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Artículo

Fuerza termoelectromotriz en semiconductores bipolares: nuevo punto de vista

Gurevich, Yu.; Ortiz, A.

Facultad de Ciencias, UNAM, publicado en Revista Mexicana de Física, y cosechado de Revistas UNAM

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Procedencia del contenido

Entidad o dependencia
Facultad de Ciencias, UNAM
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Revistas UNAM. Dirección General de Publicaciones y Fomento Editorial, UNAM en revistas@unam.mx

Cita

Gurevich, Yu., et al. (2003). Fuerza termoelectromotriz en semiconductores bipolares: nuevo punto de vista. Revista Mexicana de Física; Vol 49, No 2: 115-0. Recuperado de https://repositorio.unam.mx/contenidos/40832

Descripción del recurso

Autor(es)
Gurevich, Yu.; Ortiz, A.
Tipo
Artículo de Investigación
Área del conocimiento
Físico Matemáticas y Ciencias de la Tierra
Título
Fuerza termoelectromotriz en semiconductores bipolares: nuevo punto de vista
Fecha
2003-01-01
Resumen
We present a new method for calculating the thermoelectromotive force in bipolar semiconductors within the linear approximation to the theory, taking into account the non-equilibrium charge carriers generated in the sample when the temperature field is applied. For the first time it is precisely defined which are the non-equilibrium charge carriers and how to write the Poisson equation to take them into account. For the first time it is taken into account the term that is proportional to the local change in temperature produced by the gradient of temperature, in the expression for the recombination rate to calculate the thermoelectromotive force given the result that this and the semiconductor's resistance do not depend solely on traditional parameters such as electric conductivities and thermoelectric powers of electrons and holes, but do depend also on surface and bulk recombination rates as well.
Tema
Thermoelectromotive force (Termo-emf); Seebeck effect; Thermoelectric power; contact phenomena between metal, semiconductor; recombination rates; quasineutrality condition
Idioma
eng
ISSN
2683-2224 (digital); 0035-001X (impresa)

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