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Artículo

Desarrollo y producción de varistores de ZnO dopados para media tensión 13 000 V a 34 000 V

Ireta Moreno, Fernando; González Rolón, Bárbara

Facultad de Ingeniería, UNAM, publicado en Ingeniería, Investigación y Tecnología, y cosechado de Revistas UNAM

Licencia de uso

Procedencia del contenido

Cita

Ireta Moreno, Fernando, et al. (2011). Desarrollo y producción de varistores de ZnO dopados para media tensión 13 000 V a 34 000 V. Ingeniería Investigación y Tecnología; Vol 12, No 2, 2011. Recuperado de https://repositorio.unam.mx/contenidos/26015

Descripción del recurso

Autor(es)
Ireta Moreno, Fernando; González Rolón, Bárbara
Colaborador(es)
Ireta-moreno, Fernando ; González-rolón, Bárbara
Afiliación del colaborador
Facultad de Ingeniería Mecánica Eeléctrica y Electrónica Universidad de Guanajuato Campus Salamanca, Gto., México; Facultad de Ingeniería Mecánica Eléctrica y Electrónica Universidad de Guanajuato Campus Salamanca, Gto., México
Tipo
Artículo de Investigación
Área del conocimiento
Ingenierías
Título
Desarrollo y producción de varistores de ZnO dopados para media tensión 13 000 V a 34 000 V
Fecha
2011-08-29
Resumen
El proceso de fabricación para varistores de media tensión de 13 000 v a 34 000 v de zno consistió en dopar con sb2o3, bi2o3 y optimizarlos en términos de la composición de inicio, con una relación de sb2o3/bi2o3 de 1.7, y el uso de aditivos para cerámicas, la temperatura de sinterizado fue de 1150ºc ± 2ºc. Se investigó la homogeneidad de la microestructura. Se determinaron las propiedades eléctricas mediante la determinación de la gráfica i-v. Las características eléctricas son discutidas.
Tema
Varistor; zno; microstructura; dopante; propiedades eléctricas; tamaño de grano
Idioma
spa
ISSN
ISSN impreso: 1405-7743

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