dor_id: 45712

506.#.#.a: Público

590.#.#.d: Los artículos enviados a la revista "Journal of Applied Research and Technology", se juzgan por medio de un proceso de revisión por pares

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650.#.4.x: Ingenierías

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506.1.#.a: La titularidad de los derechos patrimoniales de esta obra pertenece a las instituciones editoras. Su uso se rige por una licencia Creative Commons BY-NC-SA 4.0 Internacional, https://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/4.0/legalcode.es, para un uso diferente consultar al responsable jurídico del repositorio por medio del correo electrónico gabriel.ascanio@icat.unam.mx

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001.#.#.#: 074.oai:ojs2.localhost:article/208

041.#.7.h: eng

520.3.#.a: Se presenta una técnica para incrementar el voltaje de ruptura y la frecuencia de transición en dispositivos MOSFETfabricados en una tecnología CMOS estándar (0.5 ?m, 5V). Colocando una región de arrastre extendida sobre eldrenador, el MOSFET puede alcanzar un mayor voltaje de ruptura. Para mejorar la frecuencia de operación, semodificaron los pads analógico/digital para minimizar el acoplamiento que puede existir hacia el substrato. Ambasmejoras hacen que la estructura propuesta del MOSFET sea adecuada para aplicaciones RF de potencia media. Losresultados experimentales muestran un voltaje de ruptura de 20 V, una IP3 de +30.2 dBm y una mejora del 31.9% y34.7% en las frecuencias fT y fmax, respectivamente.

773.1.#.t: Journal of Applied Research and Technology; Vol. 12 Núm. 3

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022.#.#.a: ISSN electrónico: 2448-6736; ISSN: 1665-6423

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doi: https://doi.org/10.1016/S1665-6423(14)71627-X

harvesting_date: 2023-11-08 13:10:00.0

856.#.0.q: application/pdf

last_modified: 2024-03-19 14:00:00

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