dor_id: 41765

506.#.#.a: Público

590.#.#.d: Los artículos enviados a la Revista Mexicana de Física se someten a un estricto proceso de revisión llevado a cabo por árbitros anónimos, independientes y especializados en todo el mundo.

510.0.#.a: Consejo Nacional de Ciencia y Tecnología (CONACyT), Sistema Regional de Información en Línea para Revistas Científicas de América Latina, el Caribe, España y Portugal (Latindex), Scientific Electronic Library Online (SciELO), SCOPUS, Web Of Science (WoS)

561.#.#.u: http://www.fciencias.unam.mx/

650.#.4.x: Físico Matemáticas y Ciencias de la Tierra

336.#.#.b: info:eu-repo/semantics/article

336.#.#.3: Artículo de Investigación

336.#.#.a: Artículo

351.#.#.6: http://revistas.unam.mx/index.php/rmf

351.#.#.b: Revista Mexicana de Física

351.#.#.a: Artículos

harvesting_group: RevistasUNAM

270.1.#.p: Revistas UNAM. Dirección General de Publicaciones y Fomento Editorial, UNAM en revistas@unam.mx

590.#.#.c: Open Journal Systems (OJS)

270.#.#.d: MX

270.1.#.d: México

590.#.#.b: Concentrador

883.#.#.u: http://www.revistas.unam.mx/front/

883.#.#.a: Revistas UNAM

590.#.#.a: Coordinación de Difusión Cultural

883.#.#.1: http://www.publicaciones.unam.mx/

883.#.#.q: Dirección General de Publicaciones y Fomento Editorial, UNAM

850.#.#.a: Universidad Nacional Autónoma de México

856.4.0.u: http://revistas.unam.mx/index.php/rmf/article/view/31833/29401

100.1.#.a: Pérez Caro, M.; Rodríguez, A. G.; López Luna, E.; Vidal, M. A.; Navarro Contreras, H.

524.#.#.a: Pérez Caro, M., et al. (2012). Growth and characterization of β-InN films on MgO: the key role of a β-GaN buffer layer in growing cubic InN. Revista Mexicana de Física; Vol 58, No 002. Recuperado de https://repositorio.unam.mx/contenidos/41765

245.1.0.a: Growth and characterization of β-InN films on MgO: the key role of a β-GaN buffer layer in growing cubic InN

502.#.#.c: Universidad Nacional Autónoma de México

561.1.#.a: Facultad de Ciencias, UNAM

264.#.0.c: 2012

264.#.1.c: 2012-05-09

653.#.#.a: A3; Molecular beam epitaxy; B2; semiconducting III V; materials B1; nitrides; cubic indium nitride

506.1.#.a: La titularidad de los derechos patrimoniales de esta obra pertenece a las instituciones editoras. Su uso se rige por una licencia Creative Commons BY-NC-ND 4.0 Internacional, https://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/4.0/legalcode.es, fecha de asignación de la licencia 2012-05-09, para un uso diferente consultar al responsable jurídico del repositorio por medio de rmf@ciencias.unam.mx

884.#.#.k: http://revistas.unam.mx/index.php/rmf/article/view/31833

041.#.7.h: eng

520.3.#.a: Cubic InN samples were grown on MgO (001) substrates by gas source molecular beam epitaxy (GSMBE). In general, we find that InN directly deposited onto the MgO substrate results in polycrystalline or columnar films of hexagonal symmetry. We find that adequate conditions to grow the cubic phase of this compound require the growth of an initial cubic GaN buffer interlayer (β-tGaN) on the MgO surface. Subsequently, the growth conditions were optimized to obtain good photoluminescence (PL) emission. The resultant InN growth is mostly cubic, with very small hexagonal inclusions, as confirmed by X-ray diffraction (XRD) and scanning electron microscopy (SEM) studies. Good crystalline quality requires that the samples to be grown under rich Indium metal flux. The cubic β-tInN/GaN/MgO samples exhibit a high signal to noise ratio for PL at low temperatures (20 K). The PL is centered at 0.75 eV and persists at room temperature.

773.1.#.t: Revista Mexicana de Física; Vol 58, No 002 (2012)

773.1.#.o: http://revistas.unam.mx/index.php/rmf

046.#.#.j: 2020-11-25 00:00:00.000000

022.#.#.a: 2683-2224 (digital); 0035-001X (impresa)

310.#.#.a: Bimestral

264.#.1.b: Sociedad Mexicana de Física, A.C.

758.#.#.1: http://revistas.unam.mx/index.php/rmf

handle: 3c7acec85dc788c9

harvesting_date: 2020-09-23 00:00:00.0

856.#.0.q: application/pdf

last_modified: 2020-11-27 00:00:00

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No entro en nada

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