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doi: https://doi.org/10.22201/ceiich.24485691e.2010.1.52238

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No entro en nada

No entro en nada 2

Artículo

Formación de nanoestructuras orgánicas unidimensionales en superficies semiconductoras

Takeuchi, Noboru

Centro de Investigaciones Interdisciplinarias en Ciencias y Humanidades, UNAM; Instituto de Ciencias Aplicadas y Tecnología, UNAM; Centro de Nanociencias y Nanotecnología, UNAM, publicado en Mundo nano. Revista Interdisciplinaria en Nanociencias y Nanotecnología, y cosechado de Revistas UNAM

Licencia de uso

Procedencia del contenido

Cita

Takeuchi, Noboru (2010). Formación de nanoestructuras orgánicas unidimensionales en superficies semiconductoras. Mundo Nano. Revista Interdisciplinaria en Nanociencias y Nanotecnología; Vol. 3 Núm. 1, 2010. Recuperado de https://repositorio.unam.mx/contenidos/57252

Descripción del recurso

Autor(es)
Takeuchi, Noboru
Tipo
Artículo de Investigación
Área del conocimiento
Multidisciplina
Título
Formación de nanoestructuras orgánicas unidimensionales en superficies semiconductoras
Fecha
2015-04-12
Resumen
La formación de nanoestructuras orgánicas autoensambladas (que se forman por sí mismas) sobre superficies de los materiales semiconductores como el silicio es un área de investigación en nanotecnología muy activa e importante. Su estudio es interesante, no sólo por las posibles aplicaciones, sino también desde el punto de vista fundamental. En la investigación básica el interés es motivado por la posibilidad de comprender fenómenos físicos interesantes que están relacionados con estos sistemas, tales como: la estabilidad de las superficies, su crecimiento y las propiedades de los sistemas de una sola dimensión, por mencionar sólo algunos. En cuanto a las aplicaciones tecnológicas, existe un gran interés en el diseño de nanoestructuras orgánicas que combinen las muchas propiedades interesantes de las moléculas orgánicas con la bien desarrollada tecnología del silicio. Esto es particularmente evidente en el campo de la nanoelectrónica, ya que siempre hay una búsqueda para crear circuitos cada vez más pequeños (en la actualidad menor a las decenas de nanómetros), más allá de las capacidades de la litografía normal.
Idioma
spa
ISSN
ISSN electrónico: 2448-5691; ISSN impreso: 2007-5979

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