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022.#.#.a: 2683-2224 (digital); 0035-001X (impresa)

310.#.#.a: Bimestral

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Artículo

Impact of the base doping concentration on the transport mechanisms in n-type a-SiGe:H/p-type c-Silicon Heterojunctions

Zúñiga-islas, C.; Torres-jacome, A.; Rosales-Quintero, P.; Moreno-Moreno, M.; Calleja-Arriaga, W.; Molina-Reyes, J.; Hidalga Wade, F. J. de la

Facultad de Ciencias, UNAM, publicado en Revista Mexicana de Física, y cosechado de Revistas UNAM

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Revistas UNAM. Dirección General de Publicaciones y Fomento Editorial, UNAM en revistas@unam.mx

Cita

Zúñiga-islas, C., et al. (2011). Impact of the base doping concentration on the transport mechanisms in n-type a-SiGe:H/p-type c-Silicon Heterojunctions. Revista Mexicana de Física; Vol 57, No 002. Recuperado de https://repositorio.unam.mx/contenidos/41669

Descripción del recurso

Autor(es)
Zúñiga-islas, C.; Torres-jacome, A.; Rosales-Quintero, P.; Moreno-Moreno, M.; Calleja-Arriaga, W.; Molina-Reyes, J.; Hidalga Wade, F. J. de la
Tipo
Artículo de Investigación
Área del conocimiento
Físico Matemáticas y Ciencias de la Tierra
Título
Impact of the base doping concentration on the transport mechanisms in n-type a-SiGe:H/p-type c-Silicon Heterojunctions
Fecha
2011-05-23
Resumen
The charge transport mechanisms occurring in n-type a-SiGe:H on p-type c-Si heterojunctions were determined by analyzing the temperature dependence of the current-voltage characteristics in structures with four different peak base doping concentrations (NB = 1×1015, 7×1016 ,7×1017 and 5×1018 cm−3). From the experimental results, we observed that at low forward bias (V< 0.45V) the current is determinedby electron diffusion from the n-type amorphous film to the p-type c-Si for the heterojunction with NB = 1×1015cm−3, whereas the Multi- Tunneling Capture Emission (MTCE) was identified as the main transport mechanism for the other base doping concentrations. On theother hand, at high forward bias (V> 0.45V), the space charge limited current effect became the dominant transport mechanism for all the measured devices. Under reverse bias the transport mechanisms depends on the peak base doping, going from carrier generation inside the space charge region for the lowest doping, to hopping and thermionic field emission as the base doping concentration is increased.
Tema
Amorphous semiconductors; heterojunction diodes; transport mechanisms; base doping concentration
Idioma
eng
ISSN
2683-2224 (digital); 0035-001X (impresa)

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