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No entro en nada 2

Artículo

Fabricación y caracterización de diodos electro-luminiscentes de silicio poroso

Romero Paredes R., G.; Peña Sierra, R.; Castillo Cabrera.

Facultad de Ciencias, UNAM, publicado en Revista Mexicana de Física, y cosechado de Revistas UNAM

Licencia de uso

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Facultad de Ciencias, UNAM
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Revistas UNAM. Dirección General de Publicaciones y Fomento Editorial, UNAM en revistas@unam.mx

Cita

Romero Paredes R., G., et al. (2002). Fabricación y caracterización de diodos electro-luminiscentes de silicio poroso. Revista Mexicana de Física; Vol 48, No 2: 92-0. Recuperado de https://repositorio.unam.mx/contenidos/41166

Descripción del recurso

Autor(es)
Romero Paredes R., G.; Peña Sierra, R.; Castillo Cabrera.
Tipo
Artículo de Investigación
Área del conocimiento
Físico Matemáticas y Ciencias de la Tierra
Título
Fabricación y caracterización de diodos electro-luminiscentes de silicio poroso
Fecha
2002-01-01
Resumen
Se fabricaron diodos electroluminiscentes (del´s) usando películas delgadas de silicio poroso (sp). Los del´s están constituidos por una unión metal-semiconductor formada por un contacto de oro y una película de sp con porosidad de 50 %. La longitud de onda de emisión de los dispositivos está situada en la región visible del espectro electromagnético. Se reportan los resultados del estudio de la fotoluminiscencia de las películas de sp y las características de la emisión de los del´s. El máximo del espectro de emisión fotoluminiscente está situado en 800 nm y para la señal de electroluminiscencia está en 560 nm. El origen de la emisión electroluminiscente se asocia a la recombinación. Radiativa en el óxido de silicio que recubre los filamentos de sp.
Tema
Películas de silicio poroso; diodos electroluminiscentes; fotoluminiscencia
Idioma
spa
ISSN
2683-2224 (digital); 0035-001X (impresa)

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