Effect of magnetic field and impurities in InAs/GaAs and GaN/AlN self-assembled quantum dots
Linares García, G.; Meza Montes, L.
Facultad de Ciencias, UNAM, publicado en Revista Mexicana de Física, y cosechado de Revistas UNAM
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506.#.#.a: Público
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561.#.#.u: http://www.fciencias.unam.mx/
650.#.4.x: Físico Matemáticas y Ciencias de la Tierra
336.#.#.b: info:eu-repo/semantics/article
336.#.#.3: Artículo de Investigación
336.#.#.a: Artículo
351.#.#.6: https://rmf.smf.mx/ojs/rmf/index
351.#.#.b: Revista Mexicana de Física
351.#.#.a: Artículos
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270.1.#.p: Revistas UNAM. Dirección General de Publicaciones y Fomento Editorial, UNAM en revistas@unam.mx
590.#.#.c: Open Journal Systems (OJS)
270.#.#.d: MX
270.1.#.d: México
590.#.#.b: Concentrador
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883.#.#.a: Revistas UNAM
590.#.#.a: Coordinación de Difusión Cultural
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850.#.#.a: Universidad Nacional Autónoma de México
856.4.0.u: https://rmf.smf.mx/ojs/rmf/article/view/Vol.%2065%2C%20Issue%203%2C%20pp.%20231-238/4315; https://rmf.smf.mx/ojs/rmf/article/downloadSuppFile/Vol.%2065%2C%20Issue%203%2C%20pp.%20231-238/497
100.1.#.a: Linares García, G.; Meza Montes, L.
100.1.#.u: Laboratorio Nacional de Supercomputo (LNS) of the Benemérita Universidad de Puebla, México
524.#.#.a: Linares García, G., et al. (2019). Effect of magnetic field and impurities in InAs/GaAs and GaN/AlN self-assembled quantum dots. Revista Mexicana de Física; Vol 65, No 3 May-Jun: 231-238. Recuperado de https://repositorio.unam.mx/contenidos/4106969
245.1.0.a: Effect of magnetic field and impurities in InAs/GaAs and GaN/AlN self-assembled quantum dots
502.#.#.c: Universidad Nacional Autónoma de México
561.1.#.a: Facultad de Ciencias, UNAM
264.#.0.c: 2019
264.#.1.c: 2019-05-07
653.#.#.a: Quantum dots; electronic states; impurities; magnetic field.
506.1.#.a: La titularidad de los derechos patrimoniales de esta obra pertenece a las instituciones editoras. Su uso se rige por una licencia Creative Commons BY-NC-ND 4.0 Internacional, https://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/4.0/legalcode.es, fecha de asignación de la licencia 2019-05-07, para un uso diferente consultar al responsable jurídico del repositorio por medio de rmf@ciencias.unam.mx
884.#.#.k: https://rmf.smf.mx/ojs/rmf/article/view/Vol.%2065%2C%20Issue%203%2C%20pp.%20231-238
001.#.#.#: oai:ojs.rmf.smf.mx:article/487
041.#.7.h: eng
520.3.#.a: A theoeritical study on the effect of a magnetic field or impurities on the carries states of self-assembled quantum dots is presented. The magnetic field is applied along the growth direction of the dots, and for comparison two systems are considered, InAs embeded in GaAs, and GaN in AlN. The electronic states and energy are calculated in the framework of the k.p theory in 8 bands including the strain and piezoelectric effects. Zeeman splitting and anticrossings are observed in InAs/GaAs, while the field introduces small changes in the nitrides. It is also included a study about hidrogen-like impurities, which may be negative or positive. It is noted that depending on the type of impurity, the confinement energy of carriers is changed, and the distribution of the probability density of the carriers is affected too.
773.1.#.t: Revista Mexicana de Física; Vol 65, No 3 May-Jun (2019): 231-238
773.1.#.o: https://rmf.smf.mx/ojs/rmf/index
046.#.#.j: 2020-11-25 00:00:00.000000
022.#.#.a: 2683-2224 (digital); 0035-001X (impresa)
310.#.#.a: Bimestral
264.#.1.b: Sociedad Mexicana de Física, A.C.
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doi: https://doi.org/10.31349/RevMexFis.65.231
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last_modified: 2020-11-27 00:00:00
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Linares García, G.; Meza Montes, L.
Facultad de Ciencias, UNAM, publicado en Revista Mexicana de Física, y cosechado de Revistas UNAM
Linares García, G., et al. (2019). Effect of magnetic field and impurities in InAs/GaAs and GaN/AlN self-assembled quantum dots. Revista Mexicana de Física; Vol 65, No 3 May-Jun: 231-238. Recuperado de https://repositorio.unam.mx/contenidos/4106969