Artículo

Estructura metal-semiconductor-metal en equilibrio

Urbano Altamirano, F.; Titov, O. Yu.; Gurevich, Yu.

Facultad de Ciencias, UNAM, publicado en Revista Mexicana de Física, y cosechado de Revistas UNAM

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Facultad de Ciencias, UNAM
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Revistas UNAM. Dirección General de Publicaciones y Fomento Editorial, UNAM en revistas@unam.mx

Cita

Urbano Altamirano, F., et al. (2020). Estructura metal-semiconductor-metal en equilibrio. Revista Mexicana de Física; Vol 66, No 5 Sept-Oct: 559-567. Recuperado de https://repositorio.unam.mx/contenidos/4107139

Descripción del recurso

Autor(es)
Urbano Altamirano, F.; Titov, O. Yu.; Gurevich, Yu.
Adscripción del autor
CONACYT
Tipo
Artículo de Investigación
Área del conocimiento
Físico Matemáticas y Ciencias de la Tierra
Título
Estructura metal-semiconductor-metal en equilibrio
Fecha
2020-09-01
Resumen
En este artículo se analiza el comportamiento de los portadores de carga eléctrica (electrones y huecos) en un material semiconductor con contactos metálicos bajo la condición de equilibrio termodinámico. Se obtuvieron expresiones para las concentraciones de los electrones huecos, así como para el Radio de Debye (RD) tanto en el caso general bipolar, como para los casos particulares de materiales taponea intrínseco. Con base a las expresiones anteriores se analiza el caso cuando aparece el fenómeno de cuasi neutralidad en un material semiconductor.
Tema
Portadores de carga; contacto metal-semiconductor; cuasineutralidad
Idioma
spa
ISSN
2683-2224 (digital); 0035-001X (impresa)

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