dor_id: 1500031

506.#.#.a: Público

650.#.4.x: Físico Matemáticas y Ciencias de la Tierra

336.#.#.b: other

336.#.#.3: Registro de colección de proyectos

336.#.#.a: Registro de colección universitaria

351.#.#.b: Proyectos Universitarios PAPIIT (PAPIIT)

351.#.#.a: Colecciones Universitarias Digitales

harvesting_group: ColeccionesUniversitarias

270.1.#.p: Dirección General de Repositorios Universitarios. contacto@dgru.unam.mx

590.#.#.c: Otro

270.#.#.d: MX

270.1.#.d: México

590.#.#.b: Concentrador

883.#.#.u: https://datosabiertos.unam.mx/

883.#.#.a: Portal de Datos Abiertos UNAM, Colecciones Universitarias

590.#.#.a: Administración central

883.#.#.1: http://www.ccud.unam.mx/

883.#.#.q: Dirección General de Repositorios Universitarios

850.#.#.a: Universidad Nacional Autónoma de México

856.4.0.u: http://datosabiertos.unam.mx/DGAPA:PAPIIT:IA101511

100.1.#.a: Angélica Estrella Ramos Peña

524.#.#.a: Dirección de Desarrollo Académico, Dirección General de Asuntos del Personal Académico (DGAPA). "Efecto del dopaje sobre las propiedades electrónicas y ópticas de nanoalambres de carburo de silicio", Proyectos Universitarios PAPIIT (PAPIIT). En "Portal de datos abiertos UNAM" (en línea), México, Universidad Nacional Autónoma de México.

720.#.#.a: Angélica Estrella Ramos Peña

245.1.0.a: Efecto del dopaje sobre las propiedades electrónicas y ópticas de nanoalambres de carburo de silicio

502.#.#.c: Universidad Nacional Autónoma de México

561.1.#.a: Instituto de Investigaciones en Materiales, UNAM

264.#.0.c: 2011

264.#.1.c: 2011

307.#.#.a: 2019-05-23 18:40:21.491

653.#.#.a: Química cuántica computacional; Ciencias de los materiales

506.1.#.a: La titularidad de los derechos patrimoniales de este recurso digital pertenece a la Universidad Nacional Autónoma de México. Su uso se rige por una licencia Creative Commons BY 4.0 Internacional, https://creativecommons.org/licenses/by/4.0/legalcode.es, fecha de asignación de la licencia 2011, para un uso diferente consultar al responsable jurídico del repositorio por medio de contacto@dgru.unam.mx

041.#.7.h: spa

500.#.#.a: El carburo de silicio cristalino ha sido reconocido como un material que puede ser usado para una amplia variedad de aplicaciones electrónicas, existen diversos politipos de este material y todos exhiben diferentes propiedades tales como el ancho de la brecha prohibida de energía, diferentes movilidades electrónicas y diferentes propiedades térmicas. Este tipo de materiales, al ser dopados con Nitrógeno o con Boro adquieren propiedades de aplicación tecnológica muy prometedoras. Asimismo, los nanoalambres de SiC al ser dopados con diversos agentes químicos adquirirán propiedades electrónicas que se espera puedan mejorar sus propiedades como semiconductores. En este proyecto se estudia el efecto de agaentes dopantes como boro y nitrógeno sobre las propiedades electrónicas de nanoalambres de carburo de silicio. En particular, se estudia el efecto del dopaje sobre la estructura electrónica de bandas y en las propiedades ópticas de alambres cuánticos de carburo de silicio. El estudio es de carácter teórico. Se realizará el cálculo de propiedades electrónicas dentro de la teoría de los funcionales de la densidad para sistemas periódicos. Se utilizará el programa CASTEP implementado en el paquete de cálculos de estructura electrónica Materials Studio, desarrollado por Accelrys.

046.#.#.j: 2019-11-14 12:26:40.706

264.#.1.b: Dirección General de Asuntos del Personal Académico

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856.#.0.q: text/html

last_modified: 2019-11-22 00:00:00

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No entro en nada

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