dor_id: 41190
506.#.#.a: Público
590.#.#.d: Los artículos enviados a la Revista Mexicana de Física se someten a un estricto proceso de revisión llevado a cabo por árbitros anónimos, independientes y especializados en todo el mundo.
510.0.#.a: Consejo Nacional de Ciencia y Tecnología (CONACyT), Sistema Regional de Información en Línea para Revistas Científicas de América Latina, el Caribe, España y Portugal (Latindex), Scientific Electronic Library Online (SciELO), SCOPUS, Web Of Science (WoS)
561.#.#.u: http://www.fciencias.unam.mx/
650.#.4.x: Físico Matemáticas y Ciencias de la Tierra
336.#.#.b: info:eu-repo/semantics/article
336.#.#.3: Artículo de Investigación
336.#.#.a: Artículo
351.#.#.6: http://revistas.unam.mx/index.php/rmf
351.#.#.b: Revista Mexicana de Física
351.#.#.a: Artículos
harvesting_group: RevistasUNAM
270.1.#.p: Revistas UNAM. Dirección General de Publicaciones y Fomento Editorial, UNAM en revistas@unam.mx
590.#.#.c: Open Journal Systems (OJS)
270.#.#.d: MX
270.1.#.d: México
590.#.#.b: Concentrador
883.#.#.u: http://www.revistas.unam.mx/front/
883.#.#.a: Revistas UNAM
590.#.#.a: Coordinación de Difusión Cultural
883.#.#.1: http://www.publicaciones.unam.mx/
883.#.#.q: Dirección General de Publicaciones y Fomento Editorial, UNAM
850.#.#.a: Universidad Nacional Autónoma de México
856.4.0.u: http://revistas.unam.mx/index.php/rmf/article/view/13947/13284
100.1.#.a: Takeuchi , N.; Cocoletzi , G. H.; Cotzomi Paleta, J.
524.#.#.a: Takeuchi , N., et al. (2003). Estructura (4x3) inducida por la absorción de los metales del grupo iii sobre la superficie (001) del silicio. Revista Mexicana de Física; Vol 49, No 006. Recuperado de https://repositorio.unam.mx/contenidos/41190
245.1.0.a: Estructura (4x3) inducida por la absorción de los metales del grupo iii sobre la superficie (001) del silicio
502.#.#.c: Universidad Nacional Autónoma de México
561.1.#.a: Facultad de Ciencias, UNAM
264.#.0.c: 2003
264.#.1.c: 2003-01-01
653.#.#.a: Superficie Semiconductora; Primeros Principios; Si; Ga; In; Al
506.1.#.a: La titularidad de los derechos patrimoniales de esta obra pertenece a las instituciones editoras. Su uso se rige por una licencia Creative Commons BY-NC-ND 4.0 Internacional, https://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/4.0/legalcode.es, fecha de asignación de la licencia 2003-01-01, para un uso diferente consultar al responsable jurídico del repositorio por medio de rmf@ciencias.unam.mx
884.#.#.k: http://revistas.unam.mx/index.php/rmf/article/view/13947
041.#.7.h: spa
520.3.#.a: Se hace un estudio comparativo de la estructura (43) inducida por la adsorción de los metales del grupo iii (in, al y ga) sobre la superficie si(001) mediante cálculos de primeros principios de la energía total. El estudio corresponde al deposito de los metales a altas temperaturas. Se han empleado diferentes modelos para investigar las reconstrucciones, encontrándose que el propuesto por bunk et al. Produce las configuraciones más estables para cada uno de los casos. Las estructuras muestran sub-unidades del metal cuya forma es piramidal, con un trímero en la parte más alta. El trímero se compone de un átomo de si que ocupa la posición vertical más alta y enlazado a dos átomos del metal con posiciones verticales más bajas. En el caso de in, las ligaduras obtenidas de acuerdo con el modelo de bunk son muy similares a la suma de radios covalentes, indicando que los átomos se encuentran en un ambiente muy favorable. Esto no sucede en los casos de Al y Ga, lo que puede explicar el resultado experimental de que para recubrimiento total la estructura estable de in sobre si(001) sigue siendo la (43), mientras que para Ga y al cambian a (85) y c(42n), respectivamente.
773.1.#.t: Revista Mexicana de Física; Vol 49, No 006 (2003)
773.1.#.o: http://revistas.unam.mx/index.php/rmf
046.#.#.j: 2020-11-25 00:00:00.000000
022.#.#.a: 2683-2224 (digital); 0035-001X (impresa)
310.#.#.a: Bimestral
264.#.1.b: Sociedad Mexicana de Física, A.C.
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No entro en nada
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