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351.#.#.b: Revista Mexicana de Física

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590.#.#.b: Concentrador

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850.#.#.a: Universidad Nacional Autónoma de México

856.4.0.u: http://revistas.unam.mx/index.php/rmf/article/view/14205/13542

100.1.#.a: Fragoso, R.; Conde Gallardo, A.; Guerrero, M.; Castillo, N.; Soto, A. B.

524.#.#.a: Fragoso, R., et al. (2006). Influence of the carrier gas in the growth kinetics of TiO2 films deposited by aerosol assisted chemical vapor deposition with titanium-diisopropoxide as precursor. Revista Mexicana de Física; Vol 52, No 005. Recuperado de https://repositorio.unam.mx/contenidos/41360

245.1.0.a: Influence of the carrier gas in the growth kinetics of TiO2 films deposited by aerosol assisted chemical vapor deposition with titanium-diisopropoxide as precursor

502.#.#.c: Universidad Nacional Autónoma de México

561.1.#.a: Facultad de Ciencias, UNAM

264.#.0.c: 2006

264.#.1.c: 2006-01-01

653.#.#.a: Growth mechanisms; TiO2 films; metal-organic chemical vapor deposition; spray pyrolysis

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520.3.#.a: Titanium dioxide thin films were deposited on crystalline silicon (100) substrates by delivering a liquid aerosol of titanium-diisopropoxide and by using oxygen and nitrogen as carrier gases. The crystalline and morphological features indicate that the films are deposited by a metal organic chemical vapor deposition process. This is strongly supported by the behavior of the growth rate rg as a function of the deposition temperature, which indicates that the film formation is limited by both, the diffusion in gas phase of the precursor species to the surface substrate and reaction of those species at that surface. Even though the rg line shape does not depend on the kind of carrier gas used to transport the aerosol, its absolute value and the activation energy EA that characterizes the surface reaction do. A fitting procedure to an equation that takes into account both limiting mechanisms (gas phase diffusion and surface reaction) yields: EA ∼=26.4 kJ/mol or EA=21.4 kJ/mol when oxygen or nitrogen is employed as carrier gas, respectively.

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310.#.#.a: Bimestral

264.#.1.b: Sociedad Mexicana de Física, A.C.

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Artículo

Influence of the carrier gas in the growth kinetics of TiO2 films deposited by aerosol assisted chemical vapor deposition with titanium-diisopropoxide as precursor

Fragoso, R.; Conde Gallardo, A.; Guerrero, M.; Castillo, N.; Soto, A. B.

Facultad de Ciencias, UNAM, publicado en Revista Mexicana de Física, y cosechado de Revistas UNAM

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Facultad de Ciencias, UNAM
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Revistas UNAM. Dirección General de Publicaciones y Fomento Editorial, UNAM en revistas@unam.mx

Cita

Fragoso, R., et al. (2006). Influence of the carrier gas in the growth kinetics of TiO2 films deposited by aerosol assisted chemical vapor deposition with titanium-diisopropoxide as precursor. Revista Mexicana de Física; Vol 52, No 005. Recuperado de https://repositorio.unam.mx/contenidos/41360

Descripción del recurso

Autor(es)
Fragoso, R.; Conde Gallardo, A.; Guerrero, M.; Castillo, N.; Soto, A. B.
Tipo
Artículo de Investigación
Área del conocimiento
Físico Matemáticas y Ciencias de la Tierra
Título
Influence of the carrier gas in the growth kinetics of TiO2 films deposited by aerosol assisted chemical vapor deposition with titanium-diisopropoxide as precursor
Fecha
2006-01-01
Resumen
Titanium dioxide thin films were deposited on crystalline silicon (100) substrates by delivering a liquid aerosol of titanium-diisopropoxide and by using oxygen and nitrogen as carrier gases. The crystalline and morphological features indicate that the films are deposited by a metal organic chemical vapor deposition process. This is strongly supported by the behavior of the growth rate rg as a function of the deposition temperature, which indicates that the film formation is limited by both, the diffusion in gas phase of the precursor species to the surface substrate and reaction of those species at that surface. Even though the rg line shape does not depend on the kind of carrier gas used to transport the aerosol, its absolute value and the activation energy EA that characterizes the surface reaction do. A fitting procedure to an equation that takes into account both limiting mechanisms (gas phase diffusion and surface reaction) yields: EA ∼=26.4 kJ/mol or EA=21.4 kJ/mol when oxygen or nitrogen is employed as carrier gas, respectively.
Tema
Growth mechanisms; TiO2 films; metal-organic chemical vapor deposition; spray pyrolysis
Idioma
eng
ISSN
2683-2224 (digital); 0035-001X (impresa)

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