dor_id: 41669
506.#.#.a: Público
590.#.#.d: Los artículos enviados a la Revista Mexicana de Física se someten a un estricto proceso de revisión llevado a cabo por árbitros anónimos, independientes y especializados en todo el mundo.
510.0.#.a: Consejo Nacional de Ciencia y Tecnología (CONACyT), Sistema Regional de Información en Línea para Revistas Científicas de América Latina, el Caribe, España y Portugal (Latindex), Scientific Electronic Library Online (SciELO), SCOPUS, Web Of Science (WoS)
561.#.#.u: http://www.fciencias.unam.mx/
650.#.4.x: Físico Matemáticas y Ciencias de la Tierra
336.#.#.b: info:eu-repo/semantics/article
336.#.#.3: Artículo de Investigación
336.#.#.a: Artículo
351.#.#.6: http://revistas.unam.mx/index.php/rmf
351.#.#.b: Revista Mexicana de Física
351.#.#.a: Artículos
harvesting_group: RevistasUNAM
270.1.#.p: Revistas UNAM. Dirección General de Publicaciones y Fomento Editorial, UNAM en revistas@unam.mx
590.#.#.c: Open Journal Systems (OJS)
270.#.#.d: MX
270.1.#.d: México
590.#.#.b: Concentrador
883.#.#.u: http://www.revistas.unam.mx/front/
883.#.#.a: Revistas UNAM
590.#.#.a: Coordinación de Difusión Cultural
883.#.#.1: http://www.publicaciones.unam.mx/
883.#.#.q: Dirección General de Publicaciones y Fomento Editorial, UNAM
850.#.#.a: Universidad Nacional Autónoma de México
856.4.0.u: http://revistas.unam.mx/index.php/rmf/article/view/25229/23711
100.1.#.a: Zúñiga-islas, C.; Torres-jacome, A.; Rosales-Quintero, P.; Moreno-Moreno, M.; Calleja-Arriaga, W.; Molina-Reyes, J.; Hidalga Wade, F. J. de la
524.#.#.a: Zúñiga-islas, C., et al. (2011). Impact of the base doping concentration on the transport mechanisms in n-type a-SiGe:H/p-type c-Silicon Heterojunctions. Revista Mexicana de Física; Vol 57, No 002. Recuperado de https://repositorio.unam.mx/contenidos/41669
245.1.0.a: Impact of the base doping concentration on the transport mechanisms in n-type a-SiGe:H/p-type c-Silicon Heterojunctions
502.#.#.c: Universidad Nacional Autónoma de México
561.1.#.a: Facultad de Ciencias, UNAM
264.#.0.c: 2011
264.#.1.c: 2011-05-23
653.#.#.a: Amorphous semiconductors; heterojunction diodes; transport mechanisms; base doping concentration
506.1.#.a: La titularidad de los derechos patrimoniales de esta obra pertenece a las instituciones editoras. Su uso se rige por una licencia Creative Commons BY-NC-ND 4.0 Internacional, https://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/4.0/legalcode.es, fecha de asignación de la licencia 2011-05-23, para un uso diferente consultar al responsable jurídico del repositorio por medio de rmf@ciencias.unam.mx
884.#.#.k: http://revistas.unam.mx/index.php/rmf/article/view/25229
041.#.7.h: eng
520.3.#.a: The charge transport mechanisms occurring in n-type a-SiGe:H on p-type c-Si heterojunctions were determined by analyzing the temperature dependence of the current-voltage characteristics in structures with four different peak base doping concentrations (NB = 1×1015, 7×1016 ,7×1017 and 5×1018 cm−3). From the experimental results, we observed that at low forward bias (V< 0.45V) the current is determinedby electron diffusion from the n-type amorphous film to the p-type c-Si for the heterojunction with NB = 1×1015cm−3, whereas the Multi- Tunneling Capture Emission (MTCE) was identified as the main transport mechanism for the other base doping concentrations. On theother hand, at high forward bias (V> 0.45V), the space charge limited current effect became the dominant transport mechanism for all the measured devices. Under reverse bias the transport mechanisms depends on the peak base doping, going from carrier generation inside the space charge region for the lowest doping, to hopping and thermionic field emission as the base doping concentration is increased.
773.1.#.t: Revista Mexicana de Física; Vol 57, No 002 (2011)
773.1.#.o: http://revistas.unam.mx/index.php/rmf
046.#.#.j: 2020-11-25 00:00:00.000000
022.#.#.a: 2683-2224 (digital); 0035-001X (impresa)
310.#.#.a: Bimestral
264.#.1.b: Sociedad Mexicana de Física, A.C.
758.#.#.1: http://revistas.unam.mx/index.php/rmf
handle: 38694a539c31c05b
harvesting_date: 2020-09-23 00:00:00.0
856.#.0.q: application/pdf
last_modified: 2020-11-27 00:00:00
license_url: https://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/4.0/legalcode.es
license_type: by-nc-nd
_deleted_conflicts: 6-05c1c7552fc4d48ab51f6099cb29df49,2-91cb76763c28ebf77594da6c98edbf0f
No entro en nada
No entro en nada 2