dor_id: 41414

506.#.#.a: Público

590.#.#.d: Los artículos enviados a la Revista Mexicana de Física se someten a un estricto proceso de revisión llevado a cabo por árbitros anónimos, independientes y especializados en todo el mundo.

510.0.#.a: Consejo Nacional de Ciencia y Tecnología (CONACyT), Sistema Regional de Información en Línea para Revistas Científicas de América Latina, el Caribe, España y Portugal (Latindex), Scientific Electronic Library Online (SciELO), SCOPUS, Web Of Science (WoS)

561.#.#.u: http://www.fciencias.unam.mx/

650.#.4.x: Físico Matemáticas y Ciencias de la Tierra

336.#.#.b: info:eu-repo/semantics/article

336.#.#.3: Artículo de Investigación

336.#.#.a: Artículo

351.#.#.6: https://rmf.smf.mx/ojs/rmf/index

351.#.#.b: Revista Mexicana de Física

351.#.#.a: Artículos

harvesting_group: RevistasUNAM

270.1.#.p: Revistas UNAM. Dirección General de Publicaciones y Fomento Editorial, UNAM en revistas@unam.mx

590.#.#.c: Open Journal Systems (OJS)

270.#.#.d: MX

270.1.#.d: México

590.#.#.b: Concentrador

883.#.#.u: http://www.revistas.unam.mx/front/

883.#.#.a: Revistas UNAM

590.#.#.a: Coordinación de Difusión Cultural

883.#.#.1: http://www.publicaciones.unam.mx/

883.#.#.q: Dirección General de Publicaciones y Fomento Editorial, UNAM

850.#.#.a: Universidad Nacional Autónoma de México

856.4.0.u: https://rmf.smf.mx/ojs/rmf/article/view/3548/3515

100.1.#.a: Gonzalez de la Cruz, G.; Herrera, H.; Calderon Arenas.

524.#.#.a: Gonzalez de la Cruz, G., et al. (2007). Effect of giant electric fields on the optical properties of GaN quantum wells. Revista Mexicana de Física; Vol 53, No 4: 303-0. Recuperado de https://repositorio.unam.mx/contenidos/41414

245.1.0.a: Effect of giant electric fields on the optical properties of GaN quantum wells

502.#.#.c: Universidad Nacional Autónoma de México

561.1.#.a: Facultad de Ciencias, UNAM

264.#.0.c: 2007

264.#.1.c: 2007-01-01

653.#.#.a: Semiconductor quantum wells; electric field; photoluminiscence

506.1.#.a: La titularidad de los derechos patrimoniales de esta obra pertenece a las instituciones editoras. Su uso se rige por una licencia Creative Commons BY-NC-ND 4.0 Internacional, https://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/4.0/legalcode.es, fecha de asignación de la licencia 2007-01-01, para un uso diferente consultar al responsable jurídico del repositorio por medio de rmf@ciencias.unam.mx

884.#.#.k: https://rmf.smf.mx/ojs/rmf/article/view/3548

001.#.#.#: oai:ojs.rmf.smf.mx:article/3548

041.#.7.h: eng

520.3.#.a: Spontaneous and piezoelectric fields are known to be the key to understanding the optical properties of nitride heterostructures. This effect modifies the electronic states in the quantum well (QW) and the emission energy in the photoluminescence (PL) spectrum. These fields induce a reduction in the oscillator strength of the transition energy between the confined electron and hole states in GaN/Al x Ga 1 - x N QWs, and dramatically increase the carrier lifetime as the QW thickness increases. In this work, we solve analytically the Schrödinger equation for moderate electric fields when the electron-hole transition energy in the QW is larger than the energy gap of the GaN. Furthermore, the large redshifts of the PL energy position and the spatial separation of the electrons and holes several greater times than the Bohr radius caused by the strong piezoelectric fields are explained using a triangular potential, instead of a square one, in the Schrödinger equation. The transition energy calculations between the electron-hole pair as a function of the well width with the electric field as a fitting parameter are in agreement with the measured photoluminescence energy peaks.

773.1.#.t: Revista Mexicana de Física; Vol 53, No 4 (2007): 303-0

773.1.#.o: https://rmf.smf.mx/ojs/rmf/index

046.#.#.j: 2020-11-25 00:00:00.000000

022.#.#.a: 2683-2224 (digital); 0035-001X (impresa)

310.#.#.a: Bimestral

264.#.1.b: Sociedad Mexicana de Física, A.C.

758.#.#.1: https://rmf.smf.mx/ojs/rmf/index

handle: 60dcc43e40854aa1

harvesting_date: 2020-09-23 00:00:00.0

856.#.0.q: application/pdf

last_modified: 2020-11-27 00:00:00

license_url: https://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/4.0/legalcode.es

license_type: by-nc-nd

_deleted_conflicts: 6-87d4d61338fcb08d74c863b3b4620322,2-52c6350126f61921ab0e32df063e8912

No entro en nada

No entro en nada 2

Artículo

Effect of giant electric fields on the optical properties of GaN quantum wells

Gonzalez de la Cruz, G.; Herrera, H.; Calderon Arenas.

Facultad de Ciencias, UNAM, publicado en Revista Mexicana de Física, y cosechado de Revistas UNAM

Licencia de uso

Procedencia del contenido

Entidad o dependencia
Facultad de Ciencias, UNAM
Revista
Repositorio
Contacto
Revistas UNAM. Dirección General de Publicaciones y Fomento Editorial, UNAM en revistas@unam.mx

Cita

Gonzalez de la Cruz, G., et al. (2007). Effect of giant electric fields on the optical properties of GaN quantum wells. Revista Mexicana de Física; Vol 53, No 4: 303-0. Recuperado de https://repositorio.unam.mx/contenidos/41414

Descripción del recurso

Autor(es)
Gonzalez de la Cruz, G.; Herrera, H.; Calderon Arenas.
Tipo
Artículo de Investigación
Área del conocimiento
Físico Matemáticas y Ciencias de la Tierra
Título
Effect of giant electric fields on the optical properties of GaN quantum wells
Fecha
2007-01-01
Resumen
Spontaneous and piezoelectric fields are known to be the key to understanding the optical properties of nitride heterostructures. This effect modifies the electronic states in the quantum well (QW) and the emission energy in the photoluminescence (PL) spectrum. These fields induce a reduction in the oscillator strength of the transition energy between the confined electron and hole states in GaN/Al x Ga 1 - x N QWs, and dramatically increase the carrier lifetime as the QW thickness increases. In this work, we solve analytically the Schrödinger equation for moderate electric fields when the electron-hole transition energy in the QW is larger than the energy gap of the GaN. Furthermore, the large redshifts of the PL energy position and the spatial separation of the electrons and holes several greater times than the Bohr radius caused by the strong piezoelectric fields are explained using a triangular potential, instead of a square one, in the Schrödinger equation. The transition energy calculations between the electron-hole pair as a function of the well width with the electric field as a fitting parameter are in agreement with the measured photoluminescence energy peaks.
Tema
Semiconductor quantum wells; electric field; photoluminiscence
Idioma
eng
ISSN
2683-2224 (digital); 0035-001X (impresa)

Enlaces