Generación de estados de superficies y atrapamiento de carga en películas de SiO2
Salas, F. H.; Falcon, C.
Facultad de Ciencias, UNAM, publicado en Revista Mexicana de Física, y cosechado de Revistas UNAM
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506.#.#.a: Público
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561.#.#.u: http://www.fciencias.unam.mx/
650.#.4.x: Físico Matemáticas y Ciencias de la Tierra
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336.#.#.3: Artículo de Investigación
336.#.#.a: Artículo
351.#.#.6: https://rmf.smf.mx/ojs/rmf/index
351.#.#.b: Revista Mexicana de Física
351.#.#.a: Artículos
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270.1.#.p: Revistas UNAM. Dirección General de Publicaciones y Fomento Editorial, UNAM en revistas@unam.mx
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270.1.#.d: México
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850.#.#.a: Universidad Nacional Autónoma de México
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100.1.#.a: Salas, F. H.; Falcon, C.
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245.1.0.a: Generación de estados de superficies y atrapamiento de carga en películas de SiO2
502.#.#.c: Universidad Nacional Autónoma de México
561.1.#.a: Facultad de Ciencias, UNAM
264.#.0.c: 1985
264.#.1.c: 1985-01-01
506.1.#.a: La titularidad de los derechos patrimoniales de esta obra pertenece a las instituciones editoras. Su uso se rige por una licencia Creative Commons BY-NC-ND 4.0 Internacional, https://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/4.0/legalcode.es, fecha de asignación de la licencia 1985-01-01, para un uso diferente consultar al responsable jurídico del repositorio por medio de rmf@ciencias.unam.mx
884.#.#.k: https://rmf.smf.mx/ojs/rmf/article/view/1882
001.#.#.#: oai:ojs.rmf.smf.mx:article/1882
041.#.7.h: spa
520.3.#.a: Se ha estudiado la generación de estados electrónicos interfaciales en estructuras del tipo metal-oxido-semiconductor sometidas a inyección de carga eléctrica. Se ha encontrado un pico en la densidad de esta dos a aproximadamente 0.6 eV sobre el tope de la banda de valencia. Este pico es similar al observado en muestras que han sido previamente sometídas a daños por radiación. Así mismo, se observó una acumulación de carga positiva en el Si02.
773.1.#.t: Revista Mexicana de Física; Vol 32, No 2 (1985): 253-260
773.1.#.o: https://rmf.smf.mx/ojs/rmf/index
046.#.#.j: 2020-11-25 00:00:00.000000
022.#.#.a: 2683-2224 (digital); 0035-001X (impresa)
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Salas, F. H.; Falcon, C.
Facultad de Ciencias, UNAM, publicado en Revista Mexicana de Física, y cosechado de Revistas UNAM
Salas, F. H., et al. (1985). Generación de estados de superficies y atrapamiento de carga en películas de SiO2. Revista Mexicana de Física; Vol 32, No 2: 253-260. Recuperado de https://repositorio.unam.mx/contenidos/4108079