dor_id: 41705

506.#.#.a: Público

590.#.#.d: Los artículos enviados a la Revista Mexicana de Física se someten a un estricto proceso de revisión llevado a cabo por árbitros anónimos, independientes y especializados en todo el mundo.

510.0.#.a: Consejo Nacional de Ciencia y Tecnología (CONACyT), Sistema Regional de Información en Línea para Revistas Científicas de América Latina, el Caribe, España y Portugal (Latindex), Scientific Electronic Library Online (SciELO), SCOPUS, Web Of Science (WoS)

561.#.#.u: http://www.fciencias.unam.mx/

650.#.4.x: Físico Matemáticas y Ciencias de la Tierra

336.#.#.b: info:eu-repo/semantics/article

336.#.#.3: Artículo de Investigación

336.#.#.a: Artículo

351.#.#.6: http://revistas.unam.mx/index.php/rmf

351.#.#.b: Revista Mexicana de Física

351.#.#.a: Artículos

harvesting_group: RevistasUNAM

270.1.#.p: Revistas UNAM. Dirección General de Publicaciones y Fomento Editorial, UNAM en revistas@unam.mx

590.#.#.c: Open Journal Systems (OJS)

270.#.#.d: MX

270.1.#.d: México

590.#.#.b: Concentrador

883.#.#.u: http://www.revistas.unam.mx/front/

883.#.#.a: Revistas UNAM

590.#.#.a: Coordinación de Difusión Cultural

883.#.#.1: http://www.publicaciones.unam.mx/

883.#.#.q: Dirección General de Publicaciones y Fomento Editorial, UNAM

850.#.#.a: Universidad Nacional Autónoma de México

856.4.0.u: http://revistas.unam.mx/index.php/rmf/article/view/26656/24975

100.1.#.a: Molina Valdovinos, S.; Gurevich, Yu. G.

524.#.#.a: Molina Valdovinos, S., et al. (2011). Hall effect: the role of nonequilibrium charge carriers. Revista Mexicana de Física; Vol 57, No 004. Recuperado de https://repositorio.unam.mx/contenidos/41705

245.1.0.a: Hall effect: the role of nonequilibrium charge carriers

502.#.#.c: Universidad Nacional Autónoma de México

561.1.#.a: Facultad de Ciencias, UNAM

264.#.0.c: 2011

264.#.1.c: 2011-08-15

653.#.#.a: Galvanomagnetic phenomena; bipolar semiconductors; recombination; Hall effect

506.1.#.a: La titularidad de los derechos patrimoniales de esta obra pertenece a las instituciones editoras. Su uso se rige por una licencia Creative Commons BY-NC-ND 4.0 Internacional, https://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/4.0/legalcode.es, fecha de asignación de la licencia 2011-08-15, para un uso diferente consultar al responsable jurídico del repositorio por medio de rmf@ciencias.unam.mx

884.#.#.k: http://revistas.unam.mx/index.php/rmf/article/view/26656

041.#.7.h: eng

520.3.#.a: A new model of the Hall effect in the case of a bipolar semiconductor is present. Taking into account the nonequilibrium carriers, thermalgeneration and recombination processes assisted by traps (Shockley-Read model), the expressions for the electrochemical potential of elec- trons and holes, Hall field and Hall constant RH are obtained. The dependence of these expressions of the distribution of the carriers alongthe direction of the Hall field in the case of intrinsic and extrinsic semiconductors is studied.

773.1.#.t: Revista Mexicana de Física; Vol 57, No 004 (2011)

773.1.#.o: http://revistas.unam.mx/index.php/rmf

046.#.#.j: 2020-11-25 00:00:00.000000

022.#.#.a: 2683-2224 (digital); 0035-001X (impresa)

310.#.#.a: Bimestral

264.#.1.b: Sociedad Mexicana de Física, A.C.

758.#.#.1: http://revistas.unam.mx/index.php/rmf

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856.#.0.q: application/pdf

last_modified: 2020-11-27 00:00:00

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No entro en nada

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