dor_id: 1500830
506.#.#.a: Público
650.#.4.x: Físico Matemáticas y Ciencias de la Tierra
336.#.#.b: other
336.#.#.3: Registro de colección de proyectos
336.#.#.a: Registro de colección universitaria
351.#.#.b: Proyectos Universitarios PAPIIT (PAPIIT)
351.#.#.a: Colecciones Universitarias Digitales
harvesting_group: ColeccionesUniversitarias
270.1.#.p: Dirección General de Repositorios Universitarios. contacto@dgru.unam.mx
590.#.#.c: Otro
270.#.#.d: MX
270.1.#.d: México
590.#.#.b: Concentrador
883.#.#.u: https://datosabiertos.unam.mx/
883.#.#.a: Portal de Datos Abiertos UNAM, Colecciones Universitarias
590.#.#.a: Administración central
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883.#.#.q: Dirección General de Repositorios Universitarios
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100.1.#.a: Mario Enrique Rodríguez García
524.#.#.a: Dirección de Desarrollo Académico, Dirección General de Asuntos del Personal Académico (DGAPA). "Desarrollo e implementación de técnicas opto termoacústicas para la caracterización térmica y termoelectrónica de materiales semiconductores y metálicos en función de la temperatura", Proyectos Universitarios PAPIIT (PAPIIT). En "Portal de datos abiertos UNAM" (en línea), México, Universidad Nacional Autónoma de México.
720.#.#.a: Mario Enrique Rodríguez García
245.1.0.a: Desarrollo e implementación de técnicas opto termoacústicas para la caracterización térmica y termoelectrónica de materiales semiconductores y metálicos en función de la temperatura
502.#.#.c: Universidad Nacional Autónoma de México
561.1.#.a: Centro de Física Aplicada y Tecnología Avanzada, UNAM
264.#.0.c: 2009
264.#.1.c: 2009
307.#.#.a: 2019-05-23 18:40:21.491
653.#.#.a: Física del estado sólido; Física
506.1.#.a: La titularidad de los derechos patrimoniales de este recurso digital pertenece a la Universidad Nacional Autónoma de México. Su uso se rige por una licencia Creative Commons BY 4.0 Internacional, https://creativecommons.org/licenses/by/4.0/legalcode.es, fecha de asignación de la licencia 2009, para un uso diferente consultar al responsable jurídico del repositorio por medio de contacto@dgru.unam.mx
041.#.7.h: spa
500.#.#.a: Este proyecto de investigación en caracterización termoelectrónica de semiconductores y metales, está enfocado básicamente al establecimiento de una metodología y metrología para obtener propiedades térmicas y electrónicas de semiconductores y metales a temperatura ambiente y en función de la temperatura. Los materiales de estudio serán Silicio poroso crecido sobre sustratos de silicio con diferentes resistividades; GaSb-Te poroso, crecido sobre un sustrato monocristalino GaSb-Te crecido por la técnica de Bridgman; GaAs-Si películas delgadas crecidas por epitaxia por haces moleculares sobre sustratos monocrsitalinos de GaAs y finalmente se estudiaran uniones de Cobre –acero producidas por soldadura de impacto y aleaciones de plata-cobre. Una parte fundamental del proyecto es el desarrollo de un sistema foto acústico diferencial para el estudio in situ del crecimiento del material porosos (Si y GaSb-Te) y el desarrollo e implementación de un sistema de absorción foto acústico para el estudio a temperatura ambiente del espectro de absorción de estos materiales. La parte central del proyecto está en el desarrollo e implementación de un sistema radiométrico infrarrojo y de portadores pero en función de la temperatura (14 K). El CFATA cuenta con estos dos sistemas operando en la actualidad pero es de fundamental importancia determinar los cambios en las propiedades termo electrónicas en función de T, de una manera remota y sin contactos, esta podría ser una nueva técnica de caracterización, teniendo en cuenta que se tiene actualmente cuatro longitudes de onda (532, 632, 808 y 1044 nm) con lo que se podrán obtener velocidades de recombinación en la superficie y en el bulto de manera simultánea en el caso de silicio monocristalino. En el caso de GaAs-Si crecido por epitaxia por haces moleculares se centrará el estudio en la distribución electrónica del silicio como función de la celda efusora de silicio, mediante el uso de imágenes térmicas y termo electrónicas y correlación con propiedades eléctricas, ópticas, estructurales y microestructurales. Para el caso de Soldadura por impacto se pretende encontrar una correlación entre mediciones de imágenes térmicas en las soldadura de forma no contacto y remota con las mediciones de dureza Vickers (que son contacto) y tiene imposibilidad de medir toda el área de estudio debido a daños producidos por el indentador. La variable a estudiar será el efecto de la forma de la interface (dentado y plana) en las propiedades estructurales, microestructurales y térmicas de la región afectada por la soldadura y de la región afecta por el impacto. En el caso de aleaciones de plata cobre el interés es el de poder determianr la correlación entre señal fototérmca der amplitud y fase y la concentración de plata del sistema, apara esto se utilizara ICP para uan determinación completa de los componentes metálicos, la imágenes serán térmicas Una parte muy importante de este proyecto es la formación de recursos humanos especialmente doctorado y maestría, pues se tiene la participación de tres estudiantes de doctorado y dos de maestría. El proyecto cuenta con especialistas en el área de materiales semiconductores y con especial énfasis en las técnicas fototérmica como es el cada del Dr. José García, EL Dr. Máximo López tiene experiencia en crecimiento por MBE y el Dr. Julio Mendoza tiene experiencia amplia en caracterización óptica. Este proyecto cuenta con una componente computacional, relacionada principalmente con los justes multiparamétricos para la obtención de los valores termo electrónicos del Si con diferentes resistividades, especialmente e en función de la temperatura. Es importante notar que esta metodología y metrología pueden ser extendías a otros materiales, por lo que se trabajará de manera activa en colaboración con el Laboratorio de Metalurgia del CFATA en la caracterización térmica de aleaciones. Se trabajará de manera activa en la interacción con otros laboratorios como el de epitaxia en fase liquidad y de crecimiento por haces moleculares del Cinvestav México para el estudio de propiedades termo electrónicos de materiales semiconductores y sistemas complejos.
046.#.#.j: 2019-11-14 12:26:40.706
264.#.1.b: Dirección General de Asuntos del Personal Académico
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last_modified: 2019-11-22 00:00:00
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Centro de Física Aplicada y Tecnología Avanzada, UNAM, Portal de Datos Abiertos UNAM, Colecciones Universitarias
Dirección de Desarrollo Académico, Dirección General de Asuntos del Personal Académico (DGAPA). "Desarrollo e implementación de técnicas opto termoacústicas para la caracterización térmica y termoelectrónica de materiales semiconductores y metálicos en función de la temperatura", Proyectos Universitarios PAPIIT (PAPIIT). En "Portal de datos abiertos UNAM" (en línea), México, Universidad Nacional Autónoma de México.
