Efecto del dopaje sobre las propiedades electrónicas y ópticas de nanoalambres de carburo de silicio
Instituto de Investigaciones en Materiales, UNAM, Portal de Datos Abiertos UNAM, Colecciones Universitarias
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506.#.#.a: Público
650.#.4.x: Físico Matemáticas y Ciencias de la Tierra
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336.#.#.a: Registro de colección universitaria
351.#.#.b: Proyectos Universitarios PAPIIT (PAPIIT)
351.#.#.a: Colecciones Universitarias Digitales
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100.1.#.a: Angélica Estrella Ramos Peña
524.#.#.a: Dirección de Desarrollo Académico, Dirección General de Asuntos del Personal Académico (DGAPA). "Efecto del dopaje sobre las propiedades electrónicas y ópticas de nanoalambres de carburo de silicio", Proyectos Universitarios PAPIIT (PAPIIT). En "Portal de datos abiertos UNAM" (en línea), México, Universidad Nacional Autónoma de México.
720.#.#.a: Angélica Estrella Ramos Peña
245.1.0.a: Efecto del dopaje sobre las propiedades electrónicas y ópticas de nanoalambres de carburo de silicio
502.#.#.c: Universidad Nacional Autónoma de México
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653.#.#.a: Química cuántica computacional; Ciencias de los materiales
506.1.#.a: La titularidad de los derechos patrimoniales de este recurso digital pertenece a la Universidad Nacional Autónoma de México. Su uso se rige por una licencia Creative Commons BY 4.0 Internacional, https://creativecommons.org/licenses/by/4.0/legalcode.es, fecha de asignación de la licencia 2011, para un uso diferente consultar al responsable jurídico del repositorio por medio de contacto@dgru.unam.mx
041.#.7.h: spa
500.#.#.a: El carburo de silicio cristalino ha sido reconocido como un material que puede ser usado para una amplia variedad de aplicaciones electrónicas, existen diversos politipos de este material y todos exhiben diferentes propiedades tales como el ancho de la brecha prohibida de energía, diferentes movilidades electrónicas y diferentes propiedades térmicas. Este tipo de materiales, al ser dopados con Nitrógeno o con Boro adquieren propiedades de aplicación tecnológica muy prometedoras. Asimismo, los nanoalambres de SiC al ser dopados con diversos agentes químicos adquirirán propiedades electrónicas que se espera puedan mejorar sus propiedades como semiconductores. En este proyecto se estudia el efecto de agaentes dopantes como boro y nitrógeno sobre las propiedades electrónicas de nanoalambres de carburo de silicio. En particular, se estudia el efecto del dopaje sobre la estructura electrónica de bandas y en las propiedades ópticas de alambres cuánticos de carburo de silicio. El estudio es de carácter teórico. Se realizará el cálculo de propiedades electrónicas dentro de la teoría de los funcionales de la densidad para sistemas periódicos. Se utilizará el programa CASTEP implementado en el paquete de cálculos de estructura electrónica Materials Studio, desarrollado por Accelrys.
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264.#.1.b: Dirección General de Asuntos del Personal Académico
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Instituto de Investigaciones en Materiales, UNAM, Portal de Datos Abiertos UNAM, Colecciones Universitarias
Dirección de Desarrollo Académico, Dirección General de Asuntos del Personal Académico (DGAPA). "Efecto del dopaje sobre las propiedades electrónicas y ópticas de nanoalambres de carburo de silicio", Proyectos Universitarios PAPIIT (PAPIIT). En "Portal de datos abiertos UNAM" (en línea), México, Universidad Nacional Autónoma de México.