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100.1.#.a: Rafael Quintero Torres

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720.#.#.a: Rafael Quintero Torres

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506.1.#.a: La titularidad de los derechos patrimoniales de este recurso digital pertenece a la Universidad Nacional Autónoma de México. Su uso se rige por una licencia Creative Commons BY 4.0 Internacional, https://creativecommons.org/licenses/by/4.0/legalcode.es, fecha de asignación de la licencia 2009, para un uso diferente consultar al responsable jurídico del repositorio por medio de contacto@dgru.unam.mx

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No entro en nada

No entro en nada 2

Registro de colección universitaria

Estudio de la formación de nanoestructuras de óxido de titanio por espectroscopía de impedancias

Centro de Física Aplicada y Tecnología Avanzada, UNAM, Portal de Datos Abiertos UNAM, Colecciones Universitarias

Licencia de uso

Procedencia del contenido

Entidad o dependencia
Centro de Física Aplicada y Tecnología Avanzada, UNAM
Entidad o dependencia
Dirección General de Asuntos del Personal Académico
Acervo
Colecciones Universitarias Digitales
Repositorio
Contacto
Dirección General de Repositorios Universitarios. contacto@dgru.unam.mx

Cita

Dirección de Desarrollo Académico, Dirección General de Asuntos del Personal Académico (DGAPA). "Estudio de la formación de nanoestructuras de óxido de titanio por espectroscopía de impedancias", Proyectos Universitarios PAPIIT (PAPIIT). En "Portal de datos abiertos UNAM" (en línea), México, Universidad Nacional Autónoma de México.

Descripción del recurso

Título
Estudio de la formación de nanoestructuras de óxido de titanio por espectroscopía de impedancias
Colección
Proyectos Universitarios PAPIIT (PAPIIT)
Responsable
Rafael Quintero Torres
Fecha
2009
Descripción
El propósito de este proyecto es entender los mecanismos fisicoquímicos que definen las estructuras nanométricas del oxido de titanio crecidas en celdas electroquímicas; para ello se realizará la medición de impedancia de 1 Hz a 100 kHz de una celda electroquímica y la medición de la corriente y voltaje de DC mientras se crece una estructura de oxido de titanio. Se modelará la impedancia con la combinación de elementos eléctricos que representen procesos físicos en la celda y relacionar su evolución con los probables procesos fisicoquímicos en la superficie de los materiales. En segunda etapa se emplearán las ecuaciones de continuidad y de densidad de corriente para simular el comportamiento de la celda a un nivel medio, entre fenomenológico y atómico. El entender estos mecanismos permitirá emplear otros semiconductores de ancho de banda menor que el oxido de titanio.
Tema
Dispositivos electrónicos; Materiales
Identificador global
http://datosabiertos.unam.mx/DGAPA:PAPIIT:IN107009

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