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506.#.#.a: Público

650.#.4.x: Físico Matemáticas y Ciencias de la Tierra

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100.1.#.a:

524.#.#.a: Dirección de Desarrollo Académico, Dirección General de Asuntos del Personal Académico (DGAPA). "Investigación del hetero-apariamiento de los puntos cuánticos de PbS y GaAs con futuras aplicaciones en dispositivos ópticos nano-texturizados", Proyectos Universitarios PAPIIT (PAPIIT). En "Portal de datos abiertos UNAM" (en línea), México, Universidad Nacional Autónoma de México.

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502.#.#.c: Universidad Nacional Autónoma de México

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506.1.#.a: La titularidad de los derechos patrimoniales de este recurso digital pertenece a la Universidad Nacional Autónoma de México. Su uso se rige por una licencia Creative Commons BY 4.0 Internacional, https://creativecommons.org/licenses/by/4.0/legalcode.es, fecha de asignación de la licencia 2013, para un uso diferente consultar al responsable jurídico del repositorio por medio de contacto@dgru.unam.mx

041.#.7.h: spa

500.#.#.a: El proyecto trata sobre la preparación de puntos cuánticos de PbS sobre obleas de GaAs mediante spin-coating. Se escoge este método porque es una herramienta importante utilizada en la industria de semiconductores. Las investigaciones ópticas de las muestras a considerarse, se concentrarán en las propiedades de emisión a temperaturas ambiente y criogénica. El propósito de las medidas es encontrar relaciones entre la absorción y la relación clásica de Fan y de Roosbroeck y Shockley, para definir el desplazamiento de Stokes y la temperatura de Debye. El resultado previsto es encontrar una expresión teórica para el desplazamiento de Stokes en materia cuantizada. El desplazamiento de Stokes es de importancia crítica para la cromaticidad de la emisión de puntos cuánticos. La acumulación de datos experimentales mostrarán la influencia que tienen los puntos cuánticos en la emisión de las obleas de GaAs. Se remarca el hecho de que el estudio de la influencia de los puntos cuánticos en sustratos de GaAs es un campo nuevo en el área de semiconductores._x000D_ _x000D_ Los temas propuestos nunca han sido estudiados y facilitará el camino para una atractiva integración tecnológica de puntos cuánticos de PbS en circuitos integrados de GaAs._x000D_

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No entro en nada

No entro en nada 2

Registro de colección universitaria

Investigación del hetero-apariamiento de los puntos cuánticos de PbS y GaAs con futuras aplicaciones en dispositivos ópticos nano-texturizados

Instituto de Ciencias Físicas, UNAM, Portal de Datos Abiertos UNAM, Colecciones Universitarias

Licencia de uso

Procedencia del contenido

Entidad o dependencia
Instituto de Ciencias Físicas, UNAM
Entidad o dependencia
Dirección General de Asuntos del Personal Académico
Acervo
Colecciones Universitarias Digitales
Repositorio
Contacto
Dirección General de Repositorios Universitarios. contacto@dgru.unam.mx

Cita

Dirección de Desarrollo Académico, Dirección General de Asuntos del Personal Académico (DGAPA). "Investigación del hetero-apariamiento de los puntos cuánticos de PbS y GaAs con futuras aplicaciones en dispositivos ópticos nano-texturizados", Proyectos Universitarios PAPIIT (PAPIIT). En "Portal de datos abiertos UNAM" (en línea), México, Universidad Nacional Autónoma de México.

Descripción del recurso

Título
Investigación del hetero-apariamiento de los puntos cuánticos de PbS y GaAs con futuras aplicaciones en dispositivos ópticos nano-texturizados
Colección
Proyectos Universitarios PAPIIT (PAPIIT)
Fecha
2013
Descripción
El proyecto trata sobre la preparación de puntos cuánticos de PbS sobre obleas de GaAs mediante spin-coating. Se escoge este método porque es una herramienta importante utilizada en la industria de semiconductores. Las investigaciones ópticas de las muestras a considerarse, se concentrarán en las propiedades de emisión a temperaturas ambiente y criogénica. El propósito de las medidas es encontrar relaciones entre la absorción y la relación clásica de Fan y de Roosbroeck y Shockley, para definir el desplazamiento de Stokes y la temperatura de Debye. El resultado previsto es encontrar una expresión teórica para el desplazamiento de Stokes en materia cuantizada. El desplazamiento de Stokes es de importancia crítica para la cromaticidad de la emisión de puntos cuánticos. La acumulación de datos experimentales mostrarán la influencia que tienen los puntos cuánticos en la emisión de las obleas de GaAs. Se remarca el hecho de que el estudio de la influencia de los puntos cuánticos en sustratos de GaAs es un campo nuevo en el área de semiconductores._x000D_ _x000D_ Los temas propuestos nunca han sido estudiados y facilitará el camino para una atractiva integración tecnológica de puntos cuánticos de PbS en circuitos integrados de GaAs._x000D_
Tema
Nano-estructuras, puntos cuánticos; Física
Identificador global
http://datosabiertos.unam.mx/DGAPA:PAPIIT:TB100213

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