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506.#.#.a: Público

502.#.#.a: Licenciatura

561.#.#.u: https://ru.dgb.unam.mx

650.#.4.x: Físico Matemáticas y Ciencias de la Tierra

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336.#.#.3: Tesis de licenciatura

336.#.#.a: Trabajo de grado

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590.#.#.b: Concentrador

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883.#.#.a: Repositorio de la Dirección General de Bibliotecas y Servicios Digitales de Información

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883.#.#.q: Dirección General de Bibliotecas y Servicios Digitales de Información, UNAM

850.#.#.a: Universidad Nacional Autónoma de México

856.4.0.u: http://132.248.9.195/ptd2020/agosto/0802935/Index.html

100.1.#.a: Solorio Martínez, Jocelyn Pamela

100.1.#.0: Solorio Martínez, Jocelyn Pamela::si::SinIdentificador

524.#.#.a: Solorio Martínez, Jocelyn Pamela (2020). Estudio y crecimiento de la interface Si/SiO2 mediante oxidación térmica como propuesta de fabricación en un dispositivo pseudo-MOSFET. Centro de Nanociencias y Nanotecnología, UNAM. Recuperado de https://repositorio.unam.mx/contenidos/3585772

720.#.#.a: Castillo Cuero, Harvi

245.1.0.a: Estudio y crecimiento de la interface Si/SiO2 mediante oxidación térmica como propuesta de fabricación en un dispositivo pseudo-MOSFET

502.#.#.b: Licenciatura en Nanotecnología

502.#.#.c: Universidad Nacional Autónoma de México

561.1.#.a: Centro de Nanociencias y Nanotecnología, UNAM

264.#.0.c: 2020

264.#.1.c: 2020

506.1.#.a: La titularidad de los derechos patrimoniales de esta obra pertenece a Solorio Martínez, Jocelyn Pamela. Su uso se rige por una licencia Creative Commons BY-NC-ND 4.0 Internacional, https://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/4.0/legalcode.es, fecha de asignación de la licencia 2021-12-29, para un uso diferente consultar al responsable jurídico del repositorio en bidi@dgb.unam.mx

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720.#.#.0: Castillo Cuero, Harvi::si::SinIdentificador::role::asesorTesis

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No entro en nada

No entro en nada 2

Trabajo de grado

Estudio y crecimiento de la interface Si/SiO2 mediante oxidación térmica como propuesta de fabricación en un dispositivo pseudo-MOSFET

Solorio Martínez, Jocelyn Pamela

Centro de Nanociencias y Nanotecnología, UNAM, Tesis, y cosechado de Repositorio de la Dirección General de Bibliotecas y Servicios Digitales de Información

Licencia de uso

Procedencia del contenido

Cita

Solorio Martínez, Jocelyn Pamela (2020). Estudio y crecimiento de la interface Si/SiO2 mediante oxidación térmica como propuesta de fabricación en un dispositivo pseudo-MOSFET. Centro de Nanociencias y Nanotecnología, UNAM. Recuperado de https://repositorio.unam.mx/contenidos/3585772

Descripción del recurso

Autor(es)
Solorio Martínez, Jocelyn Pamela
Identificador del autor
Solorio Martínez, Jocelyn Pamela::si::SinIdentificador
Asesor(es)
Castillo Cuero, Harvi
Tipo
Tesis de licenciatura
Área del conocimiento
Físico Matemáticas y Ciencias de la Tierra
Título
Estudio y crecimiento de la interface Si/SiO2 mediante oxidación térmica como propuesta de fabricación en un dispositivo pseudo-MOSFET
Fecha
2020
Grado
Licenciatura en Nanotecnología

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