Estructura topológica de materiales amorfos y porosos. El caso de sistemas metálicos y semiconductores
Instituto de Investigaciones en Materiales, UNAM, Portal de Datos Abiertos UNAM, Colecciones Universitarias
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506.#.#.a: Público
650.#.4.x: Físico Matemáticas y Ciencias de la Tierra
336.#.#.b: other
336.#.#.3: Registro de colección de proyectos
336.#.#.a: Registro de colección universitaria
351.#.#.b: Proyectos Universitarios PAPIIT (PAPIIT)
351.#.#.a: Colecciones Universitarias Digitales
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270.1.#.p: Dirección General de Repositorios Universitarios. contacto@dgru.unam.mx
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100.1.#.a: Ariel Alberto Valladares Clemente
524.#.#.a: Dirección de Desarrollo Académico, Dirección General de Asuntos del Personal Académico (DGAPA). "Estructura topológica de materiales amorfos y porosos. El caso de sistemas metálicos y semiconductores", Proyectos Universitarios PAPIIT (PAPIIT). En "Portal de datos abiertos UNAM" (en línea), México, Universidad Nacional Autónoma de México.
720.#.#.a: Ariel Alberto Valladares Clemente
245.1.0.a: Estructura topológica de materiales amorfos y porosos. El caso de sistemas metálicos y semiconductores
502.#.#.c: Universidad Nacional Autónoma de México
561.1.#.a: Instituto de Investigaciones en Materiales, UNAM
264.#.0.c: 2011
264.#.1.c: 2011
307.#.#.a: 2019-05-23 18:40:21.491
653.#.#.a: Simulaciones computacionales de materiales complejos; Ciencias de los materiales
506.1.#.a: La titularidad de los derechos patrimoniales de este recurso digital pertenece a la Universidad Nacional Autónoma de México. Su uso se rige por una licencia Creative Commons BY 4.0 Internacional, https://creativecommons.org/licenses/by/4.0/legalcode.es, fecha de asignación de la licencia 2011, para un uso diferente consultar al responsable jurídico del repositorio por medio de contacto@dgru.unam.mx
041.#.7.h: spa
500.#.#.a: El proyecto consiste en investigar el alcance de los dos métodos desarrollados por nuestro grupo aplicándolos ahora a:_x000D_ _x000D_ i) la generación de estructuras amorfas de sistemas covalentes y metálicos_x000D_ ii) la generación de estructuras nanoporosas de semiconductores y metales;_x000D_ _x000D_ esto nos permitirá definir la cobertura y la calidad de nuestros enfoques y su aplicabilidad a la determinación, estudio o predicción de cualquier sólido amorfo o poroso._x000D_ _x000D_ En nuestro grupo se han desarrollado dos procesos computacionales diferentes, uno para generar materiales amorfos sin fundir el sólido, al que le llamamos "the undermelt-quench process"; el otro es un método para generar materiales amorfos nanoporosos, que identificamos con el nombre en inglés de "the expanding lattice method". Ambos han sido ya publicados y probados en algunos materiales semiconductores y ahora queremos generalizarlos a sistemas metálicos y a otros sistemas semiconductores, como los calcogenuros._x000D_ _x000D_ El método del calentado por abajo del punto de fusión y luego enfriado a muy bajas temperaturas (the undermelt-quench process) fue desarrollado por el responsable de este proyecto (A. Valladares) y consiste en calentar una supercelda cristalina del material, con condiciones periódicas, hasta algunos grados por abajo del punto de fusión para luego enfriarlo a la misma razón térmica hasta temperaturas muy bajas. El material así tratado se amorfiza ya que de inicio el código computacional utilizado le da una 'patada' estocástica al sistema lo que le impide regresar a su estructura cristalina, permaneciendo amorfo, (Ver Ref. 66 abajo). Nuestros estudiantes han desarrollado variantes de este proceso para aplicarlo a sus trabajos personales en el desarrollo de sus tesis de grado. _x000D_ _x000D_ El método de la celda en expansión (the expanding lattice method) es un proceso computacional nuevo, muy sencillo, desarrollado por los tres participantes en este proyecto, Drs. A.A. Valladares, R.M. Valladares y A. Valladares, y consiste en construir superceldas cristalinas con condiciones periódicas a la frontera con un número grande de átomos y una densidad cercana al valor real cristalino. A continuación la supercelda se expande a un volumen tal que la densidad resultante sea la que queremos estudiar (las distancias interatomicas se expanden proporcionalmente). Después se hace dinámica molecular en la estructura expandida a diversas temperaturas y se observan los poros generados en este proceso. (Ref. 71)_x000D_ _x000D_ En los siguientes dos trabajos de revisión, POR INVITACIÓN, se encuentran exposiciones de nuestros métodos ya publicados en la literatura:_x000D_ _x000D_ ----66.- A new approach to the ab initio generation of amorphous semiconducting structures. Electronic and vibrational studies, Ariel A. Valladares, Review Paper (Chapter 3) in: GLASS MATERIALS RESEARCH PROGRESS, Editors: Jonas C. Wolf and Luka Lange, pp. 61-123 © 2008 NOVA Science Publishers, Inc. ISBN 978-1-60456-578-2._x000D_ _x000D_ ----71.- A New Approach to the Computer Modeling of Amorphous Nanoporous Structures of Semiconducting and Metallic Materials: A Review. Cristina Romero, Juan C. Noyola, Ulises Santiago, Renela M. Valladares, Alexander Valladares and Ariel A. Valladares, MATERIALS, 3 (2010) 467-502._x000D_ _x000D_ Es oportuno mencionar que esta serie de proyectos, y su desarrollo han recibido el apoyo sistemático, aunque limitado, de la DGAPA UNICAMENTE.
046.#.#.j: 2019-11-14 12:26:40.706
264.#.1.b: Dirección General de Asuntos del Personal Académico
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last_modified: 2019-11-22 00:00:00
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Instituto de Investigaciones en Materiales, UNAM, Portal de Datos Abiertos UNAM, Colecciones Universitarias
Dirección de Desarrollo Académico, Dirección General de Asuntos del Personal Académico (DGAPA). "Estructura topológica de materiales amorfos y porosos. El caso de sistemas metálicos y semiconductores", Proyectos Universitarios PAPIIT (PAPIIT). En "Portal de datos abiertos UNAM" (en línea), México, Universidad Nacional Autónoma de México.