dor_id: 4107765

506.#.#.a: Público

590.#.#.d: Los artículos enviados a la Revista Mexicana de Física se someten a un estricto proceso de revisión llevado a cabo por árbitros anónimos, independientes y especializados en todo el mundo.

510.0.#.a: Consejo Nacional de Ciencia y Tecnología (CONACyT), Sistema Regional de Información en Línea para Revistas Científicas de América Latina, el Caribe, España y Portugal (Latindex), Scientific Electronic Library Online (SciELO), SCOPUS, Web Of Science (WoS)

561.#.#.u: http://www.fciencias.unam.mx/

650.#.4.x: Físico Matemáticas y Ciencias de la Tierra

336.#.#.b: info:eu-repo/semantics/article

336.#.#.3: Artículo de Investigación

336.#.#.a: Artículo

351.#.#.6: https://rmf.smf.mx/ojs/rmf/index

351.#.#.b: Revista Mexicana de Física

351.#.#.a: Artículos

harvesting_group: RevistasUNAM

270.1.#.p: Revistas UNAM. Dirección General de Publicaciones y Fomento Editorial, UNAM en revistas@unam.mx

590.#.#.c: Open Journal Systems (OJS)

270.#.#.d: MX

270.1.#.d: México

590.#.#.b: Concentrador

883.#.#.u: http://www.revistas.unam.mx/front/

883.#.#.a: Revistas UNAM

590.#.#.a: Coordinación de Difusión Cultural

883.#.#.1: http://www.publicaciones.unam.mx/

883.#.#.q: Dirección General de Publicaciones y Fomento Editorial, UNAM

850.#.#.a: Universidad Nacional Autónoma de México

856.4.0.u: https://rmf.smf.mx/ojs/rmf/article/view/Vol.%2064%2C%20Issue%206%2C%20pp.%20559-565/299; https://rmf.smf.mx/ojs/rmf/article/downloadSuppFile/Vol.%2064%2C%20Issue%206%2C%20pp.%20559-565/297

100.1.#.a: Vásquez A., M. A.; Romero Paredes, G.; Peña Sierra, Ram

524.#.#.a: Vásquez A., M. A., et al. (2018). Electrical transport phenomena in nanostructured porous-silicon films. Revista Mexicana de Física; Vol 64, No 6 Nov-Dec: 559-565. Recuperado de https://repositorio.unam.mx/contenidos/4107765

245.1.0.a: Electrical transport phenomena in nanostructured porous-silicon films

502.#.#.c: Universidad Nacional Autónoma de México

561.1.#.a: Facultad de Ciencias, UNAM

264.#.0.c: 2018

264.#.1.c: 2018-10-31

653.#.#.a: Porous silicon films, metal-insulator-metal structures, Electrical characteristics, Space charge limited current (SCLC), VTFL, electronic transport in interface structures.

506.1.#.a: La titularidad de los derechos patrimoniales de esta obra pertenece a las instituciones editoras. Su uso se rige por una licencia Creative Commons BY-NC-ND 4.0 Internacional, https://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/4.0/legalcode.es, fecha de asignación de la licencia 2018-10-31, para un uso diferente consultar al responsable jurídico del repositorio por medio de rmf@ciencias.unam.mx

884.#.#.k: https://rmf.smf.mx/ojs/rmf/article/view/Vol.%2064%2C%20Issue%206%2C%20pp.%20559-565

001.#.#.#: oai:ojs.rmf.smf.mx:article/275

041.#.7.h: eng

520.3.#.a: The charge transport mechanisms in nanostructured porous silicon (PS) films were studied through current-voltage (I-V) measurements of planar Au/PS/Au structures at 300 K. The films were formed by electrochemical etching of 1-5 Ω-cm p-type Si (100) wafers producing PS layers of 4.48 x 109 Ω-cm. The charge transport is limited both by the space charge limited currents (SCLC) and the carrier trapping-detrapping kinetics in the inherent localized PS energy levels. I-V characteristics evolve according to the trapping-detrapping carrier kinetics in the PS films showing that the electrical current can be controlled by applying external electric fields. An equivalent trap filling limiting voltage (VTFL) was identified that shifts between 1 and 3 volts by the carrier trapping-detrapping kinetics from the PS intrinsic defect states. An energy band diagram for the PS films is schematically depicted including the influence of the intrinsic PS defect states. To give a reasonable explanation of the found behavior the existence of a thin silicon oxide film covering the network-like-silicon-nanocrystallites is required, in agreement with the widely accepted PS structural models.

773.1.#.t: Revista Mexicana de Física; Vol 64, No 6 Nov-Dec (2018): 559-565

773.1.#.o: https://rmf.smf.mx/ojs/rmf/index

046.#.#.j: 2020-11-25 00:00:00.000000

022.#.#.a: 2683-2224 (digital); 0035-001X (impresa)

310.#.#.a: Bimestral

264.#.1.b: Sociedad Mexicana de Física, A.C.

758.#.#.1: https://rmf.smf.mx/ojs/rmf/index

doi: https://doi.org/10.31349/RevMexFis.64.559

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856.#.0.q: application/pdf

last_modified: 2020-11-27 00:00:00

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