Estudio estructural de los semiconductores aip, gaas con estructura wurzita
Bautista Hernández, A.; Pérez Arrieta, L.; Pal, U.; Rivas Silva, J. F.
Facultad de Ciencias, UNAM, publicado en Revista Mexicana de Física, y cosechado de Revistas UNAM
dor_id: 41013
506.#.#.a: Público
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561.#.#.u: http://www.fciencias.unam.mx/
650.#.4.x: Físico Matemáticas y Ciencias de la Tierra
336.#.#.b: info:eu-repo/semantics/article
336.#.#.3: Artículo de Investigación
336.#.#.a: Artículo
351.#.#.6: http://revistas.unam.mx/index.php/rmf
351.#.#.b: Revista Mexicana de Física
351.#.#.a: Artículos
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270.1.#.p: Revistas UNAM. Dirección General de Publicaciones y Fomento Editorial, UNAM en revistas@unam.mx
590.#.#.c: Open Journal Systems (OJS)
270.#.#.d: MX
270.1.#.d: México
590.#.#.b: Concentrador
883.#.#.u: http://www.revistas.unam.mx/front/
883.#.#.a: Revistas UNAM
590.#.#.a: Coordinación de Difusión Cultural
883.#.#.1: http://www.publicaciones.unam.mx/
883.#.#.q: Dirección General de Publicaciones y Fomento Editorial, UNAM
850.#.#.a: Universidad Nacional Autónoma de México
856.4.0.u: http://revistas.unam.mx/index.php/rmf/article/view/13864/13201
100.1.#.a: Bautista Hernández, A.; Pérez Arrieta, L.; Pal, U.; Rivas Silva, J. F.
524.#.#.a: Bautista Hernández, A., et al. (2003). Estudio estructural de los semiconductores aip, gaas con estructura wurzita. Revista Mexicana de Física; Vol 49, No 001. Recuperado de https://repositorio.unam.mx/contenidos/41013
245.1.0.a: Estudio estructural de los semiconductores aip, gaas con estructura wurzita
502.#.#.c: Universidad Nacional Autónoma de México
561.1.#.a: Facultad de Ciencias, UNAM
264.#.0.c: 2003
264.#.1.c: 2003-01-01
653.#.#.a: Cálculos Ab Initio; Optimización De Geometrías; Patrón De Rayos X; Estructura De Bandas
506.1.#.a: La titularidad de los derechos patrimoniales de esta obra pertenece a las instituciones editoras. Su uso se rige por una licencia Creative Commons BY-NC-ND 4.0 Internacional, https://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/4.0/legalcode.es, fecha de asignación de la licencia 2003-01-01, para un uso diferente consultar al responsable jurídico del repositorio por medio de rmf@ciencias.unam.mx
884.#.#.k: http://revistas.unam.mx/index.php/rmf/article/view/13864
041.#.7.h: spa
520.3.#.a: En este trabajo presentamos cálculos AB initio de la optimización de geometrías, parámetros de red y estructura electrónica para semiconductores con estructura wurzita, tales como aln, cds, zns, znse, gan, alp, alas y gaas. Para ello se usa el programa castep de cerius con las aproximaciones lda (local density approximation) y gga (generalized gradient approximation), en el marco de la teoría de funcionales de la densidad (density functional theory, dft). Los pseudopotenciales usados en este trabajo son los generados con el esquema de optimización de troullier-martins. Una vez optimizados los parámetros de red, calculamos el patrón de rayos x para cada uno de los semiconductores estudiados. Se analiza el efecto de los pseudopotenciales usados en función de los resultados obtenidos. Finalmente, se predice la geometría y el patrón de rayos x para el alp, alas y gaas, con estructura wurzita, comprobándose el carácter semiconductor de estos materiales.
773.1.#.t: Revista Mexicana de Física; Vol 49, No 001 (2003)
773.1.#.o: http://revistas.unam.mx/index.php/rmf
046.#.#.j: 2020-11-25 00:00:00.000000
022.#.#.a: 2683-2224 (digital); 0035-001X (impresa)
310.#.#.a: Bimestral
264.#.1.b: Sociedad Mexicana de Física, A.C.
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856.#.0.q: application/pdf
last_modified: 2020-11-27 00:00:00
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Bautista Hernández, A.; Pérez Arrieta, L.; Pal, U.; Rivas Silva, J. F.
Facultad de Ciencias, UNAM, publicado en Revista Mexicana de Física, y cosechado de Revistas UNAM
Bautista Hernández, A., et al. (2003). Estudio estructural de los semiconductores aip, gaas con estructura wurzita. Revista Mexicana de Física; Vol 49, No 001. Recuperado de https://repositorio.unam.mx/contenidos/41013