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Artículo

Estudio de la alta correlación electrónica en el ZnO:Eu

Blanca Romero, A.; Hernández Alcántara, J. M.; Ocaña Bribiesca, M. A.; Rivas Silva, J. F.

Facultad de Ciencias, UNAM, publicado en Revista Mexicana de Física, y cosechado de Revistas UNAM

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Procedencia del contenido

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Facultad de Ciencias, UNAM
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Contacto
Revistas UNAM. Dirección General de Publicaciones y Fomento Editorial, UNAM en revistas@unam.mx

Cita

Blanca Romero, A., et al. (2011). Estudio de la alta correlación electrónica en el ZnO:Eu. Revista Mexicana de Física; Vol 57, No 4: 338-0. Recuperado de https://repositorio.unam.mx/contenidos/41700

Descripción del recurso

Autor(es)
Blanca Romero, A.; Hernández Alcántara, J. M.; Ocaña Bribiesca, M. A.; Rivas Silva, J. F.
Tipo
Artículo de Investigación
Área del conocimiento
Físico Matemáticas y Ciencias de la Tierra
Título
Estudio de la alta correlación electrónica en el ZnO:Eu
Fecha
2011-01-01
Resumen
Un material dopado se puede obtener al sustituir uno de sus atomos por una impureza. En este trabajo se proponen cuatro modelos estructurales que simulan el material ZnO dopado con Eu y se analiza la influencia de la correlación electrónica mediante la densidad de estados (DOS) del sistema. En particular, las impurezas de lantánidos presentan propiedades ópticas y electrónicas peculiares debidas a los electrones en la capa 4f , los cuales generan una resonancia tipo Kondo en el nivel de Fermi.
Tema
Lantánidos; resonancia Kondo; DFT; correlación electrónica
Idioma
spa
ISSN
2683-2224 (digital); 0035-001X (impresa)

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