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520.3.#.a: This paper presents the design of a reconfigurable Low-Noise Amplifier (LNA) for the next generation of wireless hand-held devices. The circuit, based on a lumped-approach design and implemented in a 90nm standard RF CMOS technology, consists of a two-stage topology that combines inductive-source degeneration with MOS-varactor based tuning networks and programmable bias currents, in order to adapt its performance to different standard specifications with reduced number of inductors and minimum power dissipation. As an application, the LNA is designed to cope with the requirements of GSM (PCS1900), WCDMA, Bluetooth and WLAN (IEEE 802.11b-g). Simulation results, including technology parasitics, demonstrate correct operation of the LNA for these standards, featuring NF<1.77dB, S21 >16dB, S11 <-5.5dB, S22 <-5.5 dB and IIP3>-3.3 dBm over the 1.85-2.48 GHz band, with an adaptive power consumption between 25.3 mW and 53.3mW. The layout of the LNA occupies an area of 1.18×1.18 μm 2.

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022.#.#.a: 2683-2224 (digital); 0035-001X (impresa)

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No entro en nada

No entro en nada 2

Artículo

Design of a 1-V 90-nm CMOS adaptive LNA for multi-standard wireless receivers

Fernández, R.; Valencia Treviso, L. E.; Sandoval Ibarra, Federico

Facultad de Ciencias, UNAM, publicado en Revista Mexicana de Física, y cosechado de Revistas UNAM

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Procedencia del contenido

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Facultad de Ciencias, UNAM
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Revistas UNAM. Dirección General de Publicaciones y Fomento Editorial, UNAM en revistas@unam.mx

Cita

Fernández, R., et al. (2008). Design of a 1-V 90-nm CMOS adaptive LNA for multi-standard wireless receivers. Revista Mexicana de Física; Vol 54, No 004. Recuperado de https://repositorio.unam.mx/contenidos/41488

Descripción del recurso

Autor(es)
Fernández, R.; Valencia Treviso, L. E.; Sandoval Ibarra, Federico
Tipo
Artículo de Investigación
Área del conocimiento
Físico Matemáticas y Ciencias de la Tierra
Título
Design of a 1-V 90-nm CMOS adaptive LNA for multi-standard wireless receivers
Fecha
2008-01-01
Resumen
This paper presents the design of a reconfigurable Low-Noise Amplifier (LNA) for the next generation of wireless hand-held devices. The circuit, based on a lumped-approach design and implemented in a 90nm standard RF CMOS technology, consists of a two-stage topology that combines inductive-source degeneration with MOS-varactor based tuning networks and programmable bias currents, in order to adapt its performance to different standard specifications with reduced number of inductors and minimum power dissipation. As an application, the LNA is designed to cope with the requirements of GSM (PCS1900), WCDMA, Bluetooth and WLAN (IEEE 802.11b-g). Simulation results, including technology parasitics, demonstrate correct operation of the LNA for these standards, featuring NF<1.77dB, S21 >16dB, S11 <-5.5dB, S22 <-5.5 dB and IIP3>-3.3 dBm over the 1.85-2.48 GHz band, with an adaptive power consumption between 25.3 mW and 53.3mW. The layout of the LNA occupies an area of 1.18×1.18 μm 2.
Tema
Integrated circuits; field effect integrated devices; amplifiers
Idioma
eng
ISSN
2683-2224 (digital); 0035-001X (impresa)

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