dor_id: 41634

506.#.#.a: Público

590.#.#.d: Los artículos enviados a la Revista Mexicana de Física se someten a un estricto proceso de revisión llevado a cabo por árbitros anónimos, independientes y especializados en todo el mundo.

510.0.#.a: Consejo Nacional de Ciencia y Tecnología (CONACyT), Sistema Regional de Información en Línea para Revistas Científicas de América Latina, el Caribe, España y Portugal (Latindex), Scientific Electronic Library Online (SciELO), SCOPUS, Web Of Science (WoS)

561.#.#.u: http://www.fciencias.unam.mx/

650.#.4.x: Físico Matemáticas y Ciencias de la Tierra

336.#.#.b: info:eu-repo/semantics/article

336.#.#.3: Artículo de Investigación

336.#.#.a: Artículo

351.#.#.6: http://revistas.unam.mx/index.php/rmf

351.#.#.b: Revista Mexicana de Física

351.#.#.a: Artículos

harvesting_group: RevistasUNAM

270.1.#.p: Revistas UNAM. Dirección General de Publicaciones y Fomento Editorial, UNAM en revistas@unam.mx

590.#.#.c: Open Journal Systems (OJS)

270.#.#.d: MX

270.1.#.d: México

590.#.#.b: Concentrador

883.#.#.u: http://www.revistas.unam.mx/front/

883.#.#.a: Revistas UNAM

590.#.#.a: Coordinación de Difusión Cultural

883.#.#.1: http://www.publicaciones.unam.mx/

883.#.#.q: Dirección General de Publicaciones y Fomento Editorial, UNAM

850.#.#.a: Universidad Nacional Autónoma de México

856.4.0.u: http://revistas.unam.mx/index.php/rmf/article/view/21465/20238

100.1.#.a: Meléndez Lira, M.; Hernández Rodríguez, E.; Calzadilla Amaya, O.; Cruz, M. P.; Guillén Rodríguez, J.; Zapata Torres, M.; Márquez Herrera, A.

524.#.#.a: Meléndez Lira, M., et al. (2010). Electrical properties of resistive switches based on Ba1-xSrxTiO3 thin films prepared by RF co-sputtering. Revista Mexicana de Física; Vol 56, No 005. Recuperado de https://repositorio.unam.mx/contenidos/41634

245.1.0.a: Electrical properties of resistive switches based on Ba1-xSrxTiO3 thin films prepared by RF co-sputtering

502.#.#.c: Universidad Nacional Autónoma de México

561.1.#.a: Facultad de Ciencias, UNAM

264.#.0.c: 2010

264.#.1.c: 2010-12-06

653.#.#.a: Barium strontium titanate; thin films; nonvolatile memories; ReRAM cells

506.1.#.a: La titularidad de los derechos patrimoniales de esta obra pertenece a las instituciones editoras. Su uso se rige por una licencia Creative Commons BY-NC-ND 4.0 Internacional, https://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/4.0/legalcode.es, fecha de asignación de la licencia 2010-12-06, para un uso diferente consultar al responsable jurídico del repositorio por medio de rmf@ciencias.unam.mx

884.#.#.k: http://revistas.unam.mx/index.php/rmf/article/view/21465

041.#.7.h: eng

520.3.#.a: In this work, we propose the use of Ba1−xSrxTiO3(0 ≤ x ≤ 1) thin films for the construction of MIM (metal-insulator-metal) heterostructures; and their great potential for the develo±ent of non-volatile resistance memories (ReRAM) is shown. The deposition of Ba1−xSrxTiO3 thin films was done by the rf co-sputtering technique using two magnetron sputtering cathodes with BaTiO3 and SrTiO3 targets. The chemical composition (x parameter) in the deposited Ba1−xSrxTiO3 thin films was varied through the rf power applied to the targets. The constructed MIM heterostructures were Al/Ba1−xSrxTiO3/nichrome. The I-V measurements of the heterostructures showed that their hysteretic characteristics change depending on the Ba/Sr ratio of the Ba1−xSrxTiO3 thin films; the Ba/Sr ratio was determined by employing the energy dispersive spectroscopy; SEM micrographs showed that Ba1−xSrxTiO3thin films were uniform without cracks or pinholes. Additionally, the analysis of the x-ray diffraction results indicated the substitutional incorporation of Sr into the BaTiO3 lattice and the obtainment of crystalline films for the entire range of the x values.

773.1.#.t: Revista Mexicana de Física; Vol 56, No 005 (2010)

773.1.#.o: http://revistas.unam.mx/index.php/rmf

046.#.#.j: 2020-11-25 00:00:00.000000

022.#.#.a: 2683-2224 (digital); 0035-001X (impresa)

310.#.#.a: Bimestral

264.#.1.b: Sociedad Mexicana de Física, A.C.

758.#.#.1: http://revistas.unam.mx/index.php/rmf

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856.#.0.q: application/pdf

last_modified: 2020-11-27 00:00:00

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No entro en nada

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