Hall effect: the role of nonequilibrium charge carriers
Molina Valdovinos, S.; Gurevich, Yu. G.
Facultad de Ciencias, UNAM, publicado en Revista Mexicana de Física, y cosechado de Revistas UNAM
dor_id: 41705
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100.1.#.a: Molina Valdovinos, S.; Gurevich, Yu. G.
524.#.#.a: Molina Valdovinos, S., et al. (2011). Hall effect: the role of nonequilibrium charge carriers. Revista Mexicana de Física; Vol 57, No 004. Recuperado de https://repositorio.unam.mx/contenidos/41705
245.1.0.a: Hall effect: the role of nonequilibrium charge carriers
502.#.#.c: Universidad Nacional Autónoma de México
561.1.#.a: Facultad de Ciencias, UNAM
264.#.0.c: 2011
264.#.1.c: 2011-08-15
653.#.#.a: Galvanomagnetic phenomena; bipolar semiconductors; recombination; Hall effect
506.1.#.a: La titularidad de los derechos patrimoniales de esta obra pertenece a las instituciones editoras. Su uso se rige por una licencia Creative Commons BY-NC-ND 4.0 Internacional, https://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/4.0/legalcode.es, fecha de asignación de la licencia 2011-08-15, para un uso diferente consultar al responsable jurídico del repositorio por medio de rmf@ciencias.unam.mx
884.#.#.k: http://revistas.unam.mx/index.php/rmf/article/view/26656
041.#.7.h: eng
520.3.#.a: A new model of the Hall effect in the case of a bipolar semiconductor is present. Taking into account the nonequilibrium carriers, thermalgeneration and recombination processes assisted by traps (Shockley-Read model), the expressions for the electrochemical potential of elec- trons and holes, Hall field and Hall constant RH are obtained. The dependence of these expressions of the distribution of the carriers alongthe direction of the Hall field in the case of intrinsic and extrinsic semiconductors is studied.
773.1.#.t: Revista Mexicana de Física; Vol 57, No 004 (2011)
773.1.#.o: http://revistas.unam.mx/index.php/rmf
046.#.#.j: 2020-11-25 00:00:00.000000
022.#.#.a: 2683-2224 (digital); 0035-001X (impresa)
310.#.#.a: Bimestral
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Molina Valdovinos, S.; Gurevich, Yu. G.
Facultad de Ciencias, UNAM, publicado en Revista Mexicana de Física, y cosechado de Revistas UNAM
Molina Valdovinos, S., et al. (2011). Hall effect: the role of nonequilibrium charge carriers. Revista Mexicana de Física; Vol 57, No 004. Recuperado de https://repositorio.unam.mx/contenidos/41705