tipo de portadores mayoritarios (donadores o aceptores), como impurezas magnéticas (Cr y Mn principalmente). Se pretende que el diámetro de estos nanohilos sea inferior a los 20 nm para que presenten efectos de confinamiento electrónico (quantum confinement). Como segunda parte del proyecto se propone usar las técnicas de Catodoluminiscencia (CL), Luminiscencia-Túnel y la espectroscopía túnel (STS) para estudiar las propiedades electrónicas y luminiscentes de los nanohilos sintetizados. La CL adaptada a un SEM permitirá adquirir espectros locales de luminiscencia en el rango de temperatura 10-300 K, en un rango de emisión entre 200 y 1500 nm (ultravioleta-infrarrojo). Se adquirirán además imágenes monocromáticas de la distribución espacial de la CL a lo largo de los nanohilos. Estas mediciones aportarán información relacionada con la distribución de los defectos puntuales presenten en los nanohilos, lo cual se correlacionará con los estudios de conducción eléctrica que realizaremos en nanohilos aislados mediante un micromanipulador de dos electrodos acoplado al SEM. Usaremos además la técnica de corriente inducida por el haz de electrones (EBIC) para adquirir información local de las recombinaciones e-h no-radiativas que puedan asociarse a defectos cristalinos en los nanohilos. _x000D_ La técnica de luminiscencia-túnel adaptada a un STM, operada por un sistema de conteo de fotones, permitirá también determinar localmente la luminiscencia en los nanohilos con la resolución atómica del STM. Estas mediciones se correlacionaran con los resultados a adquirir por CL. La técnica de espectroscopía túnel (STS) se usará en una cámara de ultra-alto-vacío (UHV) en el rango de temperaturas 100-300 K. Con esta técnica se determinarán los mapas de la densidad local de estados de en la superficie de los nanohilos. Esto permitirá determinar su estructura de bandas y los estados profundos asociados a defectos cristalinos e impurezas. Los resultados de CL, luminiscencia-túnel y STS nos permitirán proponer mecanismos de transición electrónica entre niveles y bandas de energía de los semiconductores en estudio. Finalmente, se usará la técnica de STM de spin polarizado (SP-STM) para determinar los efectos magnéticos producidos por las impurezas de Mn y Cr en la corriente túnel generada en los nanohilos. _x000D_ En este proyecto participamos un grupo joven del CNyN-UNAM compuesto por el momento por 4 estudiantes y 2 investigadores, con colaboraciones estables por más de 4 años a nivel nacional e internacional. Consideramos que nuestro grupo de investigación posee suficiente experiencia en el estudio de las propiedades ópticas y electrónicas de semiconductoras micro- y nano- estructurados por las técnicas de microscopía electrónica y microscopía túnel._x000D_
046.#.#.j: 2019-11-14 12:26:40.706
264.#.1.b: Dirección General de Asuntos del Personal Académico
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856.#.0.q: text/html
last_modified: 2019-11-22 00:00:00
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Centro de Nanociencias y Nanotecnología, UNAM, Portal de Datos Abiertos UNAM, Colecciones Universitarias
Dirección de Desarrollo Académico, Dirección General de Asuntos del Personal Académico (DGAPA). "Nanohilos de ZnO y GaN. Síntesis y caracterización de su estructura electrónica, luminiscencia y conducción eléctrica", Proyectos Universitarios PAPIIT (PAPIIT). En "Portal de datos abiertos UNAM" (en línea), México, Universidad Nacional Autónoma de México.
