dor_id: 4107433

506.#.#.a: Público

590.#.#.d: Los artículos enviados a la Revista Mexicana de Física se someten a un estricto proceso de revisión llevado a cabo por árbitros anónimos, independientes y especializados en todo el mundo.

510.0.#.a: Consejo Nacional de Ciencia y Tecnología (CONACyT), Sistema Regional de Información en Línea para Revistas Científicas de América Latina, el Caribe, España y Portugal (Latindex), Scientific Electronic Library Online (SciELO), SCOPUS, Web Of Science (WoS)

561.#.#.u: http://www.fciencias.unam.mx/

650.#.4.x: Físico Matemáticas y Ciencias de la Tierra

336.#.#.b: info:eu-repo/semantics/article

336.#.#.3: Artículo de Investigación

336.#.#.a: Artículo

351.#.#.6: https://rmf.smf.mx/ojs/rmf/index

351.#.#.b: Revista Mexicana de Física

351.#.#.a: Artículos

harvesting_group: RevistasUNAM

270.1.#.p: Revistas UNAM. Dirección General de Publicaciones y Fomento Editorial, UNAM en revistas@unam.mx

590.#.#.c: Open Journal Systems (OJS)

270.#.#.d: MX

270.1.#.d: México

590.#.#.b: Concentrador

883.#.#.u: http://www.revistas.unam.mx/front/

883.#.#.a: Revistas UNAM

590.#.#.a: Coordinación de Difusión Cultural

883.#.#.1: http://www.publicaciones.unam.mx/

883.#.#.q: Dirección General de Publicaciones y Fomento Editorial, UNAM

850.#.#.a: Universidad Nacional Autónoma de México

856.4.0.u: https://rmf.smf.mx/ojs/rmf/article/view/4170/4137

100.1.#.a: Vásquez A, M. A.; Romero Paredes, G.; Andraca Adame, J. A.; Peña Sierra, R.

524.#.#.a: Vásquez A, M. A., et al. (2016). Fabrication and characterization of ZnO:Zn(n+)/Porous-Silicon/Si(p) heterojunctions for white light emitting diodes. Revista Mexicana de Física; Vol 62, No 1 Jan-Feb: 5-0. Recuperado de https://repositorio.unam.mx/contenidos/4107433

245.1.0.a: Fabrication and characterization of ZnO:Zn(n+)/Porous-Silicon/Si(p) heterojunctions for white light emitting diodes

502.#.#.c: Universidad Nacional Autónoma de México

561.1.#.a: Facultad de Ciencias, UNAM

264.#.0.c: 2016

264.#.1.c: 2016-01-01

653.#.#.a: Porous Silicon; ZnO:Zn(n) films; porous silicon-heterostructures; electrical characterization; electroluminescence

506.1.#.a: La titularidad de los derechos patrimoniales de esta obra pertenece a las instituciones editoras. Su uso se rige por una licencia Creative Commons BY-NC-ND 4.0 Internacional, https://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/4.0/legalcode.es, fecha de asignación de la licencia 2016-01-01, para un uso diferente consultar al responsable jurídico del repositorio por medio de rmf@ciencias.unam.mx

884.#.#.k: https://rmf.smf.mx/ojs/rmf/article/view/4170

001.#.#.#: oai:ojs.rmf.smf.mx:article/4170

041.#.7.h: eng

520.3.#.a: The fabrication and characterization of electroluminescent ZnO:Zn(n+ )/Porous Silicon/Si(p) heterojunctions is presented. Highly conductive ZnO films (ZnO:Zn(n+ )) were produced by applying a temperature annealing at 400\∘ C by 5 min to the ZnO/Zn/ZnO arrange formed by DC sputtering, and the Porous Silicon (PS) films were prepared on p-type (100) Si wafers by anodic etching. The ZnO:Zn(n+ )/PS/Si(p) heterojunction is accomplished by applying a brief temperature annealing stage to the entire ZnO/Zn/ZnO/PS/Si structure to preserve the PS luminescent characteristics. The ZnO:Zn(n+ ) films were characterized by X-ray diffraction and Hall-van der Pauw measurements. The PS and ZnO:Zn(n+ ) films were also studied by photoluminescence (PL) measurements. The current-voltage characteristics of the heterojunctions showed well defined rectifying behavior with a turn-on voltage of 1.5 V and ideality factor of 5.4. The high ideality factor is explained by the presence of electron tunneling transport aided by energy levels related to the defects at the heterojunction interface and into the PS film. The saturation current and the series resistance of the heterostructure were 4 \times 10-7A/cm 2 and 16 \Ω-cm2 , respectively. White color electroluminescence is easily observed at the naked eye when excited with square wave pulses of 8 V and 1 KHz.

773.1.#.t: Revista Mexicana de Física; Vol 62, No 1 Jan-Feb (2016): 5-0

773.1.#.o: https://rmf.smf.mx/ojs/rmf/index

046.#.#.j: 2020-11-25 00:00:00.000000

022.#.#.a: 2683-2224 (digital); 0035-001X (impresa)

310.#.#.a: Bimestral

264.#.1.b: Sociedad Mexicana de Física, A.C.

758.#.#.1: https://rmf.smf.mx/ojs/rmf/index

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856.#.0.q: application/pdf

last_modified: 2020-11-27 00:00:00

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