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506.#.#.a: Público

650.#.4.x: Físico Matemáticas y Ciencias de la Tierra

336.#.#.b: other

336.#.#.3: Registro de colección de proyectos

336.#.#.a: Registro de colección universitaria

351.#.#.b: Proyectos Universitarios PAPIIT (PAPIIT)

351.#.#.a: Colecciones Universitarias Digitales

harvesting_group: ColeccionesUniversitarias

270.1.#.p: Dirección General de Repositorios Universitarios. contacto@dgru.unam.mx

590.#.#.c: Otro

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883.#.#.a: Portal de Datos Abiertos UNAM, Colecciones Universitarias

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883.#.#.q: Dirección General de Repositorios Universitarios

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100.1.#.a: Betsabee Marel Monroy Peláez

524.#.#.a: Dirección de Desarrollo Académico, Dirección General de Asuntos del Personal Académico (DGAPA). "Estudio de las propiedades ópticas de películas delgadas de compuestos de silicio nanoestructurado preparadas por plasma y su aplicación en dispositivos fotónicos", Proyectos Universitarios PAPIIT (PAPIIT). En "Portal de datos abiertos UNAM" (en línea), México, Universidad Nacional Autónoma de México.

720.#.#.a: Betsabee Marel Monroy Peláez

245.1.0.a: Estudio de las propiedades ópticas de películas delgadas de compuestos de silicio nanoestructurado preparadas por plasma y su aplicación en dispositivos fotónicos

502.#.#.c: Universidad Nacional Autónoma de México

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264.#.0.c: 2009

264.#.1.c: 2009

307.#.#.a: 2019-05-23 18:40:21.491

653.#.#.a: Materiales electrónicos basados en silicio depositados por pecvd; Materiales

506.1.#.a: La titularidad de los derechos patrimoniales de este recurso digital pertenece a la Universidad Nacional Autónoma de México. Su uso se rige por una licencia Creative Commons BY 4.0 Internacional, https://creativecommons.org/licenses/by/4.0/legalcode.es, fecha de asignación de la licencia 2009, para un uso diferente consultar al responsable jurídico del repositorio por medio de contacto@dgru.unam.mx

041.#.7.h: spa

500.#.#.a: Los compuestos de silicio nanoestructurado consisten fundamentalmente en una matriz amorfa con nanocúmulos de silicio embebidos en su interior. La variación en sus propiedades está definida principalmente por el tamaño de los nanocúmulos de silicio embebidos en la matriz, su densidad y su cristalinidad. Además, dependiendo de la matriz en donde se encuentren embebidos los nanocúmulos de silicio se puede variar la magnitud de la brecha prohibida del material de tal forma que se pueda utilizar como un material absorbente (si la matriz es silicio amorfo) o como un material emisor (si es una matriz dieléctrica como nitruro de silicio) de luz visible. Así, los compuestos de silicio nanoestructurado se convierten en un material prometedor para los dispositivos electrónicos y fotónicos (sensores de luz, emisores de luz, celdas solares, transistores en películas delgadas TFT, etc.) ya que presentan algunas ventajas comparado con los materiales utilizados convencionalmente en esas aplicaciones debido a su mejor estabilidad, baja densidad de defectos y mejores características de transporte. La técnica de PECVD permite el control de la densidad y tamaño de los nanocúmulos de silicio (así como de la matriz en donde se encuentran embebidos) en función de las necesidades específicas de las diferentes aplicaciones. En los Laboratorios de Materiales y Dispositivos en Películas Delgadas del Departamento de Materia Condensada y Criogenia del Instituto de Investigaciones en Materiales de la UNAM, se ha trabajado recientemente en la obtención y estudio de compuestos de silicio nanoestructurado obtenidos por la técnica de depósito químico en fase vapor asistido por plasma (PECVD) a partir de la descomposición en un plasma de, en este caso particular, los haluros de silicio (SiH4, SiF4, SiH2Cl2, SiCl4), y compuestos que contienen oxigeno o nitrógeno en sus diferentes fases. Gracias al uso de precursores clorados se han podido generar nanocristales de silicio embebidos en películas delgadas de nitruro de silicio sin necesidad de tratamiento térmico posterior al depósito. Esto ha permitido la obtención de fotoluminiscencia intensa en el rango visible a temperatura ambiente. El objetivo general de este proyecto es preparar y caracterizar las propiedades ópticas de películas delgadas de compuestos de silicio nanoestructurado con diferente absorción y/o emisión de luz visible para su aplicación en dispositivos fotónicos. Este proyecto aportará el conocimiento de los mecanismos físicos y químicos de formación y crecimiento de los nanocúmulos de silicio para lograr reproducibilidad y fiabilidad en los procesos de crecimiento de materiales nanoestructurados y así, poder pasar a una nueva etapa de fabricación de dispositivos basados en ellos. Se obtendrán materiales entonables en sus propiedades ópticas de absorción o emisión de luz visible mediante una misma técnica de depósito (PECVD), a través de la variación de parámetros experimentales controlables (como las tasas de flujo másico de los gases precursores, potencia de RF, presión de la cámara, etc.). Dado que este proyecto se encuentra en la frontera del conocimiento en una temática de mucha actualidad como son las Nanociencias y las Nanotecnologías se pretenden publicar al menos 2 artículos por año en revistas indexadas de prestigio internacional. Asimismo, se presentará al menos 1 trabajo al año en un evento internacional de reconocido prestigio en el área. Cabe recalcar que se implementarán las siguientes técnicas de análisis de propiedades ópticas de materiales que actualmente no se pueden realizar en el Instituto de Investigaciones en Materiales: Espectroscopía de Fotoluminiscencia en función de la potencia de excitación, estudio de Ganancia Óptica por medio del método de Longitud de Tira Variable (VSL) y Fotoluminiscencia resuelta en el tiempo. Esto aportará nuevas técnicas de caracterización al Instituto de Investigaciones en Materiales y contribuirá a la generación de infraestructura en el Laboratorio de Materiales y Dispositivos en Películas Delgadas. Se realizarán estancias de servicio social y se desarrollarán 2 tesis de licenciatura y 1 de maestría dentro del contexto de este proyecto contribuyendo así a la formación de recursos humanos. Asimismo, los conocimientos derivados de este proyecto permitirán la actualización de conceptos físicos, químicos y del área de materiales electrónicos, en general, que se incluirán en los cursos impartidos a nivel licenciatura y/o posgrado. De esta manera se contribuye a la actualización y calidad de los planes de estudio en las áreas involucradas.

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No entro en nada

No entro en nada 2

Registro de colección universitaria

Estudio de las propiedades ópticas de películas delgadas de compuestos de silicio nanoestructurado preparadas por plasma y su aplicación en dispositivos fotónicos

Instituto de Investigaciones en Materiales, UNAM, Portal de Datos Abiertos UNAM, Colecciones Universitarias

Licencia de uso

Procedencia del contenido

Entidad o dependencia
Instituto de Investigaciones en Materiales, UNAM
Entidad o dependencia
Dirección General de Asuntos del Personal Académico
Acervo
Colecciones Universitarias Digitales
Repositorio
Portal de Datos Abiertos UNAM, Colecciones Universitarias
Contacto
Dirección General de Repositorios Universitarios. contacto@dgru.unam.mx

Cita

Dirección de Desarrollo Académico, Dirección General de Asuntos del Personal Académico (DGAPA). "Estudio de las propiedades ópticas de películas delgadas de compuestos de silicio nanoestructurado preparadas por plasma y su aplicación en dispositivos fotónicos", Proyectos Universitarios PAPIIT (PAPIIT). En "Portal de datos abiertos UNAM" (en línea), México, Universidad Nacional Autónoma de México.

Descripción del recurso

Título
Estudio de las propiedades ópticas de películas delgadas de compuestos de silicio nanoestructurado preparadas por plasma y su aplicación en dispositivos fotónicos
Colección
Proyectos Universitarios PAPIIT (PAPIIT)
Responsable
Betsabee Marel Monroy Peláez
Fecha
2009
Descripción
Los compuestos de silicio nanoestructurado consisten fundamentalmente en una matriz amorfa con nanocúmulos de silicio embebidos en su interior. La variación en sus propiedades está definida principalmente por el tamaño de los nanocúmulos de silicio embebidos en la matriz, su densidad y su cristalinidad. Además, dependiendo de la matriz en donde se encuentren embebidos los nanocúmulos de silicio se puede variar la magnitud de la brecha prohibida del material de tal forma que se pueda utilizar como un material absorbente (si la matriz es silicio amorfo) o como un material emisor (si es una matriz dieléctrica como nitruro de silicio) de luz visible. Así, los compuestos de silicio nanoestructurado se convierten en un material prometedor para los dispositivos electrónicos y fotónicos (sensores de luz, emisores de luz, celdas solares, transistores en películas delgadas TFT, etc.) ya que presentan algunas ventajas comparado con los materiales utilizados convencionalmente en esas aplicaciones debido a su mejor estabilidad, baja densidad de defectos y mejores características de transporte. La técnica de PECVD permite el control de la densidad y tamaño de los nanocúmulos de silicio (así como de la matriz en donde se encuentran embebidos) en función de las necesidades específicas de las diferentes aplicaciones. En los Laboratorios de Materiales y Dispositivos en Películas Delgadas del Departamento de Materia Condensada y Criogenia del Instituto de Investigaciones en Materiales de la UNAM, se ha trabajado recientemente en la obtención y estudio de compuestos de silicio nanoestructurado obtenidos por la técnica de depósito químico en fase vapor asistido por plasma (PECVD) a partir de la descomposición en un plasma de, en este caso particular, los haluros de silicio (SiH4, SiF4, SiH2Cl2, SiCl4), y compuestos que contienen oxigeno o nitrógeno en sus diferentes fases. Gracias al uso de precursores clorados se han podido generar nanocristales de silicio embebidos en películas delgadas de nitruro de silicio sin necesidad de tratamiento térmico posterior al depósito. Esto ha permitido la obtención de fotoluminiscencia intensa en el rango visible a temperatura ambiente. El objetivo general de este proyecto es preparar y caracterizar las propiedades ópticas de películas delgadas de compuestos de silicio nanoestructurado con diferente absorción y/o emisión de luz visible para su aplicación en dispositivos fotónicos. Este proyecto aportará el conocimiento de los mecanismos físicos y químicos de formación y crecimiento de los nanocúmulos de silicio para lograr reproducibilidad y fiabilidad en los procesos de crecimiento de materiales nanoestructurados y así, poder pasar a una nueva etapa de fabricación de dispositivos basados en ellos. Se obtendrán materiales entonables en sus propiedades ópticas de absorción o emisión de luz visible mediante una misma técnica de depósito (PECVD), a través de la variación de parámetros experimentales controlables (como las tasas de flujo másico de los gases precursores, potencia de RF, presión de la cámara, etc.). Dado que este proyecto se encuentra en la frontera del conocimiento en una temática de mucha actualidad como son las Nanociencias y las Nanotecnologías se pretenden publicar al menos 2 artículos por año en revistas indexadas de prestigio internacional. Asimismo, se presentará al menos 1 trabajo al año en un evento internacional de reconocido prestigio en el área. Cabe recalcar que se implementarán las siguientes técnicas de análisis de propiedades ópticas de materiales que actualmente no se pueden realizar en el Instituto de Investigaciones en Materiales: Espectroscopía de Fotoluminiscencia en función de la potencia de excitación, estudio de Ganancia Óptica por medio del método de Longitud de Tira Variable (VSL) y Fotoluminiscencia resuelta en el tiempo. Esto aportará nuevas técnicas de caracterización al Instituto de Investigaciones en Materiales y contribuirá a la generación de infraestructura en el Laboratorio de Materiales y Dispositivos en Películas Delgadas. Se realizarán estancias de servicio social y se desarrollarán 2 tesis de licenciatura y 1 de maestría dentro del contexto de este proyecto contribuyendo así a la formación de recursos humanos. Asimismo, los conocimientos derivados de este proyecto permitirán la actualización de conceptos físicos, químicos y del área de materiales electrónicos, en general, que se incluirán en los cursos impartidos a nivel licenciatura y/o posgrado. De esta manera se contribuye a la actualización y calidad de los planes de estudio en las áreas involucradas.
Tema
Materiales electrónicos basados en silicio depositados por pecvd; Materiales
Identificador global
http://datosabiertos.unam.mx/DGAPA:PAPIIT:IN115909

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