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520.3.#.a: Se hace un estudio comparativo de la estructura (43) inducida por la adsorción de los metales del grupo iii (in, al y ga) sobre la superficie si(001) mediante cálculos de primeros principios de la energía total. El estudio corresponde al deposito de los metales a altas temperaturas. Se han empleado diferentes modelos para investigar las reconstrucciones, encontrándose que el propuesto por bunk et al. Produce las configuraciones más estables para cada uno de los casos. Las estructuras muestran sub-unidades del metal cuya forma es piramidal, con un trímero en la parte más alta. El trímero se compone de un átomo de si que ocupa la posición vertical más alta y enlazado a dos átomos del metal con posiciones verticales más bajas. En el caso de in, las ligaduras obtenidas de acuerdo con el modelo de bunk son muy similares a la suma de radios covalentes, indicando que los átomos se encuentran en un ambiente muy favorable. Esto no sucede en los casos de Al y Ga, lo que puede explicar el resultado experimental de que para recubrimiento total la estructura estable de in sobre si(001) sigue siendo la (43), mientras que para Ga y al cambian a (85) y c(42n), respectivamente.

773.1.#.t: Revista Mexicana de Física; Vol 49, No 006 (2003)

773.1.#.o: http://revistas.unam.mx/index.php/rmf

046.#.#.j: 2020-11-25 00:00:00.000000

022.#.#.a: 2683-2224 (digital); 0035-001X (impresa)

310.#.#.a: Bimestral

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758.#.#.1: http://revistas.unam.mx/index.php/rmf

handle: 779a6f73fd3d0529

harvesting_date: 2020-09-23 00:00:00.0

856.#.0.q: application/pdf

last_modified: 2020-11-27 00:00:00

license_url: https://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/4.0/legalcode.es

license_type: by-nc-nd

_deleted_conflicts: 6-754a9fe6dd0346baf29b9ff7086205ab,2-c4797e78077d869b95036c168f0e620c

No entro en nada

No entro en nada 2

Artículo

Estructura (4x3) inducida por la absorción de los metales del grupo iii sobre la superficie (001) del silicio

Takeuchi , N.; Cocoletzi , G. H.; Cotzomi Paleta, J.

Facultad de Ciencias, UNAM, publicado en Revista Mexicana de Física, y cosechado de Revistas UNAM

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Facultad de Ciencias, UNAM
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Revistas UNAM. Dirección General de Publicaciones y Fomento Editorial, UNAM en revistas@unam.mx

Cita

Takeuchi , N., et al. (2003). Estructura (4x3) inducida por la absorción de los metales del grupo iii sobre la superficie (001) del silicio. Revista Mexicana de Física; Vol 49, No 006. Recuperado de https://repositorio.unam.mx/contenidos/41190

Descripción del recurso

Autor(es)
Takeuchi , N.; Cocoletzi , G. H.; Cotzomi Paleta, J.
Tipo
Artículo de Investigación
Área del conocimiento
Físico Matemáticas y Ciencias de la Tierra
Título
Estructura (4x3) inducida por la absorción de los metales del grupo iii sobre la superficie (001) del silicio
Fecha
2003-01-01
Resumen
Se hace un estudio comparativo de la estructura (43) inducida por la adsorción de los metales del grupo iii (in, al y ga) sobre la superficie si(001) mediante cálculos de primeros principios de la energía total. El estudio corresponde al deposito de los metales a altas temperaturas. Se han empleado diferentes modelos para investigar las reconstrucciones, encontrándose que el propuesto por bunk et al. Produce las configuraciones más estables para cada uno de los casos. Las estructuras muestran sub-unidades del metal cuya forma es piramidal, con un trímero en la parte más alta. El trímero se compone de un átomo de si que ocupa la posición vertical más alta y enlazado a dos átomos del metal con posiciones verticales más bajas. En el caso de in, las ligaduras obtenidas de acuerdo con el modelo de bunk son muy similares a la suma de radios covalentes, indicando que los átomos se encuentran en un ambiente muy favorable. Esto no sucede en los casos de Al y Ga, lo que puede explicar el resultado experimental de que para recubrimiento total la estructura estable de in sobre si(001) sigue siendo la (43), mientras que para Ga y al cambian a (85) y c(42n), respectivamente.
Tema
Superficie Semiconductora; Primeros Principios; Si; Ga; In; Al
Idioma
spa
ISSN
2683-2224 (digital); 0035-001X (impresa)

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