dor_id: 25905
506.#.#.a: Público
590.#.#.d: Cada artículo es evaluado mediante una revisión ciega única. Los revisores son externos nacionales e internacionales.
510.0.#.a: Consejo Nacional de Ciencia y Tecnología (CONACyT), Sistema Regional de Información en Línea para Revistas Científicas de América Latina, el Caribe, España y Portugal (Latindex), Scientific Electronic Library Online (SciELO), Red de Revistas Científicas de América Latina y El Caribe, España y Portugal (RedALyC), Organización de Estados Iberoamericanos (CREDI), Actualidad Iberoamericana de Chile, Red Iberomericana de Innovación y Conocimiento Científico (REDIB), Science Direct, Directory of Open Acces Journals, Indice de Revistas Latinoamericanas en Ciencias (Periódica), Bibliografía Latinoamericana (Biblat), Índice Internacional de Revistas Actualidad Iberoamericana (CIT)
561.#.#.u: https://www.ingenieria.unam.mx/
650.#.4.x: Ingenierías
336.#.#.b: article
336.#.#.3: Artículo de Investigación
336.#.#.a: Artículo
351.#.#.6: http://www.revistas.unam.mx/index.php/ingenieria/index
351.#.#.b: Ingeniería, Investigación y Tecnología
351.#.#.a: Artículos
harvesting_group: RevistasUNAM
270.1.#.p: Revistas UNAM. Dirección General de Publicaciones y Fomento Editorial, UNAM en revistas@unam.mx
590.#.#.c: Open Journal Systems (OJS)
270.#.#.d: MX
270.1.#.d: México
590.#.#.b: Concentrador
883.#.#.u: http://www.revistas.unam.mx/front/
883.#.#.a: Revistas UNAM
590.#.#.a: Coordinación de Difusión Cultural, UNAM
883.#.#.1: https://www.publicaciones.unam.mx/
883.#.#.q: Dirección General de Publicaciones y Fomento Editorial, UNAM
850.#.#.a: Universidad Nacional Autónoma de México
856.4.0.u: http://www.revistas.unam.mx/index.php/ingenieria/article/view/18569/17626
100.1.#.a: Molinar Solís, J. E.; Ponce Ponce, V. H.; García Lozano, R. Z.; Díaz Sanchez, A.; Rocha Pérez, J. M.
524.#.#.a: Molinar Solís, J. E., et al. (2010). Extracción de parámetros eléctricos de inversores CMOS de compuerta flotante. Ingeniería Investigación y Tecnología; Vol 11, No 003, 2010. Recuperado de https://repositorio.unam.mx/contenidos/25905
245.1.0.a: Extracción de parámetros eléctricos de inversores CMOS de compuerta flotante
502.#.#.c: Universidad Nacional Autónoma de México
561.1.#.a: Facultad de Ingeniería, UNAM
264.#.0.c: 2010
264.#.1.c: 2010-07-30
653.#.#.a: Fg-inverter; neumos; floating-gate; inversor de compuerta flotante; neumos; compuerta flotante; fg-inverter; neumos; floating-gate; inversor de compuerta flotante; neumos; compuerta flotante
506.1.#.a: La titularidad de los derechos patrimoniales de esta obra pertenece a las instituciones editoras. Su uso se rige por una licencia Creative Commons BY-NC-ND 4.0 Internacional, https://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/4.0/legalcode.es, fecha de asignación de la licencia 2010-07-30, para un uso diferente consultar al responsable jurídico del repositorio por medio del correo electrónico marciaglez@dirfing.unam.mx
884.#.#.k: http://www.revistas.unam.mx/index.php/ingenieria/article/view/18569
001.#.#.#: oai:ojs.phoenicis.tic.unam.mx:article/18569
041.#.7.h: spa
520.3.#.a: En este trabajo se brinda una metodología precisa para la extracción del factor de ganancia g de la compuerta flotante en inversores cmos, que constan de un interruptor para acceder temporalmente a la compuerta flotante. Con la metodología propuesta, el factor g y otras capacitancias parásitas acopladas a la compuerta flotante pueden ser extraídas. estos parámetros son de mucha importancia, ya que juegan un papel importante en el desempeño de circuitos analógicos y de señal mixta. La comparación entre cálculos teóricos y simulaciones es hecha utilizando dos celdas de prueba fabricadas detecnología amiabn de 1.2mm, a través de la organización mosis. Los parámetros extraídos pueden ser incorporados a macromodelos en pspice para obtener simulaciones más precisas. This work provides an accurate methodology for extracting the floating-gate gain factor g, of cmos floating-gate inverters with a clock-driven switch for accessing temporarilly to the floating-gate. with the methodology proposed in this paper, the g factor and other parasiticcapacitances coupled to the floating-gate can be easily extracted in a mismatch-free approach. This parameter plays animportant role in modern analog and mixed-signal cmos circuits, since it limits the circuit performance. theoretical and measured values using two test cells, fabricated in a standard double poly double metal cmos ami-abn process with 1.2mm design rules, were compared. The extracted parameters can be incorporated into floating-gate ps pice macromodels for obtaining accurate electrical simulation. En este trabajo se brinda una metodología precisa para la extracción del factor de ganancia g de la compuerta flotante en inversores cmos, que constan de un interruptor para acceder temporalmente a la compuerta flotante. Con la metodología propuesta, el factor g y otras capacitancias parásitas acopladas a la compuerta flotante pueden ser extraídas. estos parámetros son de mucha importancia, ya que juegan un papel importante en el desempeño de circuitos analógicos y de señal mixta. La comparación entre cálculos teóricos y simulaciones es hecha utilizando dos celdas de prueba fabricadas detecnología amiabn de 1.2mm, a través de la organización mosis. Los parámetros extraídos pueden ser incorporados a macromodelos en pspice para obtener simulaciones más precisas. This work provides an accurate methodology for extracting the floating-gate gain factor g, of cmos floating-gate inverters with a clock-driven switch for accessing temporarilly to the floating-gate. with the methodology proposed in this paper, the g factor and other parasiticcapacitances coupled to the floating-gate can be easily extracted in a mismatch-free approach. This parameter plays animportant role in modern analog and mixed-signal cmos circuits, since it limits the circuit performance. theoretical and measured values using two test cells, fabricated in a standard double poly double metal cmos ami-abn process with 1.2mm design rules, were compared. The extracted parameters can be incorporated into floating-gate ps pice macromodels for obtaining accurate electrical simulation.
773.1.#.t: Ingeniería Investigación y Tecnología; Vol 11, No 003 (2010)
773.1.#.o: http://www.revistas.unam.mx/index.php/ingenieria/index
046.#.#.j: 2021-08-03 00:00:00.000000
022.#.#.a: ISSN impreso: 1405-7743
310.#.#.a: Trimestral
264.#.1.b: Facultad de Ingeniería, UNAM
758.#.#.1: http://www.revistas.unam.mx/index.php/ingenieria/index
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245.1.0.b: Electrical Parameters Extraction of CMOS Floating-Gate Inverters
last_modified: 2021-08-12 16:00:00
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