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773.1.#.t: Revista Mexicana de Física; Vol 49, No 001 (2003)

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046.#.#.j: 2020-11-25 00:00:00.000000

022.#.#.a: 2683-2224 (digital); 0035-001X (impresa)

310.#.#.a: Bimestral

264.#.1.b: Sociedad Mexicana de Física, A.C.

758.#.#.1: http://revistas.unam.mx/index.php/rmf

handle: 6a3a97ec40c425c4

harvesting_date: 2020-09-23 00:00:00.0

856.#.0.q: application/pdf

last_modified: 2020-11-27 00:00:00

license_url: https://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/4.0/legalcode.es

license_type: by-nc-nd

_deleted_conflicts: 6-eb73fa84f513a67b5e4bdfc6e790726f,2-e785dbe372e10bfc5232a52ee641fefc

No entro en nada

No entro en nada 2

Artículo

Estudio estructural de los semiconductores aip, gaas con estructura wurzita

Bautista Hernández, A.; Pérez Arrieta, L.; Pal, U.; Rivas Silva, J. F.

Facultad de Ciencias, UNAM, publicado en Revista Mexicana de Física, y cosechado de Revistas UNAM

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Facultad de Ciencias, UNAM
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Revistas UNAM. Dirección General de Publicaciones y Fomento Editorial, UNAM en revistas@unam.mx

Cita

Bautista Hernández, A., et al. (2003). Estudio estructural de los semiconductores aip, gaas con estructura wurzita. Revista Mexicana de Física; Vol 49, No 001. Recuperado de https://repositorio.unam.mx/contenidos/41013

Descripción del recurso

Autor(es)
Bautista Hernández, A.; Pérez Arrieta, L.; Pal, U.; Rivas Silva, J. F.
Tipo
Artículo de Investigación
Área del conocimiento
Físico Matemáticas y Ciencias de la Tierra
Título
Estudio estructural de los semiconductores aip, gaas con estructura wurzita
Fecha
2003-01-01
Resumen
En este trabajo presentamos cálculos AB initio de la optimización de geometrías, parámetros de red y estructura electrónica para semiconductores con estructura wurzita, tales como aln, cds, zns, znse, gan, alp, alas y gaas. Para ello se usa el programa castep de cerius con las aproximaciones lda (local density approximation) y gga (generalized gradient approximation), en el marco de la teoría de funcionales de la densidad (density functional theory, dft). Los pseudopotenciales usados en este trabajo son los generados con el esquema de optimización de troullier-martins. Una vez optimizados los parámetros de red, calculamos el patrón de rayos x para cada uno de los semiconductores estudiados. Se analiza el efecto de los pseudopotenciales usados en función de los resultados obtenidos. Finalmente, se predice la geometría y el patrón de rayos x para el alp, alas y gaas, con estructura wurzita, comprobándose el carácter semiconductor de estos materiales.
Tema
Cálculos Ab Initio; Optimización De Geometrías; Patrón De Rayos X; Estructura De Bandas
Idioma
spa
ISSN
2683-2224 (digital); 0035-001X (impresa)

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