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Artículo

Gaussian superlattice in GaAs/GaInNAs solar cells

Cabrera, C. I.; Contreras Solorio, D. A.; Hernandez, L.; Enciso, A.; C, J.

Facultad de Ciencias, UNAM, publicado en Revista Mexicana de Física, y cosechado de Revistas UNAM

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Procedencia del contenido

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Facultad de Ciencias, UNAM
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Contacto
Revistas UNAM. Dirección General de Publicaciones y Fomento Editorial, UNAM en revistas@unam.mx

Cita

Cabrera, C. I., et al. (2017). Gaussian superlattice in GaAs/GaInNAs solar cells. Revista Mexicana de Física; Vol 63, No 3 May-Jun: 223-0. Recuperado de https://repositorio.unam.mx/contenidos/4107766

Descripción del recurso

Autor(es)
Cabrera, C. I.; Contreras Solorio, D. A.; Hernandez, L.; Enciso, A.; C, J.
Tipo
Artículo de Investigación
Área del conocimiento
Físico Matemáticas y Ciencias de la Tierra
Título
Gaussian superlattice in GaAs/GaInNAs solar cells
Fecha
2017-01-01
Resumen
We present a new type of photovoltaic device where Gaussian superlattice is inserted in the i-region of a GaAs/GaInNAs p-i-n solar cell. A theoretical model is developed to study the performance of these devices. We establish a new criterion to calculate miniband widths in superlattice heterostructures in the presence of electric field. By optimizing miniband width, the spectral response of the cell in the energy region below the absorption edge of host material is significantly enhanced. Our results show that these devices could reach higher conversion efficiencies than the single-gap solar cell.
Tema
Modeling; superlattice; solar cell
Idioma
eng
ISSN
2683-2224 (digital); 0035-001X (impresa)

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