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506.#.#.a: Público

650.#.4.x: Físico Matemáticas y Ciencias de la Tierra

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336.#.#.a: Registro de colección universitaria

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100.1.#.a: Aarón Sánchez Juárez

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720.#.#.a: Aarón Sánchez Juárez

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506.1.#.a: La titularidad de los derechos patrimoniales de este recurso digital pertenece a la Universidad Nacional Autónoma de México. Su uso se rige por una licencia Creative Commons BY 4.0 Internacional, https://creativecommons.org/licenses/by/4.0/legalcode.es, fecha de asignación de la licencia 2009, para un uso diferente consultar al responsable jurídico del repositorio por medio de contacto@dgru.unam.mx

041.#.7.h: spa

500.#.#.a: En el presente proyecto se presenta la metodología de elaboración de materiales semiconductores en película delgada así como la fabricación de estructuras tipo p-n mediante los procesos fisicoquímicos rocío piroilítico y depósito por vapor químico asistido por plasma. Se incluye la metodología para estudiar la manera que influyen los parámetros de depósito sobre las características físicas de los compuestos a producir, los que impactarán en las características eléctricas de las estructuras a realizar. Se pretende elaborar estructuras tipo p-n con los materiales SnSe y SnSe2, usando substratos pasivos y activos desde el punto de vista eléctrico. Se elaborarán y analizarán las características de transporte eléctrico a través de la unión para algunas de las estructuras siguientes: p-Si/n-SnSe2/metal (Sn, In, Au); n-Si/n-SnSe/Al; n-Si/p-SnSe:Ag/metal (Al); vidrio/n-SnO2/SnSe2/SnSe/Al. Se combinarán los materiales SnS y SnS2 obtenidos en proyectos anteriores con los actuales para analizar posibles inclusiones en nuevas estructuras. Se estudiará el efecto rectificador y el fotovoltaico en términos de los parámetros de depósito con el objeto de identificar mejoras y propuestas tecnológicas. La meta establecida es explorar y discernir el potencial de aplicación de los materiales SnS, SnS2, SnSe, SnSe2 en estructuras fotovoltaicas que ha la fecha no han sido estudiados ó el estudio en ellos ha sido mínimo y que los hemos considerado como materiales alternativos para usarse en celdas solares.

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No entro en nada

No entro en nada 2

Registro de colección universitaria

Materiales alternativos preparados por depósito por vapor químico y su aplicación en estructuras fotovoltaicas

Centro de Investigación en Energía, UNAM, Portal de Datos Abiertos UNAM, Colecciones Universitarias

Licencia de uso

Procedencia del contenido

Entidad o dependencia
Centro de Investigación en Energía, UNAM
Entidad o dependencia
Dirección General de Asuntos del Personal Académico
Acervo
Colecciones Universitarias Digitales
Repositorio
Contacto
Dirección General de Repositorios Universitarios. contacto@dgru.unam.mx

Cita

Dirección de Desarrollo Académico, Dirección General de Asuntos del Personal Académico (DGAPA). "Materiales alternativos preparados por depósito por vapor químico y su aplicación en estructuras fotovoltaicas", Proyectos Universitarios PAPIIT (PAPIIT). En "Portal de datos abiertos UNAM" (en línea), México, Universidad Nacional Autónoma de México.

Descripción del recurso

Título
Materiales alternativos preparados por depósito por vapor químico y su aplicación en estructuras fotovoltaicas
Colección
Proyectos Universitarios PAPIIT (PAPIIT)
Responsable
Aarón Sánchez Juárez
Fecha
2009
Descripción
En el presente proyecto se presenta la metodología de elaboración de materiales semiconductores en película delgada así como la fabricación de estructuras tipo p-n mediante los procesos fisicoquímicos rocío piroilítico y depósito por vapor químico asistido por plasma. Se incluye la metodología para estudiar la manera que influyen los parámetros de depósito sobre las características físicas de los compuestos a producir, los que impactarán en las características eléctricas de las estructuras a realizar. Se pretende elaborar estructuras tipo p-n con los materiales SnSe y SnSe2, usando substratos pasivos y activos desde el punto de vista eléctrico. Se elaborarán y analizarán las características de transporte eléctrico a través de la unión para algunas de las estructuras siguientes: p-Si/n-SnSe2/metal (Sn, In, Au); n-Si/n-SnSe/Al; n-Si/p-SnSe:Ag/metal (Al); vidrio/n-SnO2/SnSe2/SnSe/Al. Se combinarán los materiales SnS y SnS2 obtenidos en proyectos anteriores con los actuales para analizar posibles inclusiones en nuevas estructuras. Se estudiará el efecto rectificador y el fotovoltaico en términos de los parámetros de depósito con el objeto de identificar mejoras y propuestas tecnológicas. La meta establecida es explorar y discernir el potencial de aplicación de los materiales SnS, SnS2, SnSe, SnSe2 en estructuras fotovoltaicas que ha la fecha no han sido estudiados ó el estudio en ellos ha sido mínimo y que los hemos considerado como materiales alternativos para usarse en celdas solares.
Tema
Películas delgadas semiconductoras; Materiales
Identificador global
http://datosabiertos.unam.mx/DGAPA:PAPIIT:IN113409

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