El silicio y sus propiedades como material sensor
Sandoval Ibarra, Federico
Facultad de Ciencias, UNAM, publicado en Revista Mexicana de Física, y cosechado de Revistas UNAM
dor_id: 41063
506.#.#.a: Público
590.#.#.d: Los artículos enviados a la Revista Mexicana de Física se someten a un estricto proceso de revisión llevado a cabo por árbitros anónimos, independientes y especializados en todo el mundo.
510.0.#.a: Consejo Nacional de Ciencia y Tecnología (CONACyT), Sistema Regional de Información en Línea para Revistas Científicas de América Latina, el Caribe, España y Portugal (Latindex), Scientific Electronic Library Online (SciELO), SCOPUS, Web Of Science (WoS)
561.#.#.u: http://www.fciencias.unam.mx/
650.#.4.x: Físico Matemáticas y Ciencias de la Tierra
336.#.#.b: info:eu-repo/semantics/article
336.#.#.3: Artículo de Investigación
336.#.#.a: Artículo
351.#.#.6: http://revistas.unam.mx/index.php/rmf
351.#.#.b: Revista Mexicana de Física
351.#.#.a: Artículos
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270.1.#.p: Revistas UNAM. Dirección General de Publicaciones y Fomento Editorial, UNAM en revistas@unam.mx
590.#.#.c: Open Journal Systems (OJS)
270.#.#.d: MX
270.1.#.d: México
590.#.#.b: Concentrador
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883.#.#.a: Revistas UNAM
590.#.#.a: Coordinación de Difusión Cultural
883.#.#.1: http://www.publicaciones.unam.mx/
883.#.#.q: Dirección General de Publicaciones y Fomento Editorial, UNAM
850.#.#.a: Universidad Nacional Autónoma de México
856.4.0.u: http://revistas.unam.mx/index.php/rmf/article/view/13742/13079
100.1.#.a: Sandoval Ibarra, Federico
524.#.#.a: Sandoval Ibarra, Federico. (2001). El silicio y sus propiedades como material sensor. Revista Mexicana de Física; Vol 47, No 002. Recuperado de https://repositorio.unam.mx/contenidos/41063
245.1.0.a: El silicio y sus propiedades como material sensor
502.#.#.c: Universidad Nacional Autónoma de México
561.1.#.a: Facultad de Ciencias, UNAM
264.#.0.c: 2001
264.#.1.c: 2001-01-01
653.#.#.a: Dispositivos Semiconductores; Sensores De Estado Solido; Circuitos Integrados
506.1.#.a: La titularidad de los derechos patrimoniales de esta obra pertenece a las instituciones editoras. Su uso se rige por una licencia Creative Commons BY-NC-ND 4.0 Internacional, https://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/4.0/legalcode.es, fecha de asignación de la licencia 2001-01-01, para un uso diferente consultar al responsable jurídico del repositorio por medio de rmf@ciencias.unam.mx
884.#.#.k: http://revistas.unam.mx/index.php/rmf/article/view/13742
041.#.7.h: spa
520.3.#.a: Este artículo describe las consideraciones de diseño de diversos transductores basados en silicio. El propósito es doble: 1) el silicio es un material semiconductor adecuado para el desarrollo de transductores completamente integrados, los cuales pueden ser fabricados con procesos de fabricación estándar de circuitos integrados; 2) si el desarrollo de transductores es compatible con procesos de fabricación estándar, entonces se describen las capacidades para el desarrollo de sensores inteligentes. por lo anterior, se realiza una revisión bibliográfica con la intención de elaborar una referencia que sea útil para el principiante y para el diseñador de sensores de estado sólido.
773.1.#.t: Revista Mexicana de Física; Vol 47, No 002 (2001)
773.1.#.o: http://revistas.unam.mx/index.php/rmf
046.#.#.j: 2020-11-25 00:00:00.000000
022.#.#.a: 2683-2224 (digital); 0035-001X (impresa)
310.#.#.a: Bimestral
264.#.1.b: Sociedad Mexicana de Física, A.C.
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Sandoval Ibarra, Federico
Facultad de Ciencias, UNAM, publicado en Revista Mexicana de Física, y cosechado de Revistas UNAM
Sandoval Ibarra, Federico. (2001). El silicio y sus propiedades como material sensor. Revista Mexicana de Física; Vol 47, No 002. Recuperado de https://repositorio.unam.mx/contenidos/41063